Reoperations after total correction of fallot

İstanbul Göğüs Kalp ve Damar Cerrahisi Merkezi'nde 1963-1989 yılları arasında fallot tetralojisi nedeniyle total korreksiyon yapılan ve hastane mortalitesi dışında kalan olgu sayısı 273'tür. Bu olgulardan 5 tanesi reopere edilmiştir (% 1.83 ). Reoperasyon nedeni 3 olguda rezidüel ventriküler septal defect, bir olguda rezidüel VSD ve transannuler perikard yama anevrizması, bir olguda ise triküspid kapak endokarditine bağlı triküspid yetmezliği olmuştur. Reoperasyonlarda 2 olguda VSD yama ile tamir edilmiş, bir olguda ilave olarak triküspide Dewega annuloplasti yapılmış, bir olguda VSD kapatılması ve anevrizmektomi uygulanmış, bir olguda ise triküspid kapak replasmanı yapılmıştır. Ameliyat sonu dönemde bir olguda uzamış mekanik ventilasyon, bir olguda A-V tam blok nedeniyle kalıcı pacemaker implantasyonu gerekmiştir. Hasta mortalitesi yoktur.In İstanbul thoracic and cardiovascular surgery centre, between the years of 1963-1989, 273 case had total correction because of fallot tetralogy and these were exceptional according to the mortality ranges of the hospital 5 out of these operation were reoperated (% 1.83). The reasons of the reoperations were: residual VSD in three cases, residual VSD and transannular pericardial patch aneurysm together in one case and tricuspid failure due to tricuspid valve endocarditis in one case. In repeating operations, VSD was repaired by a patch in two of them and in one of them tricuspid devega annuloplasty was perfomıed additionally and one of them tricuspid valve replacement was achieved. In the postoperative stage, prolonged mechanical ventilation in one of them and permanent pacemaker implantation due to AV complete block in arıother were reeded. There was not mortality

Monolithic integration of Si nanowires with metallic electrodes: NEMS resonator and switch applications

The challenge of wafer-scale integration of silicon nanowires into microsystems is addressed by developing a fabrication approach that utilizes a combination of Bosch-process-based nanowire fabrication with surface micromachining and chemical-mechanical-polishing-based metal electrode/contact formation. Nanowires up to a length of 50 mu m are achieved while retaining submicron nanowire-to-electrode gaps. The scalability of the technique is demonstrated through using no patterning method other than optical lithography on conventional SOI substrates. Structural integrity of double-clamped nanowires is evaluated through a three-point bending test, where good clamping quality and fracture strengths approaching the theoretical strength of the material are observed. Resulting devices are characterized in resonator and switch applications-two areas of interest for CMOS-compatible solutions-with all-electrical actuation and readout schemes. Improvements and tuning of obtained performance parameters such as resonance frequency, quality factor and pull-in voltage are simply a question of conventional design and process adjustments. Implications of the proposed technique are far-reaching including system-level integration of either single-nanowire devices within thick Si layers or nanowire arrays perpendicular to the plane of the substrate

Sİ Nanotellerin Mekanik Çınlaç Olarak Üretimi ve Testi

Konferans Bildirisi -- Teorik ve Uygulamalı Mekanik Türk Milli Komitesi, 2011Conference Paper -- Theoretical and Applied Mechanical Turkish National Committee, 2011Sİ Nanotellerin (SiNT’lerin) mekanik özelliklerinin test edilebilmesi için yeni bir üretim yöntemi geliştirilmiştir. Söz konusu üretim yöntemiyle üretilen cihazlarda 50 Dm uzunluğa sahip SİNT’ler ve mikron altı SiNT-elektrot boşluklu yapılar elde edilmiştir. Üretim yöntemi sadece optik litografi kullanarak yüksek ölçeklenebilirlik göstermiştir. Elde edilen cihazların SİNT'leri üzerinde yapılan 3 noktalı eğilme testleri ile yapıların teorik mukavemete yakın bir değerde kırıldığı ve mesnet noktalarının son derece sağlam olduğu gözlemlenmiştir. 3 noktalı eğilme testlerine ilaveten nloktrostatik tahrik ve sığa okuması vasıtasıyla SiNT’lerin çınlanım testleri icra edilmiştir. Yapılan im,iler sonucunda [010] yöneliminde, beklenen elastisite modülüne yakın değerler ölçülmüş aynı zamanda silisyum içerisindeki iç gerilmeler hesaplanmıştır