太阳能电池氧化硅层的制备方法及太阳能电池

Abstract

本发明提供一种氧化硅层的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：将硅片置于混合酸液中进行氧化处理，所述混合酸液为硝酸、硫酸混合液；其中，所述硝酸、硫酸混合液由68％的浓硝酸、98％的浓硝酸按体积比1:1～10:1混合而成。上述氧化硅层的制备方法，1)可以实现对硅表面更加高效的氧化效果，氧化硅层的硅被氧化的更加彻底，高价态的硅比例升高；2)制备温度低，可以在低至20℃的条件下制备出厚度大于1.4nm的氧化硅层，满足制备太阳能电池的需要；3)处理时间缩短，例如可以在2～4min制备出厚度大于1.4nm的氧化硅层；4)氧化层厚度合适，制备的氧化硅层可以控制在1.0～3.0nm，氧化硅层厚度可以完全覆盖器件所需的厚度要求