多晶黑硅制绒处理液、应用其进行多晶硅片制绒的方法以及多晶黑硅制绒品

本发明提供一种多晶黑硅制绒处理液，其包括氢氟酸溶液、过氧化氢溶液和金属盐，其中所述氢氟酸溶液与过氧化氢溶液的体积比为1～25:5～40，所述氢氟酸溶液中氢氟酸的质量分数为40％～50％，所述过氧化氢溶液中过氧化氢的质量分数为20％～55％，所述金属盐为硝酸铜、硝酸银、硝酸钯、氯化铜、氯金酸、氯铂酸、铬酸钾、硫酸镍中的至少一种，所述金属盐的摩尔浓度为1μmol-L～105μmol-L。本发明还提供一种应用多晶黑硅制绒处理液进行多晶硅片制绒的方法以及多晶黑硅制绒品

基于金刚线切割的硅片的制绒预处理方法及硅片制绒方法

本发明提供一种基于金刚线切割的硅片的制绒预处理方法，其包括如下步骤：a将氢氟酸溶液、过氧化氢溶液、金属盐和水混合得到预处理液；b将金刚线切割的硅片置于所述预处理液中进行预处理A，直到基本去除硅片上的切割纹；c用酸性溶液对经过预处理A处理的硅片进行清洗，以去除硅片上的金属颗粒；d将用酸性溶液清洗过的硅片置于预处理液中进行预处理B，在所述硅片上形成具均匀微纳结构的预处理绒面。本发明还提供一种基于金刚线切割的硅片的制绒方法

基于金刚线切割的硅片的制绒方法、硅片制绒品及硅片制绒预处理液

本发明提供一种基于金刚线切割的硅片的制绒方法，其包括如下步骤：a将氢氟酸溶液、过氧化氢溶液、金属盐和添加剂混合得到预处理液，所述添加剂为异丙醇、乙醇、正丁醇、异丁醇、乙二醇、正丙醇、乙二醇乙醚、二乙二醇中的至少一种；b将金刚线切割的硅片置于所述预处理液中进行预处理；c将经过预处理的硅片置于氢氟酸硝酸制绒液中进行制绒处理。本发明还提供一种基于金刚线切割的硅片制绒品以及硅片制绒预处理液

钝化接触太阳能电池

本发明提供的一种钝化接触太阳能电池，包括依次层叠的基底层、钝化隧穿层以及载流子选择层，其中，所述载流子选择层包括高功函数金属层或低功函数金属层，所述高功函数金属层的金属功函数大于等于5eV，所述低功函数金属层的金属功函数小于等于4eV。上述载流子选择钝化接触太阳能电池，叠层金属层由金属材料制备，结构简单；其中的载流子选择层金属材料调控功函数方式简单，制备高功函数层或低功函数层工艺简单，无需如制备磷掺杂、氮掺杂或硼掺杂的硅合金时需要的高温长时间处理过程，降低了工艺复杂度，扩宽了工艺窗口，有利于避免了制备硅合金所需的高温处理工艺以及由高温处理工艺引起的副作用

一种钝化接触太阳能电池的制备方法及其产品

本发明本提供了一种钝化接触太阳能电池的制备方法及其产品，通过在钝化隧穿层远离所述基底层的一侧依次沉积缓冲层和功能层，所述缓冲层和功能层均为金属，缓冲层金属的活泼性小于功能层金属的活泼性，然后在惰性气体下进行退火处理形成载流子收集层，退火温度控制在[Tc‑150℃，Tc+50℃]，所述Tc为缓冲层金属和功能层金属的共熔点，能够解决现有钝化接触太阳能电池的功能金属层不均匀、粘附力弱的问题

一种湿法制备圆角化金字塔的方法

本发明涉及一种湿法制备圆角化金字塔的方法。具体地，所述方法包括如下步骤：1)提供圆角化处理液和具有金字塔结构的硅片；2)在所述圆角化处理液中湿法处理所述具有金字塔结构的硅片，得到具有圆角化金字塔结构的硅片，其中，所述圆角化处理液包含如下组分：氢氟酸(HF)、硝酸(HNO3)和醋酸(CH3COOH)，其中，氢氟酸、硝酸和醋酸的体积比为1‑7：35‑100：15‑120，醋酸在所述圆角化处理液中的体积含量为7‑77％。所述方法可有效圆角化金字塔，并降低所得产物的缺陷态

太阳能电池氧化硅层的制备方法及太阳能电池

本发明提供一种氧化硅层的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：将硅片置于混合酸液中进行氧化处理，所述混合酸液为硝酸、硫酸混合液；其中，所述硝酸、硫酸混合液由68％的浓硝酸、98％的浓硝酸按体积比1:1～10:1混合而成。上述氧化硅层的制备方法，1)可以实现对硅表面更加高效的氧化效果，氧化硅层的硅被氧化的更加彻底，高价态的硅比例升高；2)制备温度低，可以在低至20℃的条件下制备出厚度大于1.4nm的氧化硅层，满足制备太阳能电池的需要；3)处理时间缩短，例如可以在2～4min制备出厚度大于1.4nm的氧化硅层；4)氧化层厚度合适，制备的氧化硅层可以控制在1.0～3.0nm，氧化硅层厚度可以完全覆盖器件所需的厚度要求

一种隧穿硅氧氮层钝化接触太阳能电池及其制备方法

本发明提供的太阳能电池包括硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层位于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其中所述钝化隧穿层为氧化硅-氮氧化硅梯度叠层、氮氧化硅-氮化硅梯度叠层、氧化硅-氮氧化硅-氮化硅梯度叠层中的一种；所述氮氧化硅为掺杂氮的氧化硅或掺杂氧的氮化硅；所述氧化硅-氮氧化硅梯度叠层、氮氧化硅-氮化硅梯度叠层、氧化硅-氮氧化硅-氮化硅梯度叠层的氮浓度从远离硅片侧向硅片侧梯度降低。由于氮化硅和氮氧化硅的隧穿势垒较低，本发明钝化隧穿层可以在保证隧穿效率的前提下适当放宽钝化隧穿层的厚度，从而有利于减少钝化隧穿层孔洞，降低漏电流的发生和复合速度，拓宽工艺窗口和提高工艺稳定性

一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池及其制备方法

本发明是有关一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池，其中，所述太阳能电池包括硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层介于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其中所述掺杂薄膜硅层掺杂的掺杂浓度是不均匀的，所述掺杂薄膜硅层邻近钝化隧穿层一侧的掺杂浓度小于远离钝化隧穿层一侧的掺杂浓度。本发明由于掺杂薄膜层的掺杂浓度是不均匀的，所述掺杂薄膜硅层邻近钝化隧穿层一侧的掺杂浓度小于远离钝化隧穿层一侧的掺杂浓度。相对于均匀掺杂的掺杂薄膜硅层，降低了掺杂薄膜硅层整体的掺杂浓度，从而有助于减少薄膜中的俄歇复合速率，避免产生磷化硅沉淀，增长少数载流子的寿命，进而增大太阳能电池的转换效率