GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究

Abstract

采用BCl_3和Ar作为刻蚀气体对GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制。实验结果表

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