Time-resolved PL Spectra Study of Ordered Ga_(0.52)In_(0.48)P Alloys

【中文摘要】 在室温和低温液氮下 ,研究了有序和无序 Ga0 .52 In0 .4 8P的时间分辨发光谱。对实验结果的拟合表明 ,有序 Ga0 .52 In0 .4 8P的发光呈双指数规律衰退。其中快过程对应着有序区域上载流子的复合 ,慢过程则对应着有序区域和无序区域的空间分离中心上载流子的复合。无序 Ga0 .52 In0 .4 8P的发光在室温下呈单指数规律衰退。同时从低温下的时间分辨发光谱还可以看出有序样品的发光峰随着延迟时间的变长而蓝移 ,说明低温下在有序 Ga0 .52In0 .4 8P中存在着载流子从无序区域到有序区域的转移 【英文摘要】 The time resolved photoluminescence(TRPL) spectra of ordered and disordered Ga 0.52 In 0.48 P alloys grown by MOVPE were investigated.The least square fitting of the luminescence decay spectra of ordered alloys shows that there exist two exponential processes:The short lifetime process was corresponding to the high energy peak in PL spectra which is attributed to the recombination of the carriers in the ordered domains and the long lifetime process was corresponding to the low energy peak in the P...国家自然科学基金 (编号:69776011); 福建省自然科学基金 (编号:A9910004和 A0110007

基于NLS方程的光通信设备参数估算理论分析

提出并验证了一种基于NLS（非线性薛定谔）方程的光通信设备参数理论估算分析方法。该方法以脉宽大于5ps的光脉冲为例作方程推导分析,分别得到非线性功率与色散脉宽两个创新参量。在WDM（波分复用）+TDM（时分复用）-PON（无源光网络）系统中进行带参模拟仿真,支持上行/下行为160/170Gbit/s的总带宽,最终得到最佳输出功率值,其对应理论误码率可达到10-50。仿真结果验证了理论估算分析方法的可行性,对设备参数设置有较大的参考价值

激光诱导击穿光谱分析仪和方法

本发明涉及一种便携式激光诱导击穿光谱分析仪和方法。该分析仪包括固态激光器、光路单元和数据处理单元，其中，所述光路单元包括二向色镜、第一聚焦透镜、第二聚焦透镜、光纤、多通道光谱仪。所述固态激光器发出的激光依次通过所述二向色镜、第一聚焦透镜投射在样品上；该样品发出的辐射信号依次通过所述第一聚焦透镜、二向色镜、第二聚焦透镜进入所述分光光纤的进入端，从所述多个光纤分支进入所述多通道光谱仪中；所述数据处理单元包括与所述光谱仪连接的数据采集器和与所述数据采集器连接的处理器。本发明通过激光诱导样品产生辐射信号，经光路单元和数据处理单元收集辐射信号、分析后，得出样品的元素组成和浓度

激光诱导击穿光谱分析仪

本实用新型涉及一种便携式激光诱导击穿光谱分析仪。该分析仪包括固态激光器、光路单元和数据处理单元，其中，所述光路单元包括二向色镜、第一聚焦透镜、第二聚焦透镜、光纤、多通道光谱仪。所述固态激光器发出的激光依次通过所述二向色镜、第一聚焦透镜投射在样品上；该样品发出的辐射信号依次通过所述第一聚焦透镜、二向色镜、第二聚焦透镜进入所述分光光纤的进入端，从所述多个光纤分支进入所述多通道光谱仪中；所述数据处理单元包括与所述光谱仪连接的数据采集器和与所述数据采集器连接的处理器。本实用新型通过激光诱导样品产生辐射信号，经光路单元和数据处理单元收集辐射信号、分析后，得出样品的元素组成和浓度

Luminescence Decay of Partially Ordered (Al_xGa_(1-x))_(0.51)In_(0.49)P(x=0.29) Alloy

【中文摘要】 利用时间分辨光谱研究了 (AlxGa1-x) 0 51In0 4 9P合金的时间衰退过程 ,观察到载流子的转移过程和PL谱峰蓝移现象。这和变温发光谱中谱峰的Z 型依赖关系相吻合。这种现象明显表明了载流子的转移过程和子带的存在 ,证实了我们对超晶格带折叠效应的猜测。子带是由于有序结构的超晶格效应使导带的L带折叠到Γ带 ,载流子在时间衰退过程中从Γ带转移到L带。时间分辨光谱的蓝移现象同时也揭示了PL变温谱中谱峰反常蓝移现象的来源 【英文摘要】 In this paper, time-resolved photoluminescence(TRPL) was applied to study the optical properties of partially ordered quaternary (Al xGa 1-x) 0.51In 0.49P(x=0.29) alloy grown by MOVPE, the process of the transfer of carriers and the blue-shift of PL peak in (Al xGa 1-x) 0.51In 0.49P(x=0.29) alloy are directly observed.Both excitation-wavelength dependence of lifetime and excitation-intensity dependence of lifetime show wide distribution of carriers along bands.In TRPL spectra measured ...福建省自然科学基资助项目 (A0110007;A9910004

Time-resolved photoluminescence spectra study of ordered Ga_(0.52)In_(0.48)P alloys

【中文摘要】 在室温和低温下 ,测试了有序Ga0 .52 In0 .4 8P的时间分辨光致发光谱 .对实验结果的分析表明 ,有序GaInP的发光呈双指数规律衰退 .室温下 ,快过程的时间常数在 12 8～ 2 5 0ps范围 ,低温 77K下则都有所变慢 ,大约在 186～ 5 64ps范围内 ;慢过程的时间常数根据不同样品有很大差异 ,室温下大约在 3 0 8～ 183 2ps之间变化 ,低温 77K下 ,则在纳秒量级 ,最长的甚至达到 2 8ns以上 .对两个过程的时间常数随激发功率密度变化的研究表明 ,快过程对应于有序区域中载流子的复合 ,慢过程则对应于有序区域和无序区域的空间分离中心上的载流子的复合 .低温下的时间分辨谱表明 ,发光峰随着延迟时间的变长而蓝移 【英文摘要】 The time resolved photoluminescence (TRPL) spectra of ordered Ga 0.5 In 0.5 P alloys grown by metalorganic vapor phase epitaxy were investigated. The least\|square fitting of the luminescence decay spectra shows that there exist two exponential processes: for the quick process the lifetime τ 1 is about 128 ps—250 ps and 186 ps—546 ps at room temperature and 77 K, respectively; and for the slow process the lifetime τ 2 is, about 308 ps—1832 ps, at room temperature and at 77 K, as long as n...国家自然科学基金 (项目编号 :69776011);福建省自然科学基金资助的

Luminescence Decay on the Nominally Disordered GaInP Alloy

【中文摘要】 报道了名义上无序GaxIn1 xP(x =0 .5 2 )合金的发光瞬态过程 ,对样品在 77K和 30 0K下不同激发强度的时间衰退过程和时间分辨光谱的分析表明 ,这块名义上无序的合金也存在很微弱的有序度 .在 77K的高激发强度下 ,衰退过程符合单指数衰退规律 ,在低激发强度下 ,符合双指数衰退规律 ;而在 30 0K下 ,衰退过程都符合双指数衰退规律 .在 77K下的时间分辨光谱里观察到了PL谱峰的蓝移现象和载流子的转移过程 【英文摘要】 Luminescence decay and Time-Resolved Photoluminescence(TRPL) spectroscopy were applied to study the transient luminescence process of the nominally disordered GaInP alloy in this paper. The luminescence decay of GaInP alloy is temperature and excitation-intensity dependent. At 77 K and under high excitation intensity, the luminescence decay shows single exponential decay, while under low excitation intensity of 77 K or at 300 K, the luminescence decay shows double exponential decay. The analysis indicates t...福建省自然科学基金 (A9910004,A0110007)资助项