22 research outputs found
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ ТОПОЛОГИЧЕСКИХ СТРУКТУР В СЛОЯХ ВАКУУМНОГО РЕЗИСТА
The modeling of formation of topological structures with 3D elements of various sizes and configurations in а vacuum resist exposed to pulsed laser radiation with different energy density was carried out. It was found experimentally that the simulation allows predicting the actual parameters of lithography laser systems for high-quality formation of 3D topology elements in layers of vacuum resist when creating masks. Изучены методом моделирования процессы формирования топологичеких структур с 3D-элементами различных размеров и конфигурации в слоях вакуумного резиста импульсным лазерным излучением с разной плотностью энергии. Экспериментально установлено, что моделирование позволяет прогнозировать реальные параметры работы установок лазерной вакуумной микролитографии для качественного формирования 3D-элементов топологии в слоях вакуумного резиста при создании масок.
Dynamics of fusion and crystallization processes induced by nanosecond emission of ruby crystal laser in gallium arsenide and gallium antimonide
Dynamics of fusion and crystallization processes induced by nanosecond emission of ruby crystal laser in gallium arsenide and gallium antimonide
The electrocurrent microrelay modelling
The design and method of electrocurrent microrelay theoretical modelling is offered. It is established, that base function in the normalized kind graphically represents a symmetric parabola. Microrelay capability evaluation have been carried out for different current flow directions through the meander-line system of planar structure
Laser treatment of electrochromic films in WO_3 in the inherent absorption band
Translated from Russian (Fiz. Khim. Obrab. Mater. 1988 v. 22(1) p. 39-43)Available from British Library Document Supply Centre- DSC:9023.19(VR-Trans--4030)T / BLDSC - British Library Document Supply CentreSIGLEGBUnited Kingdo
Dependence of the CdTe Melting Threshold on the Pulse Duration and Wavelength of Laser Radiation and the Parameters of Non-Equilibrium Charge Carriers
Dynamics of laser-induced melting and crystallization in zinc tellurid
Выполнено численное моделирование воздействия наносекундного лазерного излучения
KrF эксимерного лазера (λ=248 нм, τ=20 нс) на фазовые переходы в теллуриде цинка
с учетом испарения компонент с поверхности и их диффузии в расплаве. Показано, что в
результате этих процессов происходит обогащение приповерхностной области теллуром