掺铂WO3—SiO2复合薄膜结构表征和气致变色性能研究

采用溶胶－凝胶法制备WO3－SiO2复合薄膜，对不同温度热处理的复合薄膜及单一组分薄膜的结构和气致变色性能进行了对比分析。XRD分析结果表明，复合薄膜的晶化温度提高、晶化程度降低，存在一定的晶格畸变；IR分析结果表明，在热处理过程中复合薄膜氧化钨分子间不易缩合，分子结构对称性低、变形多。性能测试结果表明，在复合薄膜中，WO3与SiO2之间的相界等结构缺陷为氢气提供扩散通道，使复合薄膜在热处理后气致变色性能优于单一组分薄膜

wo3sio2复合薄膜气致变色性能的研究

在室温下用溶胶-凝胶（sol-gel）法制备了WO3-SiO2复合薄膜，通过改变氢气体积分数、催化剂浓度及热处理温度等实验因素，对薄膜的气致变色性能进行了测试，实验结果表明，将铂以K2PtCl4形式掺入WO3-SiO2混合溶胶中进行提拉成膜，经适当的热处理后可以获得性能稳定且具有良好气致变色性能的优质薄膜

二氧化钛纳米染料敏化电池研究动态

本文对二氧化钛染料敏化太阳电池的工作原理、性能特点及工艺作了详细评述。着重对国内外染料电池的最新研究成果、研究趋势进行了剖析，特别是对电池工艺的技术特点、主要优势作了深入的探讨。并就染料电池尚存在的问题及进一步发展态势提出一定的看法

掺铂WO_3-SiO_2复合薄膜结构表征和气致变色性能研究

采用溶胶－凝胶法制备WO3－SiO2复合薄膜，对不同温度热处理的复合薄膜及单一组分薄膜的结构和气致变色性能进行了对比分析。XRD分析结果表明，复合薄膜的晶化温度提高、晶化程度降低，存在一定的晶格畸变；IR分析结果表明，在热处理过程中复合薄膜氧化钨分子间不易缩合，分子结构对称性低、变形多。性能测试结果表明，在复合薄膜中，WO3与SiO2之间的相界等结构缺陷为氢气提供扩散通道，使复合薄膜在热处理后气致变色性能优于单一组分薄膜

多晶硅薄膜太阳电池的研究与进展

从薄膜的沉积方式和沉积温度以及衬底材料等几方面综合分析了多晶硅薄膜制备工艺的特点及多晶硅薄膜太阳电池的最新研究进展。并以颗粒硅带(SSP)为衬底，采用快热化学气相沉积(RTCVD)法制备了多晶硅薄膜，随后制得的多晶硅薄膜太阳电池的效率达到6．05％

用区熔技术改善多晶硅薄膜颗粒硅带衬底的质量

以颗粒硅带为衬底，通过化学气相沉积法制备多晶硅薄膜作为太阳电池的活性层．为了改善硅带衬底的质量，引入区熔再结晶的方法，期望将其表面平整度及结晶质量进一步提高，进而改善以其为衬底的多晶硅薄膜质量．借助台阶仪、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段对颗粒硅带及多晶硅薄膜进行了表面轮廓、结晶质量和微观形貌的表征．结果表明：区熔后的颗粒硅带表面平整度得到了较好的改善；表面具有311择优方向的硅带区熔后都倾向111择优；在区熔硅带衬底上沉积的多晶硅薄膜晶粒尺寸在100μm以上，但暂无明显证据证明区熔对薄膜结晶质量有显著提高