Dielectric inhomogeneities in CdZnTe crystals

It has been shown that the character of CdZnTe crуstal dielectric constant dependence on coordinate (that can be revealed bу considering the dε'/dx = f(x) function) maу be defined not onlу bу the distribution of structure inhomogeneities but also bу directions of field gradients generated bу the inhomogeneities. Тo characterize the defect formation processes in the samples prepared from radial and axial ingot sections, the dε'/dx = f(ε') diagrams have been proposed.Показано, что характер зависимости диэлектрической проницаемости кристаллов CdZnTe от координаты, выявляемый посредством анализа зависимости dε'/dx = f(x), может быть связан не только с распределением структурных неоднородностей, но и с направлением создаваемых ими градиентов полей. Для характеристики процессов дефектообразования в образцах, изготовленных из радиальных и осевых срезов були, предложены диаграммы dε'/dx = f(ε').Показано, що характер залежностi дiелектричної проникностi кристалiв CdZnTe вiд координати, що виявляється за допомогою аналiзу залежностi dε'/dx = f(x), може бути пов'язаний не тiльки з розподiлом структурних неоднорiдностей, але i з напрямком створюваних ними градiєнтiв полiв. Для характеристики процесiв дефектоутворення в зразках, виготовлених з радiальних i осьових зрiзiв булi, запропоновано дiаграми dε'/dx = f(ε')

ZnSe:Cr²⁺ laser crystals grown by Bridgman method

The melt growing of ZnSe crystals doped with Cr²⁺ for tunable mid-IR (2-3 μm) lasers has been described. A good quality crystal material with high homogeneity of both composition and physical properties has been obtained. The optimum concentration of dopant has been estimated. For an active element of 3 mm in thickness, it amounts to 2.3·10¹⁸ cm⁻³. The laser emitters have been manufactured operating with efficiency up to 70 % in continuous and pulse modes.Описано процес розплавного вирощування кристалів ZnSe, легованих домішкою Cr²⁺, для перестроюваних лазерів середнього ІЧ діапазону (2 ... 3 мкм). Отримано якісний кристалічний матеріал з високим ступенем однорідності складу та фізичних властивостей. Проведено оцінку оптимальної концентрації активаторної домішки у кристалах ZnSe, яка для активного лазерного елемента товщиною 3 мм склала 2,3·10¹⁸ см⁻³. Виготовлено лазерні випромінювачі, що працюють із ККД до 70 % у безперервному й імпульсному режимах.Описан процесс расплавного выращивания кристаллов ZnSe, легированных примесью Cr²⁺, для перестраиваемых лазеров среднего ИК диапазона (2 ... 3 мкм). Получен качественный кристаллический материал с высокой степенью однородности состава и физических свойств. Проведена оценка оптимальной концентрации активаторной примеси в кристаллах ZnSe, которая для активного лазерного элемента толщиной 3 мм составила 2.3·10¹⁸ см⁻³. Изготовлены лазерные излучатели, работающие с КПД до 70 % в непрерывном и импульсном режимах