Pengaruh Laju Aliran Gas N2 terhadap Karakteristik Kristal Film Tipis Gan yang Ditumbuhkan dengan Metode Sol-gel Menggunakan Teknik Spin Coating

PENGARUH LAJU ALIRAN GAS N2 TERHADAP KARAKTERISTIK KRISTAL FILM TIPIS GaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE SOL-GEL MENGGUNAKAN TEKNIK SPIN COATING. Telah ditumbuhkan film tipis GaN di atas substrat silikon (111) dengan metode sol-gel menggunakan teknik spin-coating. Proses penumbuhan film tipis GaN dilakukan pada laju putaran spinner 1000 rpm, suhu penguapan pelarut 100 °C, suhu dekomposisi 400 °C, suhu deposisi 850 °C. Dua buah sampel film tipis GaN telah ditumbuhkan pada laju aliran gas nitrogen sebesar 16 sccm dan 40 sccm dengan molaritas Ga2O3 1,33 M. Film tipis GaN dikarakterisasi struktur kristalnya dengan menggunakan X-Ray Diffractometer (XRD). Hasil karakterisasi film tipis GaN dengan XRD menunjukkan kondisi optimal pada film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan molaritas Ga2O3 1,33 M dan laju aliran gas nitrogen 40 sccm. Film tipis GaN mempunyai struktur heksagonal dengan parameter kisi a = (3,116 ± 0,035)Å dan c = (5,170 ± 0,053)Å

Penumbuhan dan Karakterisasi Film Tipis Zno yang Dideposisi dengan Teknik Spin Coating Diatas Substrat Silikon

PENUMBUHAN DAN KARAKTERISASI FILM TIPIS ZnO YANG DIDEPOSISI DENGAN TEKNIK SPIN COATING DIATAS SUBSTRAT SILIKON. Telah dilakukan deposisi film tipis ZnO di atas substrat Si (001) dengan teknik spin coating, sebagai kandidat lapisan anti refleksi sel surya silikon. Zinc acetate dehydrate, 2-methoxyethanol dan mono ethanolamine berturut-turut digunakan sebagai material dasar, pelarut dan penstabil.Kekristalan filmtipis ZnOhasil deposisi dikarakterisasi menggunakan X-RayDiffractometer (XRD). Hasil karakterisasi XRD menunjukkan bahwa puncak intensitas pola difraksi sinar-X terjadi pada 2-theta sekitar 34,40 derajat, bersesuaian dengan orientasi bidang kristal (002). Hal ini menunjukkan bahwa film tipis ZnO hasil deposisi memiliki orientasi kristal tunggal ke arah sumbu-c, vertikal terhadap permukaan silikon. Kualitas kekristalan filmtipis ZnO ditentukan berdasarkan nilai Full Width at Half Maximum (FWHM) puncak intensitas pola difraksi sinar-X dan ukuran rata-rata butir kristal. Nilai FWHM ditentukan dengan bantuan software Microcal Origin sedangkan ukuran rata-rata kristal dihitung dengan menggunakan formula Debye-Scherrer berdasarkan data hasil karakterisasi XRD. Hasil perhitungan menunjukkan bahwa FWHM film tipis ZnO yang dideposisi pada temperatur 700 oC nilainya relatif kecil yaitu sekitar 0,39 nm dan ukuran rata-rata kristalnya sekitar 21,33 nm. Hal ini menunjukkan bahwa dari segi kekristalan film tipis ZnO hasil deposisi memiliki kualitas yang cukup baik. Nilai FWHM dan ukuran rata-rata butir kristal film tipis ZnO nilainya berubah ketika temperatur deposisi (T) diubah