PCVD法用的微波等离子体重入式谐振腔的设计

本文在Hansen和Raptis等人研究的基础上,提出了适用于PCVD法的重入式等离子体谐振腔的工程设计法。用这种方法研制的腔体已制备出低衰耗光纤

PCVD法单模光纤研制成功

<正> 1985年11月底,邮电部武汉邮电科学研究院光纤光缆研究室第二研究室,采用PCVD法（微波等离子体激活化学气相沉积法）研制单模光纤获得成功。单模光纤折射率分布为下陷包层阶跃型。包层掺F,沉积约1300层。芯层掺F和Ge,沉积约20层。在1.30μm波长衰耗≤1dB/km。截止波长在1.22—1.28μm波长范围。外径12

PCVD法的发展现状和前景

本文综述光纤制造工艺中的PCVD法的原理、发展过程和现状。其中主要叙述荷兰Philips公司发展的微波低压PCVD法。并对其前景作出肯定的评价。对其它的等离子体工艺也作一简介

PCVD法制备低损耗单模光纤

<正> 武汉邮电科学研究院在PCVD光纤熔炼系统的研制中取得了阶段性成果,制备出了低损耗单模光纤。研制的PCVD系统由熔炼车床、微波系统、流量柜、控制部分和真空部分等组成。微波源采用2 450MHz的连续波磁控管,最大功率为1.5kW,且连续可调。采用的原料为SiCl4、GeCl4、F-12和O2,其纯度与MCVD法时相同。石英管直径为20×2mm。一根预制棒可拉3 km左右光纤

用PCVD法制备掺F低OH根多模梯度光纤的研究

本文叙述在PCVD法中首次应用CCl2F2作氟源,制备低OH-低损耗多模梯度光纤的研究结果。在连续制备的42km光纤中最低衰减系数已达到2.3dB/km（0.85μm）,0.41dB/km（1.3μm）和0.21dB/km（1.55μm）,在1.39μm处OH根附加衰减系数最低已接近1dB/km