钝化接触太阳能电池

本发明提供的一种钝化接触太阳能电池，包括依次层叠的基底层、钝化隧穿层以及载流子选择层，其中，所述载流子选择层包括高功函数金属层或低功函数金属层，所述高功函数金属层的金属功函数大于等于5eV，所述低功函数金属层的金属功函数小于等于4eV。上述载流子选择钝化接触太阳能电池，叠层金属层由金属材料制备，结构简单；其中的载流子选择层金属材料调控功函数方式简单，制备高功函数层或低功函数层工艺简单，无需如制备磷掺杂、氮掺杂或硼掺杂的硅合金时需要的高温长时间处理过程，降低了工艺复杂度，扩宽了工艺窗口，有利于避免了制备硅合金所需的高温处理工艺以及由高温处理工艺引起的副作用

一种面心立方相硅晶体薄膜的制备方法

本发明公开了一种面心立方相硅晶体薄膜的制备方法，步骤为：以Si和Al为靶材进行共溅射，溅射压力为0.1～20Pa，铝靶的溅射功率为30～200W，硅靶的溅射功率为80～300W，在衬底表面沉积得到AlxSi1-x混合薄膜，其中，0.05<x<0.8；再将得到的AlxSi1-x混合薄膜经退火处理后得到所述的面心立方相硅晶体薄膜。本发明提供了一种面心立方相硅晶体薄膜的制备方法，在常压下即可制备得到，薄膜中含有显著的面心立方相硅晶体，薄膜厚度可以达到500nm以上，达到器件应用级水平的要求

硅纳米晶的制备及其在太阳电池中的应用研究

硅纳米晶由于量子限域效应的作用而产生了多种不同于体硅材料的新特性,如荧光效应显著、光学带隙可调等,因而在微电子、光伏、生物医学等领域受到极大的重视。本文介绍了分立的硅纳米晶颗粒和硅纳米晶薄膜的制备方法,并对比了不同方法制备硅纳米晶体的优缺点。着重介绍了硅纳米晶体在太阳电池中应用的几种方式,包括利用纯硅纳米晶薄膜制备太阳电池、硅纳米晶体与有机薄膜基质结合形成复合结构太阳电池、含有硅纳米晶颗粒的硅墨水在太阳电池中的应用等

一种钝化接触太阳能电池的制备方法及其产品

本发明本提供了一种钝化接触太阳能电池的制备方法及其产品，通过在钝化隧穿层远离所述基底层的一侧依次沉积缓冲层和功能层，所述缓冲层和功能层均为金属，缓冲层金属的活泼性小于功能层金属的活泼性，然后在惰性气体下进行退火处理形成载流子收集层，退火温度控制在[Tc‑150℃，Tc+50℃]，所述Tc为缓冲层金属和功能层金属的共熔点，能够解决现有钝化接触太阳能电池的功能金属层不均匀、粘附力弱的问题

一种湿法制备圆角化金字塔的方法

本发明涉及一种湿法制备圆角化金字塔的方法。具体地，所述方法包括如下步骤：1)提供圆角化处理液和具有金字塔结构的硅片；2)在所述圆角化处理液中湿法处理所述具有金字塔结构的硅片，得到具有圆角化金字塔结构的硅片，其中，所述圆角化处理液包含如下组分：氢氟酸(HF)、硝酸(HNO3)和醋酸(CH3COOH)，其中，氢氟酸、硝酸和醋酸的体积比为1‑7：35‑100：15‑120，醋酸在所述圆角化处理液中的体积含量为7‑77％。所述方法可有效圆角化金字塔，并降低所得产物的缺陷态

太阳能电池氧化硅层的制备方法及太阳能电池

本发明提供一种氧化硅层的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：将硅片置于混合酸液中进行氧化处理，所述混合酸液为硝酸、硫酸混合液；其中，所述硝酸、硫酸混合液由68％的浓硝酸、98％的浓硝酸按体积比1:1～10:1混合而成。上述氧化硅层的制备方法，1)可以实现对硅表面更加高效的氧化效果，氧化硅层的硅被氧化的更加彻底，高价态的硅比例升高；2)制备温度低，可以在低至20℃的条件下制备出厚度大于1.4nm的氧化硅层，满足制备太阳能电池的需要；3)处理时间缩短，例如可以在2～4min制备出厚度大于1.4nm的氧化硅层；4)氧化层厚度合适，制备的氧化硅层可以控制在1.0～3.0nm，氧化硅层厚度可以完全覆盖器件所需的厚度要求

一种隧穿硅氧氮层钝化接触太阳能电池及其制备方法

本发明提供的太阳能电池包括硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层位于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其中所述钝化隧穿层为氧化硅-氮氧化硅梯度叠层、氮氧化硅-氮化硅梯度叠层、氧化硅-氮氧化硅-氮化硅梯度叠层中的一种；所述氮氧化硅为掺杂氮的氧化硅或掺杂氧的氮化硅；所述氧化硅-氮氧化硅梯度叠层、氮氧化硅-氮化硅梯度叠层、氧化硅-氮氧化硅-氮化硅梯度叠层的氮浓度从远离硅片侧向硅片侧梯度降低。由于氮化硅和氮氧化硅的隧穿势垒较低，本发明钝化隧穿层可以在保证隧穿效率的前提下适当放宽钝化隧穿层的厚度，从而有利于减少钝化隧穿层孔洞，降低漏电流的发生和复合速度，拓宽工艺窗口和提高工艺稳定性

一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池及其制备方法

本发明是有关一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池，其中，所述太阳能电池包括硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层介于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其中所述掺杂薄膜硅层掺杂的掺杂浓度是不均匀的，所述掺杂薄膜硅层邻近钝化隧穿层一侧的掺杂浓度小于远离钝化隧穿层一侧的掺杂浓度。本发明由于掺杂薄膜层的掺杂浓度是不均匀的，所述掺杂薄膜硅层邻近钝化隧穿层一侧的掺杂浓度小于远离钝化隧穿层一侧的掺杂浓度。相对于均匀掺杂的掺杂薄膜硅层，降低了掺杂薄膜硅层整体的掺杂浓度，从而有助于减少薄膜中的俄歇复合速率，避免产生磷化硅沉淀，增长少数载流子的寿命，进而增大太阳能电池的转换效率

电荷选择性接触设计及非掺杂异质结晶硅太阳电池

光伏科学界和工业界致力于简化器件结构和制造工艺的研发,以期通过技术创新带动生产成本的快速下降。与传统高温扩散掺杂技术相比,采用Mo O_x、PEDOT:PSS等高功函数空穴选择性传输层,及Ti O_x、Li F、Mg O_x、低功函数金属等电子选择性传输层,与晶硅基底通过界面能带匹配构建的异质结电池结构,具有低温制备、非掺杂、结构简单、接触钝化等潜在优势,受到广泛的重视。本报告将详细考察PEDOT:PSS/c-Si、Mo O_x/c-Si、c-Si/Ti O_x、c-Si/Mg O_x等接触结构的接触电阻大小和界面钝化质量,探讨高质量非掺杂异质结的设计原则。报告将汇报课题组在异质界面能带调控和隧穿钝化方面的研究进展~([1-7]),特别是从功能材料的选择和改性、隧穿钝化/功函数调控的组合设计等方面优化电荷选择性传输比,以及实现简易制程(溶液法或蒸镀法)的尝试。目前已验证出多组理论效率>25%的空穴/电子选择性传输异质结,并从实验上采用溶液法制备出效率分别达16.7%和18.1%的双面(HJT)及全背接触型异质结(HJT-IBC)太阳电池,展示出通过绿色低成本方法实现高效光伏应用的较大潜力