nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析

采用常规PECVD工艺，在N型单晶硅(c-Si)衬底上沉积薄层纳米Si(nc-Si)膜，并进而制备了nc-Si:H/c-Si量子点二极管。在10～100K温度范围内实验研究了该结构的σ-V和I-V特性。结果指出，当反向偏压为-7～-9V时，无论在σ-V还是在I-V特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶，此起因于在nc-Si:H膜中具有无序排布且粒径大小不一的Si微晶粒中，由于微晶粒中能级的量子化而导致的共振隧穿现象。如果进一步改进膜层生工艺，以制备出具有趋于有序排布、尺寸均匀和粒径更小的Si微晶粒的nc-Si:H膜，有可能实现更高温度范围内的共振隧穿

纳米硅薄膜中的量子点特征

从电性和结构上论证了纳米硅薄膜中的细微晶粒(3～6nm)具有量子点(Q.D)特征.在其 电导曲线中呈现出随晶粒尺寸减小而增大的小尺寸效应.使用薄层(～20nm厚)纳米硅膜制成了隧道二极管,已在液氮温区(≈77K)在其I-V及σ-V曲线上呈现出Coulomb台阶.对实验结果做了初步分析讨论