半导体低维结构的压力光谱研究

研究了一些半导体低维结构的压力光谱.测得平均直径为26、52和62nm的In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As量子点发光峰的压力系数分别为82、94和98 meV/GPa.表明这些发光峰具有Γ谷的特性,这些量子点为Ⅰ型量子点.而平均直径为7nm的量子点发光峰的压力系数为-17 meV/GPa,具有X谷的特性.所以这种小量子点为Ⅱ型量子点.测得ZnS:Mn纳米粒子中Mn发光峰的压力系数为-34.6meV/GPa,与晶体场理论的预计一致.而DA对发光峰基本不随压力变化,表明它应该与ZnS基体中的表面缺陷有关.测得ZnS:Cu纳米粒子中Cu的发光峰的压力系数为63.2meV/GPa,与ZnS体材料的带隙压力系数相同.表明Cu引入的受主能级具有浅受主的某些特点.测得ZnS:Eu纳米粒子中Eu发光峰的压力系数为24.1meV/GPa,与晶体场理论的预计不同.可能和Eu的激发态与ZnS导带间的相互作用有关

AnSeTe/ZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究

测量了ZnSe_(0.92)Te_(0.08)/ZnSe超晶格量子阱材料在77K时0～7.8GPa静压下的光致发光谱。观察到AnSe_(0.92)Te_(0.08)阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光，发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约50%，表明Te等电子陷阱对激子的束缚势是相当局域的。还观察到了激子在ZnSe_(0.92)Te_(0.08)阱层中的Te等电子陷阱能级与相邻（CdSe）_1/(ZnSe)_3短周期超晶格之间的转移现象

静压下ZnS∶Te中Te等电子陷阱的发光

研究了4块ZnS∶Te薄膜样品(Te组分从0.5%到3.1%)的光致发光谱在常压下的温度特性.对于Te组分较小的2块样品观察到2个发光峰,分别来自Te1和Te2等电子陷阱;而对Te组分较大的2块样品则只观察到1个来自Te2等电子陷阱的发光.我们还研究了这些发光峰在低温15K下的流体静压压力行为.观察到与Te1有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多,而与Te2有关的发光峰压力系数则比带边小.根据Koster-Slater模型,价带态密度半宽随压力的增加是Te1中心有较大压力系数的主要原因,而Te1和Te2中心的不同压力行为则是由于压力对两者缺陷势增强的不同效果引起的

大尺寸InAs/GaAs量子点的静压光谱

在低温15K和0～9GPa范围内对厚度为7.3nm、横向尺寸为78nm的自组织InAs/GaAs量子点进行了压力光谱研究.观测到大量子点的基态与第一激发态发光峰,其压力系数只有69和72meV/GPa,比小量子点的压力系数更小.基于非线性弹性理论的分析表明失配应变与弹性系数随压力的变化是大量子点压力系数小的主要原因之一.压力实验结果还表明大量子点的第一激发态发光峰来源于电子的第一激发态到空穴的第一激发态的跃迁

纳米碳管模板法制取的GaP纳米棒拉曼光谱研究

报道了用纳米碳管模板法制备的GaP纳米棒的拉曼光谱特征，观测到声子限制效应引起的GaP纳米棒TO和LO模的红移，红移量一般在2－10cm^-1之间，与所测到的纳米棒的尺寸有关，在偏振特性研究中，发现GaP纳米棒的偏振特性不能用单根纳米棒的选择定则来解释，而与测量光斑内多根纳米棒的无序取向有关，无序程度越高，偏振特性的方向性越弱，当激发光功率增加时，GaP纳米棒的TO和LO模的频率显著减少，表明纳米棒中的激光加热效应比体材料中强很多，而且GaP纳米棒的拉曼散射强度随激发光功率的增加先饱和，然后减小，表明在强激发功率下GaP纳米棒中的缺陷会迅速增加

GaNAs/GaAs量子阱的静压光致发光研究

在15K和0-9GPa静压范围下测量了GaN0.015As0.985/GaAs量子阱的光致发光谱。观察到了GaNAs阱和GaAs垒的发光，发现GaNAs阱发光峰随压力的变化比GaAs垒发光峰要小很多。当压力超过2.5GPa后还观察到了与GaAs中的N等电子陷阱有关的一组新发光峰。用二能级模型及测得的GaAs带边和N等电子能级的压力行为计算了GaNAs发光峰随压力的变化，但计算结果与实验结果相差甚大，表明二能级模型并不安全适用。对观察到的GaNAs发光峰的强度和半宽随压力的变化也进行了简短讨论

ZnS1-xTex混晶的压力光谱

研究了ZnS1-xTex(0.02≤x≤0.3)混晶的静压光致发光谱。每块样品都观察到一个峰值比相应混晶带隙低很多的发光峰，来源于束缚在Ten(n≥2）等电子陷陆上的激子复合发光，且随压力（0．7GPa）而蓝移、发光峰的压力系数比相应混晶带边的都要小，随着Te组分的增加而减小，与混晶带隙压力系数的差别也越来越大。由于压力下与发光峰对应的吸引能量逐渐接近并超过激发光的能量，与发光峰有关的吸收效率降低，发光峰积分强度随着压力增加而减小。据此估算了Ten等电子中心的Stokes位移。发现Stokes位移随着Te组分的增加而减小