등줄쥐에서 자연발생한 위유암종의 병리조직학적 및 면역조직화학적 연구

학위논문(석사)--서울대학교 대학원 :수의학과 수의병리학전공,1995.Maste

한국인 이영양형 수포성 표피박리증 환자에서의 제 VII형 콜라겐 유전자 돌연변이 분석

Dept. of Medicine/석사[한글]이영양형 수포성 표피박리증(dystrophic epidermolysis bullosa, 이하 DEB)은 제 VII형 콜라겐의 유전자인 COL7A1의 돌연변이에 의해 고정 원섬유(anchoring fibril)에 결함이 생겨 약한 자극에도 쉽게 수포가 형성되는 질환이다. COL7A1은 32kb의 크기로 118개의 엑손(exon)으로 구성되어 있으며 인간의 단일 유전자로서는 가장 큰 유전자이다. 제 VII형 콜라겐은 중앙의 collagenous domain과 양쪽 아미노기(amino) 및 카르복시기(carboxy) 말단을 이루는 non-collagenous domain(각각 NC-1, NC-2)으로 이루어져 있다. DEB는 상염색체 우성 또는 열성으로 유전되며, 일반적으로 열성형인 경우 우성형보다 임상적으로 더 심한 임상양상을 나타내지만 같은 유전방식을 갖는 경우에서도 돌연변이의 위치 및 종류에 따라 다양한 임상양상을 나타낼 수 있다. 일례로 열성형 DEB 중 심한 임상양상을 보이는 경우 두 대립유전자 모두에서 조기 중단 코돈(premature termination codon, PTC)이 있는 반면, 우성형에서는 collagenous domain의 glycine 치환 돌연변이(glycine substitution, GS)를 보이는 경우가 많다. 현재까지 300개 이상의 COL7A1 돌연변이가 보고되었으나 아직 정확한 유전형-표현형의 관계는 알려져 있지 않다. 더욱이 국내의 DEB에 대한 연구는 간헐적인 증례보고 외에는 없는 실정이다.본 연구는 18가계(우성형 4가계, 열성형 14가계)를 대상으로 하였고, 총 33개의 대립유전자(한 가계에서 3개의 돌연변이 발견된 것 포함)에서 30개의 돌연변이를 발견하여 90.9%의 발견율을 보였다. 총 24가지의 돌연변이 중 기존에 보고되지 않은 새로운 돌연변이는 10가지 였으며, PTC 8개, insertion/deletion 6개, GS 5개, alternative splicing 5개였다. 반복적으로 나타나는 돌연변이(recurrent mutation)는 R669X, G798R, G2043R, G2204S, E2857X였으며 전체 돌연변이의 30%를 차지하였다. 발견된 각 돌연변이에 대해서 COL7A1 mRNA의 splicing에 대한 영향을 알아보기 위해 in silico study를 시행하였으며 donor 혹은 acceptor site의 Ri 값의 변화가 10개에서 관찰되었다. 10개의 돌연변이에서 Ri 값의 유의한 변화는 1094-G>C, 2392G>A (G798R), 6899A>G (Q2300R), 341G>T (G114V), 682+1G>A의 5개에서 나타났다. 임상양상에 따른 돌연변이의 양상은 다음과 같았다. 4명의 우성형에서 3개의 GS와 1개의 alternative splicing을 발견하였다. 열성형의 경우 임상양상을 경증(mitis or mild), 중등증(moderate severe), 중증(Hallopeau-Siemens or severe)으로 나누었을 때 경증에서는 alternative splicing/GS, alternative splicing/PTC의 두 예가 있었고, 중등증 및 중증에서는 PTC가 가장 많이 관찰되었다. 1예에서 Transient bullous dermolysis of newborn의 임상양상을 보였으며 돌연변이는 열성형으로 G798R/6246del27의 조합이었다. [영문]Dystrophic epidermolysis bullosa (DEB) is characterized by mucocutaneous blistering, scarring and nail dystrophy following minor trauma. DEB is caused by mutations in the COL7A1 encoding type VII collagen, which is the major component of the anchoring fibrils. DEB occurs as either autosomal dominant or recessive trait, usually recessive form having more severe clinical presentation. However, the phenotypical variability also depends on the different type of mutations in DEB alleles and their position within the gene. To date, more than 300 different mutations have been reported, but we cannot predict the exact genotype-phenotype correlation. Furthermore, no systematic study has thus far revealed detailed delineation of COL7A1 mutations in Korean DEB patients except several case reports.In this study, we performed mutational analysis of 18 distinct Korean DEB families (4 dominant and 14 recessive). The result demonstrated 30 pathogenic COL7A1 mutations among total 33 alleles. It included total 24 kinds of COL7A1 mutation: 8 premature termination codons (PTC), 6 insertion/deletion frameshift mutations, 6 glycine substitutions (GS), 4 alternative splicings. We found out 10 novel mutations and 5 different recurrent mutations, R669X, G798R, G2043R, G2204S and E2857X. A computer analysis was carried out to assess the potential for each mutation to affect the splicing of the COL7A1 mRNA. It predicted information contents score (Ri) changes in 10 distinct mutations. Among the 10 mutations, 1094-G>C, 2392G>A (G798R), 6899A>G (Q2300R), 341G>T (G114V), 682+1G>A show significant Ri changes, which was confirmed to induce cryptic splicing in the previous reports or in this study. We classified the patients into four categories to investigate the genotype-phenotype correlation: dominant DEB; mild (mitis type), moderate severe, severe recessive DEB (Hallopeau-Siemens type). The mutations of DDEB families were 3 and 1 alternative splicing, and two patients of mild RDEB had compound heterozygosity of alternative splicing/GS and alternative splicing/PTC combinations. Most of mutations observed in moderate severe RDEB and HS-RDEB are PTC-causing mutations, which did not show any difference between two groups. This study also included 1 patient with rare variant of DEB, transient bullous dermolysis of newborn (TBDN), which was compound heterozygote for G798R and 6246del27.ope

임플랜트 지대주 연결방식, 임플랜트의 직경 및 지대주 연결부위의 직경 차이에 따른 응력분포에 관한 삼차원 유한요소분석 연구

학위논문(석사)--서울대학교 대학원 :치의학과 치과보철학전공,2003.Maste

Crack-free and high efficiency III-V multi-junction solar cell grown on vicinal Si(100) substrate

학위논문 (박사)-- 서울대학교 대학원 : 재료공학부, 2017. 2. 윤의준.The primary goal of this research is to fabricate crack-free and high efficiency III-V multi-junction solar cells on Si. In order to achieve the final goals, this research has been focused on three parts: growth of GaAs on Si using LP-MOCVD, investigation of impacts of crack formation on the solar cell device, and the fabrication of crack-free device. First, the device structures were grown on Si using LP-MOCVD using two-step growth modes, InGaAs/GaAs superlattice structure, and cycle annealing. By using two-step method, pure GaAs with flat surfaces were successfully grown on Si suppressing SK growth modes. In order to reduce the threading dislocation density (TDD) in GaAs layer, the in-situ cycle-annealing was performed in MOCVD chamber followed by In0.1Ga0.9As/GaAs structure. During the in-situ annealing, the AsH3 gases was introduced to prevent the evaporation of As from the GaAs layer. As the annealing-temperature increased from 700 to 820 oC, crystal quality was improved. The final GaAs buffer layer showed 6.0 x 10cm-7 value of TDD, and 146 arc sec FWHM of (004) rocking curves. On the top of buffer layer, the III-V GaAs solar cell epitaxial layers were grown. The device performance were measured under AM 1.5g condition, the conversion efficiency was 10.14, and 15.47 %, for the device on the buffer layer grown with only two-step growth modes, and for the device on the buffer layer grown on two-step growth modes, and InGaAs/GaAs structure, and cycle annealing, respectively. The improvement of efficiency was due to the enhancement of short-circuit current density and open-circuit voltage. Based on the analysis of time resolved photoluminescence and external quantum efficiency measurements, these enhancements were due to the increase of minority carrier lifetime from 0.096 to 0.9 ns. The total thickness of epitaxial layer was 5.8 m including 2.4 m GaAs buffer layer on Si substrate, which was above the critical thickness of crack formation. All of devices contained the crack arrays, where the crack linear density was varied from 4 to 126 cm-1. The impacts of crack formations on the device performance was investigated using TCAD simulations. Simulation results predicted that crack formations have the significant impacts on conversion efficiency especially due to reduction of open-circuit voltage in photovoltaic cells. At crack linear density with 200 cm-1, open-circuit voltage can be degraded to 86 % resulting in reduction of conversion efficiency from 24 % to 17% at 1105 cm-2 value of TDD. Based on the properties of recombination process at the GaAs surface, I assumed that the cleaved {110} surfaces have high surface recombination velocity as high as 3106 cm/s. This approach predicted reasonable the efficiency of GaAs photovoltaic cells on Si substrate. Finally, the control of crack propagation was investigated using stress concentrators in order to obtain crack-free III-V compound solar cells on Si. The notch type patterns introduced into the Si substrate were found to successfully generate the crack-free areas of a 2 mm × 2 mm size separated by the cracks for the 5.8 m-thick III-V compound semiconductor layers on it. The population of crack arrays was investigated in the wafer scale. The crack linear density was significantly reduced from 22.25 cm-1 to 1.10 cm-1 by controlling crack arrays. The value of 1.10 cm-1 crack density was due to unintentional crack arrays, which were generated with surface defects or particles underlying before growth. By measuring dark I-V curves between adjacent cells, the individual solar cells on the crack-free areas were confirmed to be electrically isolated one another with the well-defined crack array, replacing conventional Mesa isolation process, which has undercut issue and area loss. The best cell efficiency was increased from 16.44 % for the device containing 16.8 cm-1 crack linear density, to 18.17 % for the device with crack-free conditions under AM 1.5g condition. The maximum efficiency under concentration was 19.8, 18.5, and 23.5 % for crack-free device, the device containing 16.8 cm-1 crack linear density, and the reference GaAs/GaAs cell, respectively. Above 10 suns of concentration level, cell efficiency reduced with the reduction of fill factor. The J-V curves showed that the reduction of fill factor was due to the parasitic resistance in the device. Based on analysis of dark J-V curves, the parasitic resistance was 0.43. . In order to increase maximum efficiency, the parasitic resistance should be reduced with the optimized metal grid design and the metal deposition process for the centration operationCHAPTER 1. INTRODUCTION AND MOTIVATION 1 1.1 Solar energy 1 1.2 Solar cells 3 1.3 Materials for multi-junction solar cell 10 1.4 Space and terrestrial applications 14 1.5 Integration of III-V based multi-junction solar cell on Si 18 1.6 Impacts of cell cost reduction on CPV module price 23 1.7 Technical issues related to multi-junction solar cells on Si 25 1.8 Crack formations in multi-junction solar cells 30 1.9 Research objective 35 1.9 References 36 CHAPTER 2. EXPERIMENTS AND ANALYSIS 38 2.1 Epitaxial growth using MOCVD 38 2.2 Sample preparation 41 2.3 Analysis tools 41 2.4 Fabrication process 45 CHAPTER 3. GROWTH OF GAAS BUFFER LAYER ON THE SI SUBSTRATE FOR SOLAR CELL OPERATION 48 3.1 Growth method of GaAs on Si substrate 48 3.2 Two-step GaAs growth on Si (100) substrates 51 3.3 Multi-annealing steps with the insertion of strained superlattice 58 3.4 Final GaAs buffer layer grown on Si (100) 64 3.5 References 68 CHAPTER 4. SOLAR CELL OPERATION ON THE GAAS BUFFER ON SI 69 4.1 Introduction 69 4.2 Experimental details 74 4.3 Performance of GaAs single junction solar cell on Si 77 4.4 Crack formations in GaAs solar cells on Si 82 4.5 Summary 86 4.6 References 87 CHAPTER 5. IMPACTS OF CRACK FORMATION ON THE DEVICE 88 5.1 Introduction 88 5.2 Finite element method for the analysis 90 5.3 Proposed model and back ground of simulations 91 5.4 Simulation parameters and conditions 96 5.5 Simulation results and discussions 98 5.6 Summary 104 5.7 References 105 CHAPTER 6. CRACK-FREE III-V GAAS SOLAR CELLS ON THE SI SUBSTRATE 106 6.1 Introduction 106 6.2 Making notch patterns and analysis of stress concentration 106 6.2.1 Fracture strength and biaxial stress in GaAs on Si system 106 6.2.2 Design of notch patterns for crack initiation 110 6.2.3 Fabrication process of notches patters on Si substrate 112 6.3 Periodic crack arrays 118 6.4 Process steps for crack-free solar cells 121 6.5 Results and discussion 123 6.5.1 Control of crack arrays with notches 123 6.5.2 Self-isolation with well defined crack-array 129 6.5.3 Crack-free solar cell performance 132 6.5.4 Crack-free solar cells for terrestrial applications 136 6.6 Summary 143 6.7 References 143 CHAPTER 7. CONCLUSIONS 146 국 문 초 록 148 PUBLICATION LIST 151Docto

A Study on the Location Analysis Using Spatial Analysis and Ordered Weighted Averaging(OWA) Operator Weighting Functions

해상운송과 육상운송의 접점이 되는 항만은 항만시설로 구성되어 있는데, 이 항만시설을 이용함으로서 선박의 안전한 입출항, 화물의 양 · 적하 작업이 이루어지게 된다. 항만시설에는 수역시설, 외곽시설, 운송시설로 구성된 기본시설과, 계류시설, 항행보조시설, 하역시설, 선박보급시설, 승객이용시설 등으로 구성된 기능시설로 구성된다. 해상교통 흐름과 밀접히 관련이 있는 항로, 정박지의 수역시설과 항로표지, 신호, 조명과 같은 항행보조시설의 입지 및 최적관리는 해상교통 흐름을 원활히 하고 선박의 안전운항을 용이하게 하므로 매우 중요한 문제라 할 수 있다. 항만시설 정비를 위한 기존 연구에서는 해상교통체계를 전반적으로 분석하고 개선점을 제안하는 해상교통 환경평가가 이루어지고 있으며, 매립지 건설, 해저배관 이설, 부두 건설, 정박지 확장 등 선박의 해상교통에 영향을 주는 구조물 설치에 따른 파급효과를 파악하기 위해 선박조종 시뮬레이션을 수행하고 있다. 항만시설 정비에 관한 기존 연구에서는 항만의 자연환경 및 교통량을 조사하거나, 도선사, 항해사 등 전문가 의견을 토대로 계획을 수립하고 있다. 그러나 기존 연구에서는 선박의 교통 안전성을 강조하는 반면 항만시설 입지에 관한 외부요인의 고려가 부족하며, 분석결과에서 의사결정으로 연결되는 과정에 의사결정자의 주관적 의견개입이 높고, 외부환경요인에 따른 의사결정 전략의 조정이 어려운 단점이 있다. 항만시설 정비 문제는 선박의 조종 안정성뿐만 아니라 항만 관련자의 이해관계, 항만개발 계획, 타 항만시설과의 적합도 등 다양한 외부요인이 발생될 수 있으므로 공간적 다기준의사결정 관점의 접근법이 필요하다. 공간적 다기준의사결정법은 공간데이터를 이용한 공간분석과 다양한 기준을 고려하여 문제의 해결책을 모색하는 다기준 의사결정(MCDM : Multicriteria Decision Making)을 결합한 방법이다. 본 연구에서는 항만시설의 배치에 관련된 공간데이터를 활용한 공간분석과 항만시설 입지선정에 영향을 주는 요인의 가중치 결정, 의사결정자의 의사결정 전략에 따른 적용법으로 구성된 항만시설의 공간적 다기준 의사결정 분석법을 개발하였으며, 본 분석법을 울산항의 중소형 대기정박지 입지선정 문제에 적용하였다. 울산항은 전국화물의 37%를 처리하는 경제적으로 중요한 항만으로, 처리화물 중 위험화물이 81%를 차지하고 있고, 항계 내에서 위험화물의 해상환적작업이 이루어지고 있어 유류유출사고의 위험성이 높다. 특히, 울산항의 중소형 선박 정박지인 M1~M7 정박지에는 정박선박이 집중하여 대단히 혼잡하고 적정허용 척수를 초과하여 정박하고 있다. 또한, 온산항을 입항하는 선박이 M정박지를 이용함으로서 1항로를 횡단하고, SK 1번 SBM 및 동방파제 등 조선수역이 협소한 수역을 항내 이동함으로서 사고의 위험성을 증가시키고 있다. 또한 온산 앞 신항 개발로 인하여 울산항 정박지가 좁아질 것이므로 정박지 확보가 시급한 형편이다. 본 연구에서는 해상교통과 물류흐름에 영향을 주는 항만시설의 입지의사결정을 위해 공간분석과 순위가중치 결정법을 이용한 공간적 다기준의사결정 기법을 개발하였다. 그리고, 중소형 대기정박지 확장이 요구되는 울산항의 대기정박지 입지 결정문제에 적용하여, 의사결정자의 의사결정 전략별 대기정박지 우선순위를 도출하였다. 본 연구에서 개발한 공간적 다기준의사결정 기법은 항만시설 입지 결정에 물리적으로 영향을 주는 공간데이터를 이용하여, 실제 적용 가능한 입지 후보지를 도출하였으며, Fuzzy AHP 기법을 통한 입지요인 가중치 산정, 순위 가중치 결정법의 7가지 종류의 의사결정 전략에 따른 탄력적인 결과를 도출하였다.제 1 장 서 론 1.1 연구의 배경 및 목적 1.2 연구 방법 및 절차 제 2 장 선행 연구 고찰 2.1 입지분석 2.1.1 개념 및 특징 2.1.2 전통적인 입지연구 2.2 해상교통시스템 연구 2.2.1 해상교통 및 해상교통공학 2.2.2 해상교통환경 평가연구 2.3 공간 분석 2.3.1 공간 의사결정 도구 2.3.2 입지분석을 위한 공간분석 기법 2.3.3 공간적 다기준 의사결정 방법론 2.4 다기준 의사결정모형 2.4.1 다기준 의사결정모형의 연구가치 2.4.2 다기준 의사결정모형의 유형별 특징 제 3 장 항만 시설 3.1 항만 계획 및 항만시설의 개요 3.2 대기정박지 설계 3.3 항로와 선회장 제 4 장 대기정박지 평가기법 4.1 공간 분석 기법 4.1.1 GIS 정의 및 구성요소 4.1.2 GIS의 구성요소 4.1.3 GIS 기능 4.2 가중치 산정 기법 4.2.1 퍼지이론 4.2.2 AHP 기법 4.2.3 퍼지 계층분석법(Fuzzy AHP) 4.3 의사결정전략 선택기법 4.3.1 가중치 결합 기법의 종류 4.3.2 순위가중치 평균법(OWA) 제 5 장 울산항 대기 정박지 입지 분석 5.1 울산항 개요 5.1.1 울산항의 자연환경 5.1.2 울산항 일반현황 5.1.3 요약 5.2 대기 정박지 선정 요인 분석 5.2.1 항만시설 관련 연구 문헌 5.2.2 대기 정박지 선택요인 정리 5.3 공간분석을 이용한 대기정박지 후보지 선정 5.3.1 수행 방법 5.3.2 평가기준도 개발 5.3.3 평가기준도의 표준화 5.4 후보지 입지평가 및 적지 선정 5.4.1 대기정박지 선정요인 계층도 5.4.2 설문분석 수행 5.4.3 평가치 계산 5.4.4 순위가중치평균법 적용 5.4.5 요약정리 제 6 장 결 론 6.1 연구결과 정리 6.2 연구의 특징 및 한계점 ※ 부록 - 설문

배아줄기세포를 이용한 심근세포 분화촉진 신규화합물의 작용기전 연구

Thesis(doctors) --서울대학교 대학원 :수의학과,2008.Docto

INFLUENCE OF IMPLANT-ABUTMENT INTERFACE DESIGN, IMPLANT DIAMETER AND PROSTHETIC TABLE WIDTH ON STRENGTH OF IMPLANT-ABUTMENT INTERFACE : THREE-DIMENSIONAL FINITE ELEMENT ANALYSIS

Statement of problem. Higher incidence of prosthetic complications such as screw loosening, screw fracture has been reported for posterior single tooth implant. So, there is ongoing research regarding stability of implant-abutment interface. One of those research is increasing the implant diameter and prosthetic table width to improve joint stability. In another part of this research, internal conical type implant-abutment interface was developed and reported joint strength is higher than traditional external hex interface. Purpose. The purpose of this study is to compare stress distribution in single molar implant between external hex butt joint implant and internal conical joint implant when increasing the implant diameter and prosthetic table width : 4mm diameter, 5mm diameter, 5mm diameter/6mm prosthetic table width. Material and method. Non-linear finite element models were created and the 3-dimensional finite element analysis was performed to see the distribution of stress when 300N static loading was applied to model at off-axis angle. Results. The following results were obtained : 1. Internal conical joint showed lower tensile stress value than that of external hex butt joint. 2. When off-axis loading was applied, internal conical joint showed more effective stress distribution than external hex butt joint. 3. External hex butt joint showed lower tensile stress value when the implant diameter was increased. 4. Internal conical joint showed lower tensile stress value than external hex butt joint when the implant diameter was increased. 5. Both of these joint mechanism showed lower tensile stress value when the prosthetic table width was increased. Conclusion. Internal conical joint showed more effective stress distribution than external hex joint. Increasing implant diameter showed more effective stress distribution than increasing prosthetic table width