Prevalence of hypoparathyroidism after thyroid surgery depending on diagnosis, the extent of the procedure, and the presence of parathyroid glands in the postoperative examination.

Introduction Postoperative hypoparathyroidism can be one of the complications associated with total thyroid removal due to cancer or benign goitre. Purpose The paper aimed to evaluate the prevalence of hypoparathyroidism in patients operated on due to thyroid cancer and nodular goitre, including procedures performed between January 2015 and March 2019 at the Department of Oncological Surgery of the Medical University of Silesia in Katowice. Material and methods The studied group consisted of 595 patients operated on due to cancer and benign nodular goitres. Calcium and phosphate metabolism was assessed using PTH and ionised calcium tests four hours after the surgery. Ionised calcium was checked 30 days after the procedure. Patients who had borderline or below-normal PTH levels in the postoperative period were also subjected to PTH testing after 30 days. In patients with low PTH levels, supplementation with calcium and vitamin D3 was introduced after the surgery. Results Compared to patients operated on for benign goitres, persons diagnosed with cancer were significantly more likely to have PTH levels below 15 pg/ml and serum ionised calcium levels below 4 mg/dl after 30 days following the surgery. The recovery rate was 65.05% vs 82.6% (p < 0.003) and 64.2% vs 84.25% (p < 0.001). The results were similar among patients who underwent lateral and central lymphadenectomy – 33.3% vs 67.3% (p < 0.021) and 25.6% vs 67.6% (p < 0.018). In patients with mild goitres, no significant differences in the recovery rate were observed – 82.6% vs 92.8% (p < 0.327) and 84.25% vs 92.3% (p < 0.437). Patients in whom parathyroid glands were found in the postoperative material were significantly more likely to have decreased PTH and calcium levels after 30 days following the procedure. The recovery rate was 64.1% vs 78.9% (p < 0.027) and 58.06% vs 80.8% (p < 0.004). Conclusions Hypoparathyroidism is not an uncommon occurrence after thyroidectomy, even in facilities with extensive experience in this matter. Compared to total thyroid removal due to benign goitre, surgery for cancer with associated central and lateral lymphadenectomy significantly increases the risk of postoperative hypoparathyroidism. In surgical practice, it is reasonable to conduct routine Ca and PTH level checks after the procedure and 30 days following thyroidectomy

Approaching Proof in the Classroom Through the Logic of Inquiry

The paper analyses a basic gap, highlighted by most of the literature concerning the teaching of proofs, namely, the distance between students' argumentative and proving processes. The analysis is developed from both epistemological and cognitive standpoints: it critiques the Toulmin model of reasoning and introduces a new model, the Logic of Inquiry of Hintikka, more suitable for bridging this gap. An example of didactical activity within Dynamic Geometry Environments is sketched in order to present a concrete illustration of this approach and to show the pedagogical effectiveness of the model

An automatic measurement system of thermal parameters of semiconductor power devices

W pracy omówiono budowę i zasadę działania autorskiego systemu do automatycznego pomiaru parametrów termicznych, w tym czasowych przebiegów przejściowej impedancji termicznej oraz rezystancji termicznej półprzewodnikowych przyrządów mocy. W rozważanym systemie zaimplementowano popularną impulsową metodę pomiaru parametrów termicznych opartą na wykorzystaniu krzywej chłodzenia elementu półprzewodnikowego. Działanie systemu pomiarowego zilustrowano wynikami pomiarów parametrów termicznych wybranych półprzewodnikowych przyrządów mocy.Generally, manufacturers of semiconductor devices do not provide in datasheets detailed information about thermal parameters of semiconductor devices, i.e. time waveform of junction-to-ambient transient thermal impedance or dependence of junction-to-ambient thermal resistance versus dissipated power. Therefore, the designers of electronic circuits do not have reliable information about thermal properties of semiconductor devices in the designed circuit [1 - 3]. The paper discusses the construction and operation of automatic measurement system of thermal parameters, including transient thermal impedance and thermal resistance of semiconductor power devices. Block diagram of the measurement system is shown in Fig. 1. In the measurement system, the popular Rubin and Oettinger [6] pulse method for measuring thermal parameters based on the cooling curve of semiconductor device, has been implemented. For reading and archiving the results of measurements, A/D and D/A converter USB-1608GX-2AO fabricated by Measurement Computing [5], has been used. Usefulness of the measuring system is illustrated by results of measurements of thermal parameters of silicon MOSFET (IRFR420A - International Rectifier), silicon carbide MESFET (CRF24010 - Cree) and silicon carbide Schottky diode (IDT06S60C - International Rectifier). As seen in Fig. 3, the thermal resistance junction-to-ambient strongly depends on semiconductor device dissipated power. For example, the thermal resistance of MOSFET decreases about 20% with increase of the dissipated power from 0.1 W to 1 W, at constant ambient temperature. It has been shown, that realization of such measurements allows to obtain more precise information about the thermal parameters of semiconductor devices in comparison to the device catalogue data

Laboratory of measurements of electronic devices and circuits

W pracy zaprezentowano Laboratorium Pomiarów Elementów i Układów Elektronicznych umiejscowione w Katedrze Elektroniki Morskiej Akademii Morskiej w Gdyni. Należy ono do zespołu laboratoriów, w których realizowane są zagadnienia związane z projektowaniem i wykonywaniem obwodów oraz urządzeń elektronicznych, a także pomiarami elementów elektronicznych stosowanych w tych urządzeniach. Opisano koncepcję laboratorium oraz najważniejsze urządzenia stanowiące jego wyposażenie. Wskazano obszar zadań badawczych i dydaktycznych, w którym to laboratorium może być użyteczne.The paper presents a research Laboratory of Measurements Electronic Devices and Circuits located in the Department of Marine Electronics in Gdynia Maritime University. The laboratory is dedicated for performing various measurements of characteristics and parameters of electronic devices and circuits. PC-controlled measuring instrumentation of a high precision fabricated e.g. by Keithley, is used in measuring processes

Measurements and calculations of capacitances of BJT and SJT transistors made of silicon carbide

W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów charakterystyk pojemności C(u) sterowanych prądowo tranzystorów BJT i SJT, które zrealizowano z wykorzystaniem programowalnego systemu mierzącego firmy Keithley. Wyniki pomiarów porównano z wynikami obliczeń przy zastosowaniu popularnego i często stosowanego modelu Gummela-Poona tranzystora bipolarnego. Dla porównania, przedstawiono również wyniki pomiarów zaprezentowane w literaturze oraz w kartach katalogowych badanych przyrządów. Ponadto, oceniono wpływ temperatury otoczenia na kształt rozważanych charakterystyk pojemności.In the paper the results of measurements of capacitances C(u) of the current controlled BJT and SJT transistors was presented, for which a programmable measuring system manufactured by Keithley was used. The results of measurements was compared with results of the calculations obtained by using the popular and commonly used Gummel-Poon model. For comparison, the results of the measurements found in the literature and in the datasheets of the considered devices was presented as well. In addition, the influence of ambient temperature on the shape of the considered characteristics was also investigated

Evaluation of models accuracy of SiC Schottky diodes

W pracy przedstawiono wyniki weryfikacji eksperymentalnej wybranych modeli diod Schottky’ego z węglika krzemu, oferowanych przez producentów rozważanych przyrządów półprzewodnikowych. W tym celu modele diod zaimplementowano w programie SPICE i przeprowadzono symulacje wybranych charakterystyk statycznych oraz charakterystyk C(u) tych przyrządów. Przeprowadzono ocenę dokładności modeli poprzez porównanie charakterystyk obliczonych tymi modelami z charakterystykami zmierzonymi diod, dostępnymi w ich kartach katalogowych. Do badań wybrano wykonane z węglika krzemu diody Schottky’ego trzech producentów: ST Microelectronics, GeneSiC oraz Rohm.The paper presents the results of experimental verification of selected models of the silicon carbide Schottky diodes offered by various manufacturers. Schottky diodes fabricated by ST Microelectronics, GeneSiC and Rohm, were chosen for investigations. Models were implemented in SPICE. Calculations of DC characteristics as well as C-V characteristics of the investigated Schottky diodes, were performed. Evaluation of the models accuracy by means of comparison of the calculated and measured characteristics, were performed

Investigations of thermal parameters of liquid–cooled power MOSFET

W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystora MOS mocy, dla którego zastosowano cieczowy system chłodzący firmy Aquacomputer. Zbadano wpływ wybranych parametrów systemu chłodzącego w tym m.in.: rodzaj wymiennika ciepła oraz prędkość przepływu cieczy chłodzącej na właściwości cieplne tranzystora. Dla porównania, przedstawiono wyniki pomiarów parametrów termicznych rozważanego tranzystora umieszczonego na radiatorze. Porównano skuteczność odprowadzania ciepła z wnętrza tranzystora do otoczenia przy zastosowaniu wymienionych wyżej układów chłodzenia.The paper presents the results of measurements of thermal parameters of power MOSFET implemented in liquid cooling system offered by Aquacomputer. The influence of selected cooling system parameters, such as: the type of heat exchanger and the flow rate of the coolant on the thermal properties of transistor, has been examined. In comparison, the results of measurements of thermal parameters of the considered transistor located on the heat sink, have been presented. Efficiency of heat radiation to the surroundings of the transistor using the above–mentioned cooling systems, has been investigated

Application of the pirometric methods for the thermal resistance of power transistors measurements

Praca dotyczy pomiarórw rezystancji termicznej wybranych tranzystorów mocy przy wykorzystaniu metod pirometrycznych. Zamieszczono szereg wyników pomiarów tego parametru w funkcji mocy wydzielanej w elemencie, uzyskanych przy zastosowaniu różnych radiatorów obudów i orientacji przestrzennej badanych tranzystorów. Zbadano również nierównomierność przestrzennego rozkładu temperatury w badanej strukturze.In this paper the problem of measurements of the thermal resistance (Rth) of the selected power transistors with the use of the pirometric method is considered. The measuremental results Rth of bipolar transistors 2N3055 and MOS transistors IRF840 for the dissipated power changing as well as for the various kinds of device cases the temperature distribution on the chip has been estimated

Analisys of the influence of nonlinearity of the thermal model of power mosfet on characteristics of boost converter

W pracy przeanalizowano zasadność stosowania nieliniowego modelu termicznego tranzystora MOS mocy przy analizach charakterystyk przetwornicy boost. Przedstawiono postać rozważanego modelu termicznego oraz wyniki elektrotermicznej analizy stanów przejściowych badanego układu, uzyskane przy uwzględnieniu nieliniowości modelu termicznego oraz przy pominięciu tej nieliniowości. Badania przeprowadzono dla przetwornic zawierających dwa różne zestawy półprzewodnikowych elementów kluczujących.In the paper the necessity of using the non-linear thermal model of the power MOS transistor at computer analyses of the boost converter is considered. The form of considered thermal model are presented and results of the electrothermal transient analysis of considered converter, obtained at the nonlinearity of the thermal model taking into account and at the omission of this nonlinearity are shown. Investigations were performed for converters containing two different sets of switching semiconductor devices