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通过测量SI-GaAs抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层)的X射线回摆曲线FWHM,与抛光晶片的TEM观测相结合，作出晶片回摆曲线FWHM的比率R与TEM观测的晶征亚表面损伤层厚度D的关系曲线，建立了一种定量检测SI-GaAa抛光晶片的片表面损伤层厚度技术，文中将对这种技术进行描述并作讨论