用推广的平面波展开展法检验平面内极化的电子子带跃迁

把平面波展开包络函数的方法推广到求解8带的哈密顿量,使它同时包括Г~c_1和Г~v_(15).在这种方法里,可以考虑反演不对称性、能带的非抛物性、有效质量不连续性以及 自旋-轨道耦合等效应的影响.作为应用,计算了两个量子阱结构的子带和光跃迁概率.实验上在这两个结构中观察到了平面内极化的电子子带跃迁.计算表明这种跃迁的概率很小.实验上观察到的平面内极化的电子子带吸收可能有其他的机制

Si非平面衬底上SiGe/Si量子阱的光致发光特性

采用一种晶向性腐蚀方法,在(100)Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构,经SiGeMBE外延后,从SEM照片上可以看出,SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构.非平面结构上的SiGe层的发光强度为平面结构上的8～10倍.从SiGe层内发出的发光强度占样品总发光强度的96％,且m≈1.1的值表明外延层的质量及对载流子的收集效率是高的.随着激发功率的增加,可以看到PL谱的蓝移

图形衬底上应变SiGe/Si超晶格的结构及光致发光研究

该文研究了在Si的图形衬底上生长应变SiGe/SI超晶格的结构和其光致发光性质。图形衬底由光刻形成的类金字塔结构组成。发现在组成倒金字塔结构的(111)面的交界处有富Ge的SiGe量子线出现。对相同条件下图形衬底和平面衬底上的应变SiGe层的光致发光光谱进行了比较，图形衬底上总的发光强度相对提高了5.2倍。认为这种提高同富Ge的SiGe量子线的产生相关

（113）面硅衬底上自组织生长的GeSi量子点及其光荧光

用透射电子显微镜观察了Si(113)衬底上由固态源分子束外延生长的自组织量子点的形貌，测量了其原生及退火后低温下的荧光光谱。对所得结果进行了分析