我国西部开发中资金投入的现状及其展望

实施西部大开发战略 ,是一项长期、复杂而又艰巨的系统工程。文章论述了中国西部大开发资金投入的现状和困难 ,展望了如何依靠资金的启动 ,通过资金优化配置 ,实现西部经济起飞与经济发展 ,从而最终实现与全国经济均衡协调发展的奋斗目标

Investigation of the High EFFiciency Luminescence of RE(Er)and Oxygen (O) Double Implanted GaAs and Si

用光致发光谱（Pl）、傅里叶变换红外吸收话（fTIr）和X射线衍射谱（Xrd）等研究了稀土（Er）和氧（O）双离子注入gAAS和SI的发光特性和高效发光机理。Pl测量结果发现：（Er和O）双注入样品对比Er单注入样品的发光（Pl）强度（Er的1.54μM峰）显著增大，发光单色性等也有明显改善。测量并分析了该材料的fTIr和Xrd谱；对该材料的高效发光机制作了较深入地探讨和澄清。The RE(Er) and oxygen(O) double ion-implanted GaAs and Si are studied by using PL.FTIR and XRD.The PL measurement results show that the luminescent intensity (Er 1.54 μm peak) of (Er, O) double implanted samples is much stronger than that of single Er-implanted samples and the monochromaticity of luminescence is improved.The FTIR and XRD of the materials are measured and analyzed.The mechanism of the high eFFicienct luminescence of the materiaIs is investigated deeply.国家自然科学基金;南京大学团体微结构实验室资

关于“经济发展方式转变进程中的财税政策”的探讨(笔谈)

转变经济发展方式是当前中国的热门话题,而上海在城市发展中又肩负着率先转变的重要任务,在这一意义和背景下,2010年4月24日由上海金融学院学院主办、上海金融学院公共经济管理学院承办的“《中国城市财政发展报告2009/2010:促进‘两个中心’建设的上海城市财政》首发式暨‘经济发展方式转变进程中的财税政策’论坛“在我校举行。与会专家围绕经济发展方式转变进程中的财税政策的“趋势与目标“、“机遇和挑战“、“实施方略“和“地方实践“等四个专题进行研讨,各抒己见,智慧交锋。现将其真知灼见整理摘要与读者分享,以期待更多学者共同关注当前经济发展方式转变进程中的财税政策

稀土(Er)和杂质(O)共掺杂GaAs(Er,O)的光谱特性(PL和FTIR)和高效发光机制研究

学位：理学硕士院系专业：物理与机电工程学院物理学系_无线电物理学号：1992370

稀土（Er）和氧（O）双掺杂GaAs和Si的高效发光的研究

用光致发光谱(PL)、傅里叶变换红外吸收谱(FTIR)和X射线衍射谱(XRD)等研究了稀土(Er)和氧(O)双离子注入GaAs和Si的发光特性和高效发光机理。测量并分析了该材料的FTIR和XRD谱;对该材料的高效发光机制作了较深入地探讨和澄清

掺铒硅发光的晶场分裂

测量了掺铒硅的高分辨光致发光光谱，得到9条铒发光分裂谱线。利用群对称理论指出9条谱线来自Er~(3+)中~4I_(13/2)到~4I_(15/2)光跃迁在T_d晶场下的分裂。Er~(3+)的第一激发态~4E_(13/2)最低能量的两个Stark能级为Γ_8,Γ_6(能量递增)，它们到基态~4I_(15/2)相应晶场Stark能级的允许辐射跃迁为9条谱线。

STUDY of RARE EARTH (Er) AND OXYGEN (O)CO DOPED GaAs (Er,O)BY INFRARED ABSORPTION SPECTRA

用傅里叶变换红外吸收谱和透射谱（fTIr），在77k和300k温度下测量研究用双离子注入法配合优化热退火处理制成的gAASEr，O发光材料的光吸收特性及杂质缺陷行为，观测到该材料中存在3种吸收峰并作了指认，分析了这些吸收峰与材料的离子注入及退火的关系，给出杂质和缺陷对材料gAAS（Er，O）高效发光的可能影响The rare earth (Er) and oxygen (O) co doped GaAs(Er,O) was prepared by double ion implantation associated with optimized thermal annealing,and their absorption properties and behavior of impurities and deFects were measured and studied by Fourier transForm inFrared absorption spectra (FTIR) at 77￣300K.Some useFul results and inFormation were obtained.Three absorption peaks were observed and identiFied For the First time.The relationship between these absorption peaks and implantation and annealing was discussed.The inFluence of impurities and deFects on the eFFicient luminescence of GaAs(Er,O) was analyzed.中国科学院红外物理国家实验室部分资