Mold for manufacturing watertight connector plug

本实用新型涉及水下连接器硫化用模具，具体地说是一种制作水密连接器插头用模具，模具包括上模、下模、顶紧螺杆以及位于上下模之间的左模芯、定位销、插孔、壳体、右模芯，首先将插孔、壳体进行打毛、环化、涂底胶处理，底胶晾干后将壳体、插孔及定位销装入模芯中，再把模芯放置于已经预热好的模具型腔内，然后合模放置在硫化机上，给压注胶硫化，经过设定时间后工件熟化，将其从模具中取出。本实用新型的关键在于顶紧螺杆，上下模具合模后，拧紧顶紧螺杆，使得左模芯、插孔、右模芯紧密的接触在一起，插孔端面与左模芯上的定位小销端面无间隙，这保证了在注胶过程中插孔内无进胶的现象，适合不同类型水密连接器插头的制作

Mold for manufacturing plug of watertight connector and manufacturing method thereof

本发明涉及水下连接器硫化用模具，具体地说是一种制作水密连接器插头用模具及其制作方法，模具包括上模、下模、顶紧螺杆以及位于上下模之间的左模芯、定位销、插孔、壳体、右模芯，首先将插孔、壳体进行打毛、环化、涂底胶处理，底胶晾干后将壳体、插孔及定位销装入模芯中，再把模芯放置于已经预热好的模具型腔内，然后合模放置在硫化机上，给压注胶硫化，经过设定时间后工件熟化，将其从模具中取出。本发明的关键在于顶紧螺杆，上下模具合模后，拧紧顶紧螺杆，使得左模芯、插孔、右模芯紧密的接触在一起，插孔端面与左模芯上的定位小销端面无间隙，这保证了在注胶过程中插孔内无进胶的现象，适合不同类型水密连接器插头的制作

Misplug-preventing watertight connector

本发明属于水下连接器领域，具体地说是一种应用在水下作业时传递电信号的防插错水密连接器，该水密连接器安装在水下设备上面，插座具有海军铜壳体和位于第一橡胶硫化密封体内的插孔、导向孔，插孔一端与导线连接，插孔另一端有独立的内腔，且内腔中包含环形凸起；插头的第二橡胶硫化密封体上具有插针及导向销，且每个插针底部都有独立的橡胶绝缘棒，插针的一端与电缆中的导线连接，另一端插设在插孔内，橡胶绝缘棒插在内腔中、与环形凸起密封抵接。本发明的插座与相对应的插头能在潮湿的环境下进行插拔，在浅海、深海中均能使用，且有可靠的密封性能及防插错功能，适合用于各种水下作业设备中，用来传递电信号

Establishment of New Research System to Combine Electrochemistry and Electron Spectroscopy and the Investigations of SurFace Chemical States of Pt/Biad Electrode

固/液界面电化学体系与超高真空电子能谱双向转移及其研究系统的建立和对PT/bI_（Ad）电极表面化学状态的研究孙世刚，陈声培，陈宝珠，徐富春，薛国庆，林文锋，葛福云（厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室、化学系、物理化学研究所、科学仪器系，分析测试？..A new research system,which allows samples to be transFerred rapidly and without contamination between electrochemical environment and ultra-hight-vacuum chamber,has been set up recently.This system is of interest to combine investigations on structure and proporties of solid surFace at both solid/liquid and solid/gas interFaces.The prelimiary study of Pt/Biad electrode at levels of chemical environment and electronic structure demonstrated the success of the system established.The XPS data indicate that two oxidation states of Bi adatom existe on Pt/Biad electrode surFace.The present results give new interpretation of the promoting mechanism of Bi adatom in electrocatalysis.国家自然科学基

射频交替溅射法制备的NiZn 铁氧体薄膜的结构与磁性

使用交替靶射频溅射的方法在不同基底上制备得到了成分为NixZn1-xFe2O4 的铁氧体薄膜, 研究了NiZn 铁氧体薄膜的生长条件, 探讨了不同工艺条件对薄膜性能的影响, 目的是提高薄膜 饱和磁化强度Ms, 降低薄膜矫顽力Hc, 改善薄膜的软磁性能, 以满足其在高频薄膜器件应用方 面的需要. 实验表明: 沉积态薄膜即为尖晶石结构. 并且通过不同实验条件对NiZn 铁氧体薄膜 性能影响的研究, 得到了最佳的NiZn 铁氧体薄膜的制备条件