Magnetic force microscopy of YLaFeO films implanted by high dose of nitrogen ions

The scattering field gradient maps of surface layer magnetic domains in Y₂.₉₅La₀.₀₅Fe₅O₁₂ iron-yttrium garnet modified by high-dose ion implantation with nitrogen ions N+ were obtained by the method of magnetic force microscopy. It was found that improving the magnetic properties of thin films, which includes reducing the observed magnetic losses after high-dose implantation, is accompanied by essential ordering of magnetic domains on the surface of the implanted films. There is a direct dependence of the magnetic properties on the dose of implanted atoms, accompanied by a significant dispersion and amorphization of surface layer and formation of a clear magnetic structure

X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films

Luminescence properties of ytterbium ions in of У₃AI₅О₁₂ (УAG) epitaxial films have been investigated. The influence of growth conditions on the change of activator ions charge state and the luminescence in visible spectral region has been demonstrated. It has been established that emission bands with maxima at 480 and 580 nm are attributed to the 5d-4f transitions of Уb²⁺ ions. The emission bands with maxima at 330 nm and 500 nm correspond to transitions from charge transfer state to ²F₇/₂ and and ²F₅/₂ state of Уb³⁺ ions, respectively.Проведено исследование люминесцентных свойств ионов иттербия в эпитаксиальных пленках У₃AI₅О₁₂ (УAG). Показано влияние условий выращивания на изменение зарядового состояния ионов активатора и его свечения в видимой области спектра. Установлено, что люминесценция в полосах с максимумами при 480 нм и 580 нм в эпитаксиальных пленках УAG:Уb приписывается 5d-4f переходам ионов Уb²⁺. Полосы свечения с максимумами при 330 и 500 нм отвечают переходам из состояния переноса заряда соответственно на уровни ²F₇/₂ и ²F₅/₂ ионов Уb³⁺.Проведено дослiдження люмiнесцентних властивостей iонiв iтербiю в епiтаксiйних плiвках У₃AI₅О₁₂ (УAG). Показано вплив умов вирощування на змiну зарядового стану iонiв активатора та його свiчення у видимiй областi спектра. Встановлено, що люмiнеcценцiя в смугах з максимумами при 480 нм i 580 нм приписується 5d-4f переходам iонiв Уb²⁺. Смуги свiчення з максимумами при 330 i 500 нм вiдповiдають переходам зi стану перенесення заряду вiдповiдно на рiвнi ²F₇/₂ i ²F₅/₂ iонiв Уb³⁺