General outstanding considerations on legal issues applied to autonomous vehicles

International audienceEven if there are many differences between the autonomous vehicles and aviation, we have tried to show that the long history of automation in airplanes can be a source of inspiration to understand some legal aspects necessary to allow autonomous cars on the streets. Independent on the technological evolution, the premise of this work is to ask the questions that must be faced if a fatal accident involving an autonomous vehicle occurs. In this sense, criminal issues will arise and the autonomous vehicles will be put under legal scrutiny

Structures hybrides MnAs/GaAs (de la croissance aux propriétés de transport tunnel polarisé en spin)

PARIS-BIUSJ-Thèses (751052125) / SudocPARIS-BIUSJ-Physique recherche (751052113) / SudocSudocFranceF

Propriétés magnétiques, électriques et structurales et transport polarisé en spin dans des structures hybrides MnAs-GaAs

Le couplage d'un métal ferromagnétique (MF) à un semiconducteur (SC) permettrait d'intégrer le nouveau degré de liberté que constitue le spin aux propriétés logiques et optiques des semiconducteurs. L'élaboration de jonctions tunnel magnétiques couplant ces deux types de matériaux présente des difficultés intrinsèques à leurs conditions de croissance. En effet, à la température de croissance optimale de la barrière semiconductrice (~580C), une forte interdiffusion à l'interface MF/SC réduit les effets de magnétorésistance. De ce fait, la barrière doit être élaborée à basse température, résultant dans l'incorporation d'antisites d'As dans la barrière SC.Le couple MnAs/GaAs est un bon candidat pour la réalisation de jonctions MF/SC grâce à la faible réactivité et à la forte polarisation à l'interface. Nous avons étudié des JTM MnAs/SC III-V/clusters de MnAs dans une matrice de GaAs (GaAs:MnAs), lesquelles le protocole de croissance de l'électrode inférieure (recuit in situ d'une couche de GaMnAs à T>500C) permet d'augmenter considérablement la qualité structurale et chimique de la barrière.Ce travail a été réalisé en trois parties. Tout d'abord, les conditions d'élaboration des couches de GaAs:MnAs/GaAs(001) et de MnAs/GaAs(001) ont été optimisées. Ensuite, nous avons mené des études originales de microscopie à gradient de force magnétique et de spectroscopie de photoémission réalisées sur des couches de MnAs, pour la première, et de GaMnAs, MnAs et GaAs:MnAs, pour la deuxième, ont permis de faire ressortir des informations importantes pour leur intégration dans l'électronique de spin. Enfin, une étude du transport tunnel polarisé en spin a été conduite les JTM.PARIS-BIUSJ-Physique recherche (751052113) / SudocSudocFranceF

Comportement magnétique des systèmes hybrides granulaires et modélisation de la surface des couches minces de MnAs épitaxiés sur GaAs(111)B

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Low-temperature Raman fingerprints for few-quintuple layer topological insulator Bi2Se3 films epitaxied on GaAs

International audienceTopological insulators (Bi2Se3) of single-and few-quintuple-layer (few-QLs) films were investigated by Raman spectroscopy and epitaxied on a GaAs substrate. At a measurement temperature of 80 K, we observed the emergence of additional A(2u) and E-u modes (Raman inactive in the bulk crystal) below 9-QLs film thicknesses, assigned to the crystal-symmetry breakdown in ultrathin films. Furthermore, the out-of-plane A(1g) modes changed in width, frequency, and intensity for decreasing numbers of QL, while the in-plane E-g mode split into three Raman lines, not resolved in previous room temperature experiments. The out-of-plane Raman modes showed a strong Raman resonance at 2.4 eV for around 4-QLs film thickness, and the resonant position of the same modes shifted to 2.2 eV for 18-QLs-thick film. The film thickness-dependence of the phonons frequencies cannot solely be explained within models of weak van der Waals interlayer coupling. The results are discussed in terms of stacking-induced changes in inter-and intralayer bonding and/or the presence of long-range Coulombic interlayer interactions in topological insulator Bi2Se3. This work demonstrates that Raman spectroscopy is sensitive to changes in film thickness over the critical range of 9-to 4-QLs, which coincides with the transition between a gapless topological insulator (occurring above 6-QLs) to a conventional gapped insulator (occurring below 4-QLs)

Etude de la croissance et les propriétés structurales, chimiques et magnétiques de structures hybrides GaSe-Fe, ZnSe-Fe granulaires et MnAs/GaAs(111) vicinal

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Magnétorésistance tunnel résonante et couplage magnétique dans les structures épitaxiales avec semiconducteurs

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Structural and transport properties of epitaxial Fe/ZnSe/FeCo magnetic tunnel junctions

The use of a semiconductor barrier in heteroepitaxy with ferromagnetic metal electrodes describes a novel type of magnetic tunnel junctions. In this work, epitaxial Fe/ZnSe/FeCo magnetic tunnel junctions have been grown on ZnSe(001) buffered GaAs(001) substrates by molecular beam epitaxy. Alloying a small amount of Co with Fe in the base electrode provides a better seed epilayer for the growth of the ZnSe barrier compared to pure Fe as seen by transmission electron microscopy. Detailed characterization of the FeCo surface was performed by in situ scanning tunneling microscopy and revealed pyramid-shaped defects of up to 60 AA in height distributed on the FeCo surface. Transport measurements on microfabricated tunnel junctions yielded up to 16% magnetoresistance at 10 K and the effect is attributed to spin polarized tunneling across the semiconductor barrier in the energy range of the gap. The observed anomalous character of the magnetoresistance was attributed to conduction through the pyramidal defects in the base FeCo laye