双面键合长波长垂直腔面发射激光器的制备与分析

研制了双面键合长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL),有效克服了传统外延生长方法存在的诸多难题.通过对布拉格反射镜,有源区和光学腔的设计,结合键合技术进行工艺设计,于国内首次研制出双面键合长波长VCSEL,并分别采用光泵浦和电泵浦对其进行了测试与分析.测试结果表明结构及工艺设计是合理的,两次键合后的界面可以承受腐蚀,剥离,氧化等后工艺,且键合界面光,电性能良好,未对激光器性质造成明显的不良影响.器件激射波长约为1 273.6 nm,脉冲条件下表现出动态单纵模特性,在仪器测试范围内,20μm尺寸的器件常温连续工作条件下的最大输出功率为0.16 mW.但P-I曲线的扭折说明器件仍旧存在着较大的热,电阻,需在后续的材料生长及键合技术中进一步优

一种基于光子晶体空气桥结构的慢光波导结构

本发明公开了一种基于光子晶体空气桥结构的慢光波导结构，该慢光波导结构采用线缺陷光子晶体结构，包括纵向结构及横向结构，纵向结构为空气桥多层结构，从顶层到底层依次为空气层/半导体材料层/空气层/衬底材料层，横向结构采用三角晶格结构，周期为P，半径为R，通过去掉一行孔形成波导。本发明通过变化线缺陷临近孔的大小，实现高达50纳米的慢光工作区，中心波长可以通过波导宽度来调节，在上百纳米的工作波长要求范围内只需要两种孔径的小孔就可实现，可降低满足某一工艺条件的器件参数调整要求。利用本发明提供的基于光子晶体空气桥结构的慢光波导结构的慢光光子晶体波导，其带宽可覆盖光纤通信C波段，高达50nm

单面键合面发射激光器的研制与分析

键合长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)的研制对于光通信的发展具有重要意义,可以有效克服传统外延生长方法的诸多难題.文章通过对布喇格反射镜、有源区和光学腔的设计,结合键合技术进行工艺设计,研制出单面键合长波长垂直腔面发射激光器,并对器件进行了光泵浦测试与分析.器件的光泵激射证明结构及工艺设计是合理的,键合后的界面可以承受腐蚀、剥离、氧化等后续工艺,且键合界面未对器件光学性能造成明显不良影响

一种制备铌酸锂表面图形的方法

 本发明公开了一种制备铌酸锂表面图形的方法,该方法包括：在铌酸锂衬底表面制作掩膜图形；采用氟基等离子对铌酸锂衬底进行干法刻蚀,以刻蚀铌酸锂；采用氧等离子对铌酸锂衬底进行刻蚀,以刻蚀在铌酸锂表面形成的氟化锂；重复上述采用氟基等离子及氧等离子的刻蚀步骤,直至完成铌酸锂表面图形的制备。利用本发明,解决了氟基等离子刻蚀铌酸锂时表面再沉积氟化锂的问题,达到制备大深度、底面光滑铌酸锂表面图形的目的。本方法简单易用,可以用于铌酸锂的刻蚀,获得大深度、底面光滑的铌酸锂表面图形

一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法

 本发明公开了一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法,包括：清洗单面抛光的InGaAs外延片,去除表面的有机物；在清洗干净的InGaAs外延片上蒸镀金属层；对该InGaAs外延片进行光刻腐蚀,得到带窄金属条的InGaAs外延片；采用等离子体刻蚀去除InGaAs外延片表面的光刻胶；清洗GaAs外延片,去除表面的有机物；将清洗干净的GaAs外延片与经过等离子体刻蚀的InGaAs外延片进行贴合,得到贴合后的晶片；将该贴合后的晶片对置于真空键合机内进行键合,并进行热处理,以驱除键合界面的水汽；对键合后的晶片进行减薄,并腐蚀掉键合的晶片的GaAs衬底。利用本发明,实现了InGaAs与GaAs的低温金属键合