Effect of the growing features on luminescence and thermal glow of CdWO₄ scintillation crystals

Investigation results of absorption, X-ray-, photo-, and thermally stimulated luminescence spectra of CdWO₄ crystals are presented as depending on the growing features thereof. Essential changes in relative intensity of some emission bands under X-ray and N₂-laser excitation have been observed. The raw material purification in the course of the preliminary recrystallization has been shown to result in an enhanced X-ray luminescence intensity in the blue-green spectral region and in decreased thermal glow peaks responsible for the slow luminescence components.Представлены результаты исследования спектров поглощения, рентгено-, фото- и термостимулированной люминесценции кристаллов CdWO₄ в зависимости от технологических особенностей их выращивания. Обнаружены значительные изменения относительной интенсивности отдельных полос свечения образцов при возбуждении рентгеновскими лучами и N₂-лазером. Показано, что очистка сырья в процессе предварительной перекристаллизации приводит к повышению интенсивности рентгенолюминесценции в сине-зеленой области спектра и ослаблению пиков термовысвечивания, ответственных за медленные компоненты свечения.Представлено результати дослiдження спектрiв поглинання, рентгено-, фото- та термостимульованої люмiнесценцiї кристалiв CdWO₄ в залежностi вiд технологiчних особливостей їх вирощування. Виявлено суттевi змiни вiдносної iнтенсивностi окремих смуг свiчення зразкiв при збудженнi рентгенiвськими променями та N₂-лазером. Показано, що очистка сировини у процесi попередньої перекристалiзацiї приводить до пiдвищення iнтенсивностi рентгенолюмiнесценцiї у синьо-зеленiй областi спектра та послабленню пiкiв термовисвiчування, якi вiдповiдають за повiльнi компоненти свiчення

X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films

Luminescence properties of ytterbium ions in of У₃AI₅О₁₂ (УAG) epitaxial films have been investigated. The influence of growth conditions on the change of activator ions charge state and the luminescence in visible spectral region has been demonstrated. It has been established that emission bands with maxima at 480 and 580 nm are attributed to the 5d-4f transitions of Уb²⁺ ions. The emission bands with maxima at 330 nm and 500 nm correspond to transitions from charge transfer state to ²F₇/₂ and and ²F₅/₂ state of Уb³⁺ ions, respectively.Проведено исследование люминесцентных свойств ионов иттербия в эпитаксиальных пленках У₃AI₅О₁₂ (УAG). Показано влияние условий выращивания на изменение зарядового состояния ионов активатора и его свечения в видимой области спектра. Установлено, что люминесценция в полосах с максимумами при 480 нм и 580 нм в эпитаксиальных пленках УAG:Уb приписывается 5d-4f переходам ионов Уb²⁺. Полосы свечения с максимумами при 330 и 500 нм отвечают переходам из состояния переноса заряда соответственно на уровни ²F₇/₂ и ²F₅/₂ ионов Уb³⁺.Проведено дослiдження люмiнесцентних властивостей iонiв iтербiю в епiтаксiйних плiвках У₃AI₅О₁₂ (УAG). Показано вплив умов вирощування на змiну зарядового стану iонiв активатора та його свiчення у видимiй областi спектра. Встановлено, що люмiнеcценцiя в смугах з максимумами при 480 нм i 580 нм приписується 5d-4f переходам iонiв Уb²⁺. Смуги свiчення з максимумами при 330 i 500 нм вiдповiдають переходам зi стану перенесення заряду вiдповiдно на рiвнi ²F₇/₂ i ²F₅/₂ iонiв Уb³⁺