Молекулярно-динамічне моделювання коефіцієнта теплопровідності кремній/германієвих нанониток

The thermal conductivity of silicon/germanium nanowires with different geometry and composition has beenstudied by using the nonequilibrium molecular dynamics method. The thermal conductivity of the Si1-xGexnanowire is shown to firstly decrease, reaches a minimum at x=0.4 and then to increase, as the germaniumcontent x grows. It was found that in the tubular Si nanowires the thermal conductivity decreases monotonouslywith increasing radius of the cylindrical void. The phonon spectra were calculated and the mechanisms of phononscattering in the investigated nanowires were analyzed.З використанням методу нерівноважної молекулярної динаміки розраховано коефіцієнт теплопровідності кремній/германієвих нанониток різної геометрії і компонентного складу. Показано, що при зростанні вмісту германію x, теплопровідність нанониток Si1-xGex зменшується, досягає мінімуму при x=0.4 і поступово починає зростати. Виявлено, що в порожнистих Si нанонитках коефіцієнт теплопровідності монотонно зменшується при зростанні радіусу порожнини. Розраховано фононні спектри та проаналізовано механізми фононного розсіювання в досліджуваних нанонитках