THE EFFECT OF 7E MODEL TO STUDENTS ACHIEVEMENT, DEVELOPMENT OF SCIENTIFIC PROCESS SKILLS, CONCEPTUAL ACHIEVEMENT AND RETENTION LEVELS IN ELECTRICAL CIRCUITS SUBJECT

Bu çalışmanın amacı, basit elektrik devrelerinde 7E modelinin kavram yanılgılarını gidermedeki yeterliliğinin üç aşamalı sorularla ölçülmesi ve 7E modelinin başarıya, bilimsel süreç becerilerine ve bilgilerin kalıcılığına etkisini incelemektir. Çalışma, 2007-2008 eğitim-öğretim yılı ikinci döneminde (Bahar), Ankara ili Mamak ilçesi Çağrıbey Anadolu Lisesi'nde 11. sınıflardan seçilen bir deney ve iki kontrol grubu üzerinde gerçekleştirilmiştir. Grupların her birinde 29'ar öğrenci olmak üzere toplam 87 öğrenci bulunmaktadır. Deney grubunda işlenen ders araştırmacı tarafından yapılandırmacı yaklaşıma dayalı 7E modeli kullanılarak, kontrol-I grubunda işlenen ders araştırmacı tarafından düz anlatım ve soru-cevap yöntemleri kullanılarak ve kontrol-II grubunda işlenen ders ise yine düz anlatım ve soru-cevap yöntemleri kullanılarak başka bir fizik dersi öğretmeni tarafından yürütülmüştür. Çalışmada, ön test-son test kontrol gruplu yarı-deneysel desen kullanılmıştır. Çalışma, haftada 3 saat olmak üzere toplam 7 haftalık süre içerisinde gerçekleştirilmiştir. Deneysel işlem öncesinde deney ve kontrol gruplarının denkliğini belirlemek amacı ile başarı testi (BT), üç aşamalı sorulardan oluşan kavram yanılgıları testi (KYT), bilimsel süreç becerileri testi (BSBT), elektrik konularına karşı ilgi ve tecrübe anketi (EİTA), öğrencilerin Anadolu Liseleri giriş sınavı sonuçları (ALS) ve fizik dersi karne notları (FKN) kullanılmıştır. Uygulamanın sonunda son test olarak BT, KYT, BSBT uygulanmıştır. Ayrıca, uygulamanın bitiminden yaklaşık beş ay sonra KYT kalıcılık testi olarak uygulanmıştır. Araştırmanın bulgularına göre; 7E modelinin öğrencilerin başarılarına, kavram yanılgılarının giderilmesine, bilimsel süreç becerilerinin gelişimine anlamlı bir katkı sağladığı görülmüştür. Araştırmadan elde edilen sonuçlara göre, 7E modelinin fizik dersi öğretiminde kullanılması önerilmektedir. Ayrıca, 7E modeline göre hazırlanmış örnek ders planları sunulmuştur.The purpose of this study is to measure the effectiveness of the 7E model to eliminate misconceptions in simple electric circuits with three-tier questions and to research the effect of 7E model on the academic success, science process skills and retention of information. The study has been carried out on equal three groups (one experimental group and two control groups) of grade 11th students at Mamak Çağrıbey Anatolian High School in 2007-2008 second (spring) semester in Ankara. This study included 29 students per groups, 87 students in total. The lesson has been taught using 7E model based on constructivist approach in experimental group by the researcher, in control-I group, the course has been taught using direct instruction and question-answer method by the researcher and in control-II group the course has been taught using direct instruction and question-answer method by the physics teacher. At the study, control grouped pretest- posttest quasi-experimental design was used. The study took 3 hours per week, total 7 weeks. Before the experimental process, achievement test (AT), three-tier misconception test (MT), a test of scientific process skills (SPS), interest and experience questionnaire about simple electricity (IEQ), the result of the Anatolian High School entrance exams and report marks of physics were used in order to establish the equivalence of experimental and control groups. Achievement vi test, three-tier misconception test, a test of scientific process skills were given as post test. Additionally, approximately five months after the post test, three-tier misconception test as a retention test was given to the students. According to the findings of the study, it is shown that 7E model has a significantly contribution to the achievement of the students, to eliminate of misconceptions and the development of scientific process skills. According to the results of the study, it is suggested that 7E model should be used in teaching of physics lessons. In addition, sample lessons plan prepared for 7E model were presented

Obtaining of Frequency and Voltage Dependent Resistance and Interfacial States Distribution Profiles on Au/(PrBaCoO nanofiber)/n-Si Structures with Different Methods

In this study, the density of interface states (NSS) and series resistance (RS) were examined for both frequency and voltage in PrBaCoO-nanofiber interface layered metal-semiconductor (Au/nSi) structures. For this purpose, capacitance-voltage (C-V) and conductivity-voltage (G/w-V) measurements were performed at room temperature, 1 kHz-1 MHz frequency and (+-3 V) voltage range. Frequency and voltage-dependent distributions of interface states were obtained from Hill Coleman and high-low capacitance (CHF-CLF) methods, and RS from Nicollian-Brews method. Interfacial states and their lifetime were obtained from the Admittance/Conductance method developed by Nicollien and Goetzberger. Experimental results show that NSS states in impedance measurements are particularly effective in the regions of depletion and inversion while RS is only effective in the accumulation region and at high frequencies. The measured capacitance and conductivity values are corrected for high frequencies to minimize the RS effect on the measured C-V and G/w-V pilots

NiAu-AlGaN/GaN HETEROYAPILARIN ELEKTRİKSEL KARAKTERİSTİKLERİNİN SICAKLIĞA BAĞLI İNCELENMESİ

(Ni/Au)/Al0.22Ga0.78N/AlN/GaN heteroyapıların (çokluyapıların) akım-voltaj (IV), kapasitans-voltaj (C-V), kondüktans-voltaj (G/w-V) karakteristikleri, 80- 400 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Termiyonik emisyon (TE) teorisine göre; I-V karakteristiklerinden elde edilen sıfır beslem engel yüksekliğinin (ΦBo) artan sıcaklıkla artarken idealite faktörünün (n) artan sıcaklıkla azaldığı gözlendi. Ayrıca Richardson grafiğinin 80 - 200 K ve 240 - 400 K sıcaklık aralığında iki farklı eğime sahip olduğu gözlendi. Bu şekildeki davranış, Schottky engel homojensizliğine atfedildi ve engel homojensizliğinin çift Gaussian dağılımı ile açıklandı. Sonuç olarak, (Ni/Au)/Al0.22Ga0.78N/AlN/GaN çokluyapıların doğru beslem I-V karakteristiklerinin sıcaklığa bağlılığı, engel yüksekliklerinin TE mekanizması temelinde çift Gaussian dağılımı ile başarılı bir şekilde açıklanabileceği görüldü. Ayrıca (Ni/Au)/Al0.22Ga0.78N/AlN/GaN çokluyapıların doğru ve ters beslem C-V ve G/w-V karakteristiklerinden, seri direnç (Rs) ve arayüzey durum yoğunluğu (Nss) dikkate alınarak 80 - 400 K sıcaklık aralığında 1 MHz için incelendi. C-V ve G/w-V sonuçlarından, Nss ve Rs değerlerinin çokluyapının elektriksel özellikleri üzerinde oldukça etkili olduğu gözlendi. Doğru ve ters beslemde ölçülen yüksek frekans (1 MHz) C ve G/w değerleri, gerçek Cc ve Gc/ω değerlerini elde etmek için seri direnç etkisi dikkate alınarak düzeltildi. AC elektriksel iletkenliğin (σac) ise sıcaklıkla azalmakta olduğu gözlendi. Doğru öngerilimdeki farklı gerilimler için Arrhenius eğrilerinin eğiminden aktivasyon enerjileri hesaplandı. Hesaplanan değerlerin gerilimden bağımsız olduğu gözlendi.The current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) characteristics of (Ni/Au)/Al0.22Ga0.78N/AlN/GaN heterostructures were measured in the temperature range of 80-400 K. Calculated from I-V characteristics according to thermionic emission (TE) theory; while the zero bias barrier height (ΦBo) increases with increasing temperature, the ideality factor (n) values decreases with increasing temperature. The Richardson plot deviated from linearity under room temperatures. Such behavior is attributed to inhomogeneties of Schottky barrier by assuming a double Gaussian distribution. It has been concluded that the temperature dependence of the forward I-V characteristics of the (Ni/Au)/Al0.22Ga0.78N/AlN/GaN heterostructures can be successfully explained on the basis of TE mechanism with double Gaussian distribution of the barrier heights. Also, the forward and reverse bias C-V and G/w-V characteristics of (Ni/Au)/Al0.22Ga0.78N/AlN/GaN heterostructures have been investigated by considering the effect of the series resistance (Rs) and surface states (Nss) over a wide temperature of 80-400 K, at 1 MHz. The C-V and G/w-V characteristics confirm that the Nss and Rs of the heterostructure are important parameters that strongly influence the electrical parameters. The high frequency (1 MHz) C and G/w values measured under both reverse and forward bias were corrected for the effect of series resistance to obtain the real heterostructure capacitance. Also the electrical conductivity (σac) is found to decrease with increasing temperature. The activation energy values were obtained from Arrhenius plot for various applied forward bias voltages. Calculated values are almost independent from applied forward bias voltage