ECR Plasma CVD淀积介质膜折射率的神经网络模拟

用人工神经网络方法对电子回旋共振等离子法化学气相沉积(ECR Plasma CVD)镀膜工艺建立了一个介质膜折射率n关于气流配比Q(N_2)/Q(SiH_4)和Q(Q_2)/Q(SiH_4)的数学模型。在给定气流配比Q(N_2)/Q(SiH_4)和Q(O_2)/Q(SiH_4)时模型预测的成膜折射率与实验值符合得很好

反应离子刻蚀工艺仿真模型的研究

以SF_6/N_2混合气体对Si反应离子刻蚀工艺研究为例提出干法刻蚀计算机工艺模拟的方

集成光开关发展现状及关键技术(特邀)

随着网络传输数据流量的爆炸性增长,传统电交换由于其有限的带宽和高功耗将很难满足网络带宽发展需求。光交换能直接在光域上完成光信道间信息的交换,具有高速、宽带、透明、低功耗以及潜在的低成本等诸多优点,能满足下一代全光交换网络、数据中心和高性能计算机光互连网络建设的迫切需求。文章介绍了集成光开关的发展现状及核心技术,包括采用氧化硅、III-V族半导体材料和硅材料来制作光开关的进展以及各种技术的特点。其中硅基集成光开关具有结构紧凑、功耗小、成本低以及与互补型金属-氧化物-半导体（CMOS）工艺兼容的优势,适合大规模光开关制作和量产,具有潜在的巨大市场商用价值。文章重点介绍了实现硅基光开关的核心单元器件以及几种代表性光开关阵列,并对光开关状态监控和调节以及光电封装做了阐述

GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究

采用BCl_3和Ar作为刻蚀气体对GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究，通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制。实验结果表