Электроснабжение обжигового цеха, никелевого завода

Дипломный проект обжигового цеха "Никелевого завода", объект исследования является электрическая часть "Никелевого завода". Проектирования схем электроснабжения от подстанции энергосистемы, до электроприемника. Выбор кабелей и проводов, коммуникационное оборудования. Экономический расчет капитальных затрат на сооружение этой схемы.The graduation project of the roasting shop of the "Nickel Plant", the object of research is the electrical part of the "Nickel Plant". Designing power supply schemes from a power system substation, to an electrical receiver. Selection of cables and wires, communication equipment. Economic calculation of capital costs for the construction of this scheme

MOLECULAR ENGINEERING IN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY : BOROSILICATEGLASS BY DECOMPOSITION OF A MONOMOLECULAR PRECURSOR

Des verres borosilicatés (BSG) ont été déposés CVD sous basse pression à parois chaudes, et CVD assiblé par plasma à parlis de Tris(trimethylsiloxy)boron = TTMSB = B[OSi(CH3)3]3). Sous basse pression à 800 °C on obtient des verres à 4.7 % poids de bore. Par activation plasma il est possible de casser des liaisons détérminées dans la molécule initiale et de dêposer des films de haute qualité à 360 °C. Dans ce cas la teneur à bore peut varier de 0 à 5 % poids en changeant le paramêtres du procédé activé.Borosilicateglass (BSG) was deposited in a standard LPCVD-hotwall reactor and in a single-wafer PECVD-system using (Tris(trimethylsiloxy)boron = TTMSB = B[OSi(CH3)3]3) as source material. The LPCVD-deposition of BSG at 800 °C yields films of about 4.7 wt% boron. It is possible by means of plasma enhanced CVD to crack definite bondings in the precursor molecule and to deposite high quality BSG-films while reducing the deposition temperature down to 360 °C. A further advantage of the PECVD-process is that the boron content in the layers can be varyied in the range of 0 - 5 wt% by changing the process parameters