23 research outputs found
Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon
On the basis of experimental studies the surface-barrier technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors with using of the high-resistance n-Si plates of large diameter (~ 100 mm) was optimized. The 9-sectional detector matrixes were manufactured. In such matrix each section is a separate detector with the thickness of sensitive area W β€ 350 ΞΌm, the working area S = 4 cmΒ², and the energy resolution R = 50β¦75 keV under irradiation by three-component Ξ±-source. The electrophysical and spectrometric characteristics of the sectional silicon detectors were determined. The manufactured detectors can be used in the nuclear experiments involving heavy ions at the low yields of reaction products.ΠΠ° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Ρ ΠΏΡΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΡ
Π΅ΠΊΡΠΏΠ΅ΡΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΠ°Π»ΡΠ½ΠΈΡ
Π΄ΠΎΡΠ»ΡΠ΄ΠΆΠ΅Π½Ρ ΠΎΠΏΡΠΈΠΌΡΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΎ ΠΏΠΎΠ²Π΅ΡΡ
Π½Π΅Π²ΠΎ-Π±Π°Ρ'ΡΡΠ½Ρ ΡΠ΅Ρ
Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΡΡ Π²ΠΈΠ³ΠΎΡΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½Ρ ΡΠ΅ΠΊΡΡΠΉΠ½ΠΈΡ
Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΠΎΡΡΠ² ΡΠ΄Π΅ΡΠ½ΠΈΡ
Π²ΠΈΠΏΡΠΎΠΌΡΠ½ΡΠ²Π°Π½Ρ Π· Π²ΠΈΠΊΠΎΡΠΈΡΡΠ°Π½Π½ΡΠΌ ΠΏΠ»Π°ΡΡΠΈΠ½ Π²ΠΈΡΠΎΠΊΠΎΠΎΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ n-Si Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΡΠ°ΠΌΠ΅ΡΡΠ° (~ 100 ΠΌΠΌ). ΠΠΈΠ³ΠΎΡΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΎ 9-ΡΠ΅ΠΊΡΡΠΉΠ½Ρ Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΠΎΡΠ½Ρ ΠΌΠ°ΡΡΠΈΡΡ, Π΄Π΅ ΠΊΠΎΠΆΠ½Π° ΡΠ΅ΠΊΡΡΡ Ρ ΠΎΠΊΡΠ΅ΠΌΠΈΠΌ Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΠΎΡΠΎΠΌ Π· ΡΠΎΠ²ΡΠΈΠ½ΠΎΡ ΡΡΡΠ»ΠΈΠ²ΠΎΡ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡΡ W β€ 350 ΠΌΠΊΠΌ, ΡΠΎΠ±ΠΎΡΠΎΡ ΠΏΠ»ΠΎΡΠ΅Ρ S = 4 ΡΠΌΒ² ΡΠ° Π΅Π½Π΅ΡΠ³Π΅ΡΠΈΡΠ½ΠΎΡ ΡΠΎΠ·Π΄ΡΠ»ΡΠ½ΠΎΡ Π·Π΄Π°ΡΠ½ΡΡΡΡ R = 50β¦75 ΠΊΠ΅Π ΠΏΡΠΈ ΠΎΠΏΡΠΎΠΌΡΠ½Π΅Π½Π½Ρ ΡΡΠΈΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½ΡΠ½ΠΈΠΌ Ξ±-Π΄ΠΆΠ΅ΡΠ΅Π»ΠΎΠΌ. ΠΠΈΠ·Π½Π°ΡΠ΅Π½ΠΎ Π΅Π»Π΅ΠΊΡΡΠΎΡΡΠ·ΠΈΡΠ½Ρ ΡΠ° ΡΠΏΠ΅ΠΊΡΡΠΎΠΌΠ΅ΡΡΠΈΡΠ½Ρ Ρ
Π°ΡΠ°ΠΊΡΠ΅ΡΠΈΡΡΠΈΠΊΠΈ ΡΠ΅ΠΊΡΡΠΉΠ½ΠΈΡ
ΠΊΡΠ΅ΠΌΠ½ΡΡΠ²ΠΈΡ
Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΠΎΡΡΠ². ΠΠΈΠ³ΠΎΡΠΎΠ²Π»Π΅Π½Ρ Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΠΎΡΠΈ ΠΌΠΎΠΆΡΡΡ Π±ΡΡΠΈ Π²ΠΈΠΊΠΎΡΠΈΡΡΠ°Π½Ρ Π² ΡΠ΄Π΅ΡΠ½ΠΈΡ
Π΅ΠΊΡΠΏΠ΅ΡΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΠ°Ρ
Π·Π° ΡΡΠ°ΡΡΡ Π²Π°ΠΆΠΊΠΈΡ
ΡΠΎΠ½ΡΠ² ΠΏΡΠΈ Π½ΠΈΠ·ΡΠΊΠΈΡ
Π²ΠΈΡ
ΠΎΠ΄Π°Ρ
ΠΏΡΠΎΠ΄ΡΠΊΡΡΠ² ΡΠ΅Π°ΠΊΡΡΠΉ.ΠΠ° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ΠΏΡΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΡΡ
ΡΠΊΡΠΏΠ΅ΡΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΠ°Π»ΡΠ½ΡΡ
ΠΈΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΎΠΏΡΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅ΡΡ
Π½ΠΎΡΡΠ½ΠΎ-Π±Π°ΡΡΠ΅ΡΠ½Π°Ρ ΡΠ΅Ρ
Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡ ΡΠ΅ΠΊΡΠΈΠΎΠ½Π½ΡΡ
Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΠΎΡΠΎΠ² ΡΠ΄Π΅ΡΠ½ΡΡ
ΠΈΠ·Π»ΡΡΠ΅Π½ΠΈΠΉ Ρ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΠ»Π°ΡΡΠΈΠ½ Π²ΡΡΠΎΠΊΠΎΠΎΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ n-Si Π±ΠΎΠ»ΡΡΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠ°ΠΌΠ΅ΡΡΠ° (~ 100 ΠΌΠΌ). ΠΠ·Π³ΠΎΡΠΎΠ²Π»Π΅Π½Ρ 9-ΡΠ΅ΠΊΡΠΈΠΎΠ½Π½ΡΠ΅ Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΠΎΡΠ½ΡΠ΅ ΠΌΠ°ΡΡΠΈΡΡ, Π³Π΄Π΅ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Π°Ρ ΡΠ΅ΠΊΡΠΈΡ ΡΠ²Π»ΡΠ΅ΡΡΡ ΠΎΡΠ΄Π΅Π»ΡΠ½ΡΠΌ Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΠΎΡΠΎΠΌ Ρ ΡΠΎΠ»ΡΠΈΠ½ΠΎΠΉ ΡΡΠ²ΡΡΠ²ΠΈΡΠ΅Π»ΡΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡΠΈ W β€ 350 ΠΌΠΊΠΌ, ΡΠ°Π±ΠΎΡΠ΅ΠΉ ΠΏΠ»ΠΎΡΠ°Π΄ΡΡ S = 4 ΡΠΌΒ² ΠΈ ΡΠ½Π΅ΡΠ³Π΅ΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΠΌ ΡΠ°Π·ΡΠ΅ΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ R = 50β¦75 ΠΊΡΠ ΠΏΡΠΈ ΠΎΠ±Π»ΡΡΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΡΡΠ΅Ρ
ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½ΡΠ½ΡΠΌ Ξ±-ΠΈΡΡΠΎΡΠ½ΠΈΠΊΠΎΠΌ. ΠΠΏΡΠ΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Ρ ΡΠ»Π΅ΠΊΡΡΠΎΡΠΈΠ·ΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΠ΅ ΠΈ ΡΠΏΠ΅ΠΊΡΡΠΎΠΌΠ΅ΡΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΠ΅ Ρ
Π°ΡΠ°ΠΊΡΠ΅ΡΠΈΡΡΠΈΠΊΠΈ ΡΠ΅ΠΊΡΠΈΠΎΠ½Π½ΡΡ
ΠΊΡΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΡΡ
Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΠΎΡΠΎΠ². ΠΠ·Π³ΠΎΡΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½ΡΠ΅ Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΠΎΡΡ ΠΌΠΎΠ³ΡΡ Π±ΡΡΡ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ Π² ΡΠ΄Π΅ΡΠ½ΡΡ
ΡΠΊΡΠΏΠ΅ΡΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΠ°Ρ
Ρ ΡΡΠ°ΡΡΠΈΠ΅ΠΌ ΡΡΠΆΠ΅Π»ΡΡ
ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² ΠΏΡΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ
Π²ΡΡ
ΠΎΠ΄Π°Ρ
ΠΏΡΠΎΠ΄ΡΠΊΡΠΎΠ² ΡΠ΅Π°ΠΊΡΠΈΠΉ