Важливі питання статистичної теорії теплових і кінетичних властивостей кристалів

In this paper, the short algorithmic formulas for computations of the crystals thermal and kinetic properties are given. These formulas are fulfilled the case of isotropic crystals for any one of dispersion laws of current carriers, where these carriers can be scattered by all kinds of the crystal lattice defects. In the paper, these algorithmic formulas were used to calculations the important properties of crystals with the nonparabolic Kane’s dispersion law of current carriers. Here, the passing from these non-parabolic dispersion law crystals to the parabolic dispersion law crystals was also described.В даній роботі приведені лаконічні розрахункові алгоритмічні формули теплових і   кінетичнихвластивостей кристалів. Ці  формули  обгрунтовані для  ізотропних  кристалів з довільним  законом  дисперсії  для   носіїв струму, які розсіюються на довільних днфектах кристалічної гратки.В роботі ці алгоритмічні формули  були використані для  розрахунків  важливих властивостей кристалів з непараболічним  законом  дисперсії Кейна для носіїв струму і описано шлях переходу до кристалів з  параболічним законом дисперсії

Закон дисперсії носіїв струму кристала, їх хімічний потенціал і множина важливих властивостей кристалів

In this paper, a new non-parabolic dispersion law has been established, which for a small parameter of the spectrum nonparabolicity coincides with the known Kane’s nonparabolic dispersion law. The Kane’s dispersion law works well when the well-known parameter of nonparabolicity is much less than 1, and the new law works well enough when the parameter of nonparabolicity is less than 1. In addition, this law shows that crystals with a band gap (i.e., forbidden band width) Eg~10-1 eV – these are semiconductor crystals, crystals with Eg~10-2 eV – these are metals.В даній роботі обґрунтований новий непараболічний закон дисперсії, який при малому параметрі непараболічності спектра співпадає з відомимнепараболічним законом дисперсії Кейна. Закон дисперсії Кейна добре працює коли загальновідомий  параметр непараболічності багато менший від одиниці, а новий закон досить добре працює при параметрі непараболічності меншшим від одиниці. Крім цього цей закон показує що кристали з шириною забороненої зони Eg~10-1 eV – це напівпровідникові кристали, кристали з  Eg~10-2 eV– це метали