6 research outputs found

    Dependence of RF breakdown curve on electrode geometry in CCP reactor

    No full text
    The results of experimental and theoretical study of RF capacitively coupled discharge breakdown in reactor for reactive ion etching of semiconductors are presented. Taking into account complex geometry of the reactor with asymmetric electrodes the main attention has been paid to influence of geometric factor on the breakdown curve. Experiments have shown that the geometry of the electrodes has impact on the breakdown curve only at lowest gas pressure (<50 mTorr). In cylindrical configuration the curve has a region of ambiguity, while for asymmetric configuration similar to GEC reference cell the low pressure part of the breakdown curve is almost vertical. The experimental data are compared to the numerical simulation results obtained using the particle-in-cell/Monte Carlo (PIC/MCC) code. The comparison shows qualitative consistence of the results with general tendency of theoretical curves to be slightly shifted to higher pressures that can be explained by simultaneous action of different kinds of electron emission from the electrodes, while we accounted only for secondary electron emission. Both theory and experiment show influence of secondary electron yield from different electrode materials (aluminum, steel, graphite) on the low-pressure part of the breakdown curve.ΠŸΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»Π΅Π½Ρ‹ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ ΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈ тСорСтичСских исслСдований ΠΊΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠΉ заТигания Π’Π§-разряда Π² Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ для ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ травлСния. Π‘ ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ слоТной Π³Π΅ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΠΈ Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° с асиммСтричными элСктродами основноС Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΡƒΠ΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΎ влиянию гСомСтричСского Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π° ΠΊΡ€ΠΈΠ²ΡƒΡŽ заТигания разряда. ЭкспСримСнты ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π»ΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ гСомСтрия элСктродов ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ сущСствСнноС влияниС Π½Π° ΠΊΡ€ΠΈΠ²ΡƒΡŽ заТигания Π² области Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… Π΄Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π³ΠΎ Π³Π°Π·Π° (<50 ΠΌΠ’ΠΎΡ€Ρ€). Для цилиндричСской Π³Π΅ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΠΈ ΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ Π² области Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… Π΄Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΉ сущСствуСт ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ нСоднозначности ΠΊΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠΉ заТигания, Π² Ρ‚ΠΎ врСмя ΠΊΠ°ΠΊ для асиммСтричной ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ ΠΊ GEC ячСйкС Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ практичСски Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ рост напряТСния заТигания разряда с ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ давлСния Π³Π°Π·Π°. ΠΠ°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ качСствСнноС согласиС числСных расчСтов, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹Ρ… с использованиСм particle-in-cell/Monte Carlo (PIC/MCC) ΠΊΠΎΠ΄Π°, с экспСримСнтом. ΠžΠ±Ρ‰ΡƒΡŽ Ρ‚Π΅Π½Π΄Π΅Π½Ρ†ΠΈΡŽ смСщСния рассчСтных ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Ρ… заТигания Π² ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высоких Π΄Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚Π° Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Π²ΠΈΠ΄ΠΎΠ² элСктронной эмиссии с элСктродов Π²Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊ ΡƒΡ‡Ρ‚Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π°ΠΌΠΈ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Π΅-Π΅-эмиссии. И тСория, ΠΈ экспСримСнт ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ сущСствСнноС влияниС Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ элСтронной эмиссии Π½Π° ΠΊΡ€ΠΈΠ²ΡƒΡŽ заТигания Π’Π§-разряда Π² области Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… Π΄Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΉ.ΠŸΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»Π΅Π½Ρ– Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ΠΈ Π΅ΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΈΡ… Ρ‚Π° Ρ‚Π΅ΠΎΡ€Π΅Ρ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΈΡ… Π΄ΠΎΡΠ»Ρ–Π΄ΠΆΠ΅Π½ΡŒ ΠΊΡ€ΠΈΠ²ΠΎΡ— запалювання Π’Π§-разряду Π² Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€i для Ρ–ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ травлСння. Π— урахуванням складної Π³Π΅ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ–Ρ— Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π· асимСтричними Π΅Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ основну ΡƒΠ²Π°Π³Ρƒ Π±ΡƒΠ»ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ΄Ρ–Π»Π΅Π½ΠΎ Π²ΠΏΠ»ΠΈΠ²Ρƒ Π³Π΅ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π° ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρƒ запалювання розряду. ЕкспСримСнти ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π»ΠΈ, Ρ‰ΠΎ гСомСтрія Π΅Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Ρ–Π² Ρ€ΠΎΠ±ΠΈΡ‚ΡŒ істотний Π²ΠΏΠ»ΠΈΠ² Π½Π° ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρƒ запалювання Π² області Π½ΠΈΠ·ΡŒΠΊΠΈΡ… тисків Ρ€ΠΎΠ±ΠΎΡ‡ΠΎΠ³ΠΎ Π³Π°Π·Ρƒ (<50 ΠΌΠ’ΠΎΡ€Ρ€). Для Ρ†ΠΈΠ»Ρ–Π½Π΄Ρ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΡ— Π³Π΅ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ–Ρ— ΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈ Π² області Π½ΠΈΠ·ΡŒΠΊΠΈΡ… тисків існує ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ нСоднозначності ΠΊΡ€ΠΈΠ²ΠΎΡ— запалювання, Π² Ρ‚ΠΎΠΉ час як для асимСтричної ΠΊΠΎΠ½Ρ„Ρ–Π³ΡƒΡ€Π°Ρ†Ρ–Ρ— Π±Π»ΠΈΠ·ΡŒΠΊΠΎΡ— Π΄ΠΎ GEC осСрСдку ΡΠΏΠΎΡΡ‚Π΅Ρ€Ρ–Π³Π°Ρ”Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎ Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Π΅ зростання Π½Π°ΠΏΡ€ΡƒΠ³ΠΈ запалювання розряду ΠΏΡ€ΠΈ Π·ΠΌΠ΅Π½ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ– тиску Π³Π°Π·Ρƒ. Π‘ΠΏΠΎΡΡ‚Π΅Ρ€Ρ–Π³Π°Ρ”Ρ‚ΡŒΡΡ якісна Π·Π³ΠΎΠ΄Π° Ρ‡ΠΈΡΠ΅Π»ΡŒΠ½ΠΈΡ… Ρ€ΠΎΠ·Ρ€Π°Ρ…ΡƒΠ½ΠΊiΠ², ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΡ… Π· використанням particle-in-cell/Monte Carlo (PIC / MCC) ΠΊΠΎΠ΄Ρƒ, Π· СкспСримСнтом. Π—Π°Π³Π°Π»ΡŒΠ½Ρƒ Ρ‚Π΅Π½Π΄Π΅Π½Ρ†Ρ–ΡŽ зсуву Ρ€ΠΎΠ·Ρ€Π°Ρ…ΡƒΠ½ΠΊΠΎΠ²ΠΈΡ… ΠΊΡ€ΠΈΠ²ΠΈΡ… запалювання Π² ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ Π±Ρ–Π»ΡŒΡˆ високих тисків ΠΌΠΎΠΆΠ½Π° пояснити Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…Ρ–Π΄Π½Ρ–ΡΡ‚ΡŽ ΠΊΠΎΡ€Π΅ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ врахування Ρ€Ρ–Π·Π½ΠΈΡ… Π²ΠΈΠ΄Ρ–Π² Π΅Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΡ— Смісії Π· Π΅Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Ρ–Π² Π² доповнСння Π΄ΠΎ Π²Ρ€Π°Ρ…ΠΎΠ²Π°Π½ΠΎΡ— Π½Π°ΠΌΠΈ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΠ½Π½ΠΎΡ— Π΅-Π΅-Смісії. Π―ΠΊ тСорія, Ρ‚Π°ΠΊ Ρ– СкспСримСнт ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·ΡƒΡŽΡ‚ΡŒ істотний Π²ΠΏΠ»ΠΈΠ² Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΠ½Π½ΠΎΡ— Π΅Π»Π΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ–ΠΉ Смісії Π½Π° ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρƒ запалювання Π’Π§-розряду Π² області Π½ΠΈΠ·ΡŒΠΊΠΈΡ… тисків

    The Cyber Economy: Opportunities and Challenges for Artificial Intelligence in the Digital Workplace

    No full text
    This work is subject to copyright. All rights are reserved by the Publisher, whether the whole or part of thematerial is concerned, specifically the rights of translation, reprinting, reuse of illustrations, recitation,broadcasting, reproduction on microfilms or in any other physical way, and transmission or informationstorage and retrieval, electronic adaptation, computer software, or by similar or dissimilar methodologynow known or hereafter developed.The use of general descriptive names, registered names, trademarks, service marks, etc. in this publicationdoes not imply, even in the absence of a specific statement, that such names are exempt from the relevantprotective laws and regulations and therefore free for general use.The publisher, the authors, and the editors are safe to assume that the advice and information in thisbook are believed to be true and accurate at the date of publication. Neither the publisher nor the authors orthe editors give a warranty, expressed or implied, with respect to the material contained herein or for anyerrors or omissions that may have been made. The publisher remains neutral with regard to jurisdictionalclaims in published maps and institutional affiliations

    Queueing systems with correlated arrival flows and their applications to modeling telecommunication networks

    No full text
    corecore