Two resistive switching regimes in thin film manganite memory devices on silicon

Bipolar resistive switching in low cost n-Si/La2/3Ca1/3MnO3/M (M¼TiþCu) devices was investigated. For low SET compliance currents (CC), an interfacial-related resistive switching mechanism, associated to the migration of oxygen vacancies close to the manganite/metal interface, is operative. Simulations using the voltage enhanced oxygen vacancies drift model validate our experimental results. When further increasing the CC, we have observed the onset of a second, filamentary, resistive switching regime with a concomitant collapse of the ON/OFF ratio. We finally demonstrate that it is possible to delay the onset of the filamentary regime by controlling the film thickness.Fil: Rubi, Diego. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Tesler, Federico Ariel. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Alposta, I.. Comisión Nacional de Energía Atómica; ArgentinaFil: Kalstein, Ariel. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica; ArgentinaFil: Ghenzi, Néstor. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Gomez Marlasca, F.. Comisión Nacional de Energía Atómica; ArgentinaFil: Rozenberg, Marcelo Javier. Universite Paris Sud; Francia. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Departamento de Física; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; ArgentinaFil: Levy, Pablo Eduardo. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentin