Oxidation of gallium arsenide in a plasma multipole device. Study of the MOS structures obtained

The oxygen plasma oxidation of GaAs was studied in order to obtain extremely high frequency responses with MOS devices. In the multipole system a homogeneous oxygen plasma of high density can easily be obtained in a large volume. This system is thus convenient for the study of plasma oxidation of GaAs. The electrical properties of the MOS diodes obtained in this way are controlled by interface states, located mostly in the upper half of the band gap where densities in the 10 to the 13th power/(sq cm) (eV) range can be estimated. Despite these interface states the possibility of fabricating MOSFET transistors working mostly in the depletion mode for a higher frequency cut-off still exists

CANON À ÉMISSION DE CHAMP POUR MICROANALYSE PAR SPECTROSCOPIE D'ÉLECTRONS AUGER

Un canon à émission de champ destiné à la microanalyse Auger a été developpé. La résolution spatiale de la sonde a été déterminée expérimentalement en fonction de l'intensité et de l'énergie du faisceau électronique. Les possibilités d'analyse de la microsonde ont été testées sur des îlots d'argent déposés sur une matrice de silicium.An electrostatic field emission microscope has been built to performe Auger analysis in small area (0,1 µm) in the 1 to 10 keV energy range. Micro Auger analysis have been demonstrated using silver clusters in a silicon matrix as a function of beam energy

CANON À ÉMISSION DE CHAMP POUR MICROANALYSE PAR SPECTROSCOPIE D'ÉLECTRONS AUGER

Un canon à émission de champ destiné à la microanalyse Auger a été developpé. La résolution spatiale de la sonde a été déterminée expérimentalement en fonction de l'intensité et de l'énergie du faisceau électronique. Les possibilités d'analyse de la microsonde ont été testées sur des îlots d'argent déposés sur une matrice de silicium