通过腔面镀膜来提高量子点激光器温度特性的方法

一种通过腔面镀膜提高量子点激光器温度稳定性的方法，包括如下步骤：步骤1：取一条解理后的量子点激光器芯片；步骤2：通过在所述量子点激光器芯片的非出光端面上交替沉积光学厚度为λ/4的高低折射率材料，得到具有高反射率的薄膜系统，其中，λ为膜系的中心波长；步骤3：所述量子点激光器的腔面高反射膜系的中心波长与所述量子点激光器的基态激射波长不重合，基态激射波长在反射带宽内，而激发态的激射波长落在反射带宽之外，使得所述量子点激光器的基态反射率高，而激发态的反射率低

p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究

对p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益进行了实验和理论分析.实验上,测量了不同腔长激光器阈值电流密度与总损耗的对应关系,拟合出的最大模式增益为17.5 cm~(-1),与相同结构非掺杂量子点激光器的最大模式增益一致.同时理论分析表明,p型掺杂对InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益并无影响,并且最大模式增益的计算结果与实验值相符.具有较小高度或高宽比的量子点能达到更高的最大模式增益,而较高的最大模式增益对p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs自组织量子点激光器在光通信系统中的应用具有重要意义

780nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs高功率半导体激光器

采用MOCVD生长了InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料系分别限制异质结构(SCH) 的高功率半导体激光器.对于厚度为10nm 的单量子阱,通过计算量子阱增益谱优化了器件的激射波长. 在室温下外延材料的荧光峰值波长为764nm,由于In原子的记忆效应(In carry-over effect)和As/P的替换作用使材料的InGaP/AlGaAs界面不陡峭,通过在InGaP/AlGaAs间长一层5nm的GaAsP大大改善了界面质量. 器件的阈值电流从界面改善前的560mA 减小到改善后的450mA, 斜率效率也从0.61W/A提高到了0.7W/A, 特别是单面最大输出功率已经从370mW 增加到了940mW,发生灾变性光学损伤时的工作电流已经由原来的1100mA 上升为1820mA

数值分析渐变DBR对垂直腔面发射激光器谐振腔模的影响

通过数值分析研究了含线性渐变层的Al_(0.9)Ga_(0.1)As/Al_yGa_(1-y)As/GaAs/Al_xGa_(1-x)As DBR的光学特性及其对VCSEL谐振腔光学特性的影响,建立了渐变型DBR渐变层厚度与折射率的关系,通过特征矩阵法计算了突变GaAs/Al_(0.9)Ga_(0.1)As DBR和渐变型DBR的反射谱和反射相移,分析了渐变层对DBR反射率和反射相移的影响.对渐变型DBR,要使VCSEL谐振腔满足中心波长相位匹配条件,还需要在DBR靠近谐振腔一侧的最前面增加一定厚度的渐变层,称为相位匹配层.通过计算,我们得到了使VCSEL谐振腔满足相位匹配条件时均匀层和相位匹配层的厚度

InP基MOEMS可调谐器件的梁变形模拟

InP基微光机电系统（MOEMS）可调谐器件的梁在实验中常出现弯曲变形的现象，其原因是在生长的时候，As原子进入InP梁，产生了内部梯度应力．使用有限元分析软件，建立了一种无须测量内部应力的模拟梁变形的方法．模拟了单臂梁和双臂梁的弯曲变形情况，理论与实验吻合．研究了As原子浓度和梁厚度对梁变形情况的影响，结果表明降低As原子浓度和增大梁厚度都有助于抑制梁的变形