6 research outputs found
The formation of near anode double layer in highcurrent plasma diode of low pressure
A plasma electron source on the basis of a pulse plasma diode of low pressure with an extended interelectrode gap has been experimentally investigated. The basis of a plasma electron source serves a gas discharge of a new type - selfmaintained beam-plasma discharge, which distinctive feature is the forming of a double electrical layer of a space charge in a discharge gap and generation of an intensive electron beam. The exterior parameters were determined, at which formation of a double layer and the acceleration of an electron beam in such discharge occurs immediately at working area of the anode. The plasma electron source is calculated on generation of an electron beam with the energy 〖10〗^4…〖10〗^5 eV at the current 2…3 kA, current density 200…300 A/cm 2 , pulse length 1…10 μs and efficiency of conversion of an exterior electric field energy into an electron beam energy up to 80%
The formation of the low-sized high density plasma structures in the self-maintained plasma-beam discharge
The opportunity of use self-maintained plasma-beam discharge in an extended pulsing plasma diode of low pressure
for making powerful sources of the soft X-rays is investigated. Conditions of formation of the self-maintained plasmabeam
discharge are determined. The mode of making of dense high-temperature plasma on the basis of stannum ions in
the discharge is shown. The stannum ions are used as a working element of a radiation sources at pulsing power of
electron beam Ɋ~10…100 MW. Results of the examination on formation of the dense (np~1016
cm
3
), small sizes
(l<1 cm) plasma with the electron temperature Ɍe~100 eV in conditions of working material evaporation from the anode
are given. The total contribution of energy to the discharge has made W < 20 J
Dynamics and directions of extreme ultraviolet radiation from plasma of the high-current pulse diode
The time behavior and orientation of radiation in the range of wavelengths 12.2…15.8 nm, which is generated in the
high-current impulse plasma diode, working on tin vapor, are investigated in this paper. It is shown, that the intensive
radiation in this range arises at an inductive stage of the discharge, it is multi-peak (τpulse~ 200 ns) and the near anode
area is the region of its generation. The intensity and primary orientation of radiation depend on a discharge voltage and
are various for different peaks.Досліджуються часові характеристики і спрямованість випромінювання в діапазоні довжини хвиль
12,2...15,8 нм, що генерується в сильнострумовому імпульсному плазмовому діоді, який працює на парах олова.
Показано, що інтенсивне випромінювання в цьому діапазоні виникає на індуктивній стадій розряду, носить
багатопіковий характер (τімп~ 200 нс), і зоною генерацій служить прианодна плазма. Інтенсивність і переважна
спрямованість випромінювання залежить від розрядної напруги і відмінна для різних піків.Исследуются временные характеристики и направленность излучения в диапазоне длин волн 12,2…15,8 нм,
которое генерируется в сильноточном импульсном плазменном диоде, работающем на парах олова. Показано,
что интенсивное излучение в этом диапазоне возникает на индуктивной стадии разряда, носит многопиковый
характер (τимп~ 200 нс), и зоной генерации служит прианодная плазма. Интенсивность и преимущественная
направленность излучения зависит от разрядного напряжения и различна для разных пиков
Application of the modified plasma accelerator for amorphous diamond-like films production
In the paper the problem of diamond-like films production by sputtering of a graphite target in the modified plasma accelerator with closed electrons drift is considered. The diamond-like films with thickness 40...400 nm with deposition velocity 200...400 nm/hour were received. For production of hydrogen the metal hydride block of exterior filling was used. As a hydride forming material the intermetallide LaNi5 was used which ensures necessary hydrogen-capacity and velocity of a sorption - desorption of hydrogen.The electron-diffraction, electron-microscopic and optical investigations of film properties were carried out. It is shown that the described method allows to get amorphous diamond-like films. It is established that films obtained according to classification of Grigorovici R., concern to a structural sandwich-type. The carbon atoms in a layer have a strong covalent bond and between layers there is a weak double bond such as Van der Waals.У роботі розглянута можливість отримання алмазоподібних плівок шляхом розпилення графітової мішені в модифікованому плазмовому прискорювачі з замкнутим дрейфом електронів. Для отримання водню використовувався металогідридний блок зовнішнього напуску, у якому в якості гідридоутворюючого матеріалу використовувався інтерметалід LaNi5, що забезпечує необхідну водневу ємність і швидкість сорбції-десорбції водню.Були отримані алмазоподібні плівки товщиною 40...400 нм зі швидкістю осадження 200...400 нм/г для різних режимів роботи прискорювача. Показано, що даний спосіб дозволяє отримувати аморфні алмазоподібні плівки. Проведені електронографічні, електрономікроскопічні та оптичні дослідження властивостей плівок. Виявлено, що отримані плівки, відповідно до класифікації Grigorovici R., відносяться до шаруватого структурного типу. Атоми вуглецю в шарі мають сильний ковалентний зв'язок, а між шарами існує слабкий зв'язок типу Ван-дер-Вальса.В работе рассмотрен вопрос получения алмазоподобных пленок путем распыления графитовой мишени в модифицированном плазменном ускорителя с замкнутым дрейфом электронов. Для получения водорода использовался металлогидридный блок внешнего напуска, в котором в качестве гидридообразующего материала использовался интерметаллид LaNi5, который обеспечивает необходимую водородоемкость и скорость сорбции-десорбции водорода.В зависимости от режимов работы были получены алмазоподобные пленки толщиной 40…400 нм со скоростью осаждения 200…400 нм/ч. Проведены электроннографические, электронномикроскопические и оптические исследования свойств пленок. Показано, что описываемый способ позволяет получать аморфные алмазоподобные пленки. Установлено, что полученные пленки, согласно классификации Grigorovici R., относятся к слоистому структурному типу. Атомы углерода в слое имеют сильную ковалентную связь, а между слоями существует слабая связь типа Ван-дер-Вальса