用偏振差分透射谱技术测量半导体晶体片应力分布

利用偏振差分透射谱测量了2英寸圆形GaAs晶片、自支撑GaN衬底和蓝宝石衬底等的双折射分布,通过弹光效应换算得到了晶片内部残余应力分布.测量得到的应力反映的是晶片各个点的[110]和[110]方向的应变差.实验测量得到的GaAs晶片和自支撑GaN 衬底的[110] 和[110]的应变差最大可以达到10~(-5)数量级.蓝宝石衬底的可以达到10~(-6)数量级.因此TDS可以对透明或者半透明晶片的应力分布实现快速、实时、无损、高灵敏度检测

纳米半导体技术

本书介绍了纳米半导体材料的定义、性质及其在未来信息技术中的地位的同时，主要介绍了纳米半导体材料制备的方法和共性关键技术，几种常用的纳米半导体材料的评价技术和应变自组装半导体量子点(线)的尺寸、密度分布、形貌、组分及结构特性的实验研究，纳米半导体材料的电子结构、光学和电学性质，基于子带跃迁的量子级联激光器的工作原理、特性和它的发展现状及其应用前景分析，最后重点介绍了纳米半导体器件及应用。本书适合于从事或对纳米半导体科学技术有兴趣的科研工作者、教师、研究生、本科生和工程技术人员阅读，有些章节可作为科普读物

室温和350℃下注Mn的GaAs/AlGaAs超晶格的磁学性质

通过室温和350℃注Mn后热退火,在GaAs/AlGaAs超晶格中引入了不同的亚微米磁性颗粒.利用原子力显微镜、能量散射X射线谱、X射线衍射和交变梯度磁强计研究了该颗粒膜材料的结构和磁学性质.通过比较这些颗粒的饱和磁化强度、剩余磁化强度、矫顽力和剩磁比,发现350℃注Mn的样品含有MnGa和MnAs两种磁性颗粒,而室温注Mn的样品主要含有MnAs颗粒

量子阱平面光学各向异性的偏振差分反射谱研究

在室温下用偏振差分反射谱技术观察到了GaAs/AlGs、InGaAs/GaAs和InGaAs/InP三种量子阱材料的平面光学各向异性。我们发现GaAs/AlGaAs量子阱1h→1e跃迁的偏振度与阱宽成反比，与InGaAs/InP量子阱的报道结果类似。Ga原子偏析引起的界面不对称可以很好地解释这种行为。与之相反，InGaAs/GaAs量子阱的光学各向异性倾向于与阱宽成正比，目前还不能很好地解释这种现象

应变异质结构中超薄中间层的应变协调作用

用一个简单模型讨论了应变异质结构中嵌人中间层对界面失配位错产生和应变释放的影响．根据能量最小原理得到了弹性能最小状态下界面失配位错密度，发现当中间层材料的晶格常数比衬底和外延层的都大或者都小并且厚度足够薄时，超薄中间层可以完全吸收支撑衬底和外延层之间的应变而不产生任何界面失配位错，具有所谓无支撑衬底的应变协调作用

偏振差分反射谱(RDS)测试系统

利用RDS测试系统，可以在近垂直入射条件下，测量出样品的反射系数在样品平面内两个互相垂直的方向上的细微差异，即所谓平面内光学各向异性。它对研究半导体材料及其量子阱超晶格等低维结构中的平面内光学各向同性、半导体表面重构和对外延生长过程中的实时监控都具有重要作用。该系统已为研究工作提供了大量数据

基于图形衬底的InAs/GaAs量子点和量子环液滴外延

液滴外延生长半导体材料是一种较为新颖的MBE生长技术,而图形衬底对液滴外延的影响到目前为止并没有非常详细的研究结果.作者在GaAsμm级别图形衬底上进行了InAs的液滴外延生长,并在不同结构的图形衬底上得到了不同的InAs量子点和量子环生长结果.基于生长结果,分析了图形衬底对液滴外延的影响和液滴外延下量子点和量子环的形成机制以及分布规律