8 research outputs found
A method of improving clinical work with patients with peptic ulcer of stomach and duodenum
Objective: identification of risk groups for development of complications of ulcerous disease of stomach and duodenum.Material and Methods. We used data from the official statistical reports of the health Committee of the city of Saratov and the logs of incoming and departures/deaths of patients in the surgical and gastroenterology clinics of the city (1976-2006). The parameters of the prevalence of gastric ulcer and duodenal ulcer and its complications in the population of different age groups are analyzed. Linear regression analysis, odds ratio, and analysis of the speed characteristics of the dynamics of the studied parameters in time (mean, minimum, maximum speed, range of the dynamics of the studied parameters, the number of changes in the sign of the speed of change in the prevalence of the studied parameters) were applied. Results. It was found that the probability of complications of the disease is higher among those age groups, which are characterized by a frequent change in the sign of the rate of change in the prevalence of the pathology. The necessity of age accounting in stratification of the risk of complications of gastric ulcer and duodenal ulcer and the multiplicity of medical observation of persons of different ages with this pathology, taking into account the analytical parameters of the disease. Conclusion. The scheme of determining the multiplicity of dispensary examinations of patients with gastric ulcer and duodenal ulcer is proposed.</div
High-temperature characteristics of zone-melting recrystallized silicon-on-insulator MOSFETs
The characteristics of enhancement-mode MOS transistors fabricated on zone-melting recrystallized (ZMR) silicon-on-insulator (SOI) films were systematically experimentally investigated in the temperature range 25–300°C. The main temperature-dependent parameters (the threshold voltage, the channel mobility, subthreshold slope, off-state leakage currents) of ZMR SOI MOSFETs are described and compared with both theory and SIMOX devices. It is shown that high carrier mobilities and low off-state leakage currents can be obtained in thin-film ZMR SOI MOSFETs at elevated temperatures. At T = 300°C, far beyond the operating range of bulk silicon devices, the off-state leakage current in ZMR SOI MOSFETs with a 0.15 mm-thick silicon film was only 0.5 nA/mm (for VD = 3 V), that is 3–4 orders of magnitude lower than typical values in bulk Si devices. The presented results demonstrate that CMOS devices fabricated on sufficiently thin ZMR SOI films are well suited for high-temperature applications.Проведені кропіткі експериментальні дослідження високотемпературних (25-300°С) характеристик МОН транзисторів на базі КНІ-структур, виготовлених методом зонної лазерної перекристалізації. Розглянута поведінка основних температрно-залежних параметрів КНІ МОН транзисторів (порогової напруги, рухливості носіїв, підпорогового нахилу та струму витоку). Проведено порівняння отриманих результатів з теорією та аналогічними параметрами приладів, створених за допомогою ЗІМОХ технології. Показано, що при підвищених температурах тонкоплівкові транзистори, отримані лазерною зонною перекристалізацією, виявляють високу рухливість носіїв і низькі струми витоку закритого транзистора. При Т = 300°С, що значно перевищує робочий діапазон приладів на об.ємному кремнії, струм витоку в КНІ транзисторах з плівкою Si товщиною 0,15 мкм ст всього лишу 0,5 nA/mm (при VD = ЗВ), що на 3-4 порядка нижче типових величин для приладів на об.ємному кремнії. Наведені результати свідчать, що тонкі плівки КНІ, створені методом лазерної зонної перекристалізації, можуть успішно використовуватись для створення КМОН ІС для високотемпературних застосувань.Проведено детальное экспериментальное исследование высокотемпературных (25-300°С) характеристик МОП транзисторов на основе КНИ-структур, изготовленных методом лазерной зонной перекристаллизации. Рассмотрено поведение основных температурно-зависимых параметров КНИ МОП транзисторов (порогового напряжения, подвижности носителей, подпорогового наклона и тока утечки). Проведено сравнение полученных результатов с теорией и аналогичными параметрами приборов, созданных SIМОХ технологией. Показано, что при повышенных температурах тонкопленочные транзисторы, полученные лазерной зонной перекристаллизацией, проявляют высокую подвижность носителей и низкие токи утечки закрытого транзистора. При Т = 300°С, значительно превышающей рабочий диапазон приборов на объемном кремнии, ток утечки в КНИ транзисторах с пленкой Si толщиной 0,15 мкм составляет всего лишь 0,5 nA/mm (при VD = ЗВ), что на 3-4 порядка ниже типичных величин для приборов на объемном кремнии. Приведенные результаты свидетельствуют, что тонкие пленки КНИ, полученные методом лазерной зонной перекристаллизации, могут успешно использоваться для создания КМОП ИС для высокотемпературных применений
Radial distributions of RF discharge plasma parameters and radial electric field in the Uragan-3M torsatron
The results of local measurements of RF discharge plasma parameters (plasma density and its fluctuations, electron temperature and energy of superthermal electrons, plasma poloidal rotation velocity) in the Uragam-3M torsatron are presented. The obtained data are analyzed taking into account the peculiarities of the Uragan-3M magnetic configuration and scenario of RF plasma production and heating. Some suppositions about mechanisms of a radial electric field generation are discussed with the calculation of a magnetic configuration island structure
Formation of ITB in the vicinity of rational surfaces in the Uragan-3M torsatron
It was shown that there is the possibility of ITB formation in the vicinity of rational surfaces in a torsatron magnetic configuration. The formation of ITB is accompanied by fast change of plasma poloidal rotation velocity, radial electric field and its shear and the decrease of plasma density fluctuations. After the ITB formation the transition to the improved plasma confinement takes place. The transition stars when electron temperature in the region of rational surfaces is sufficient to satisfy the condition υTe/uei>>2πR0 (here υTe is electron thermal velocity and uei is the frequency of ion – electron collisions, and R0 is the major radius of the torus). Such a regime can be maintained during the whole duration of RF discharge without any disturbances.Показано, що існує можливість формування внутрішнього теплового бар’єру (ВТБ) в плазмі ВЧ розряду в околиці раціональних поверхонь в торсатронній магнітній конфігурації. Формування ВТБ супроводжується бистрими змінами швидкості полоідального обертання плазми, радіального електричного поля и його шира і зменшенням флуктуацій густини плазми поблизу раціональних поверхонь. Після формування ВТБ спостерігається перехід в режим поліпшеного утримання плазми. Час переходу зменшується із збільшенням ВЧ потужності нагріву.Показано, что имеется возможность формирования внутреннего теплового барьера (ВТБ) в плазме ВЧ разряда в окрестности рациональных поверхностей в торсатронной магнитной конфигурации. Формирование ВТБ сопровождается быстрыми изменениями скорости полоидального вращения плазмы, радиального электрического поля и его шира и уменьшением флуктуаций плотности плазмы вблизи рациональных поверхностей. После формирования ВТБ наблюдается переход в режим улучшенного удержания плазмы. Время перехода сокращается с увеличением ВЧ мощности нагрева
High-temperature characteristics of zone-melting recrystallized silicon-on-insulator MOSFETs
The characteristics of enhancement-mode MOS transistors fabricated on zone-melting recrystallized (ZMR) silicon-on-insulator (SOI) films were systematically experimentally investigated in the temperature range 25–300°C. The main temperature-dependent parameters (the threshold voltage, the channel mobility, subthreshold slope, off-state leakage currents) of ZMR SOI MOSFETs are described and compared with both theory and SIMOX devices. It is shown that high carrier mobilities and low off-state leakage currents can be obtained in thin-film ZMR SOI MOSFETs at elevated temperatures. At T = 300°C, far beyond the operating range of bulk silicon devices, the off-state leakage current in ZMR SOI MOSFETs with a 0.15 mm-thick silicon film was only 0.5 nA/mm (for VD = 3 V), that is 3–4 orders of magnitude lower than typical values in bulk Si devices. The presented results demonstrate that CMOS devices fabricated on sufficiently thin ZMR SOI films are well suited for high-temperature applications
Total dose radiation response of multilayer buried oxide insulators
The high radiation tolerance of SOI CMOS ICs to transient radiation effects and single event upset is well known [1], however, in contrast SOI CMOS devices are known to be rather susceptible to total-dose radiation effects. This sensitivity to total-dose exposure is associated with radiation-induced positive charge trapping in the thick buried oxides, which results in parasitic back-channel conduction in n-channel MOSFETs [2]. The most widely used method to suppress the radiation-induced back-channel conduction is additional doping of the Si film near the silicon film — buried insulator interface [3], however, at high irradiation doses this method is not always adequate
Chemistry of fruit flies: glandular secretion of bactrocera (Polistomimetes) visenda (Hardy)
The major component (>90% of volatiles) of the male rectal glandular extract of the nonpest species Bactrocera visenda (Hardy) is 3-methyl2-butenyl acetate, with minor components being the isomeric 3-methyl-3-butenyl acetate, the homologous esters, 3-methyl-2-butenyl propanoate and 3-methyl-2-butenyl formate, along with 3-methyl-2-buten-1-ol, 3-methyl-2-butenal, and 3-methylbutyl acetate. None of these compounds has been identified previously from a Bactrocera species, supporting the view that Bactrocera visenda is taxonomically distant from other Bactrocera species identified from the Australian mainland. This collection of compounds adds to the known types utilized by dipteran species and emphasizes their extensive biosynthetic capability