3D printing of nanoinks based on the metal and semiconductor nanoparticles

Nowadays, we observe the transition for creation of the domestic and industry objects from the traditional methods involving the assembling of the different parts obtained by cutting, molding or otherwise to the additive manufacturing which refers to the object formation by using a layer-by-layer deposition of the versatile materials (metals, plastics, glasses, and so on) in the one 3D printing technological process. In the electronics, the attention should be given to the especially perspective technology, that is 3D ink printing of inks based on the metal nanoparticles (Ag, Cu, Sn) to obtain the printed circuit boards, charge-collecting contacts of thin-film solar cells and its connections with the external loads. Moreover, the inks based on the semiconductor materials (Cu2ZnSn(S,Se)4, ZnO) are the promising for the use in the sensitive elements of photoconverters, thermoelectric generators, transparent electronics, gas sensors, and touchpads

Влив температури підкладки на оптичні властивості плівок Zn2SnO4

Використання плівок ZTO як провідного фронтального контакту до тонкоплівкових сонячних елементів на основі гетеропереходу CdTe/CdS дозволило підвищити ефективність перетворення енергії з 13,5% (контакт з SnO2) до 20,4%. На цей час всі відомі перетворювачі з рекордними параметрами на основі цього гетеропереходу обов’язково містять шар ZTO

Влив температури підкладки на оптичні властивості плівок Zn2SnO4

Використання плівок ZTO як провідного фронтального контакту до тонкоплівкових сонячних елементів на основі гетеропереходу CdTe/CdS дозволило підвищити ефективність перетворення енергії з 13,5% (контакт з SnO2) до 20,4%. На цей час всі відомі перетворювачі з рекордними параметрами на основі цього гетеропереходу обов’язково містять шар ZTO

3D printing of nanoinks based on the metal and semiconductor nanoparticles

Nowadays, we observe the transition for creation of the domestic and industry objects from the traditional methods involving the assembling of the different parts obtained by cutting, molding or otherwise to the additive manufacturing which refers to the object formation by using a layer-by-layer deposition of the versatile materials (metals, plastics, glasses, and so on) in the one 3D printing technological process. In the electronics, the attention should be given to the especially perspective technology, that is 3D ink printing of inks based on the metal nanoparticles (Ag, Cu, Sn) to obtain the printed circuit boards, charge-collecting contacts of thin-film solar cells and its connections with the external loads. Moreover, the inks based on the semiconductor materials (Cu2ZnSn(S,Se)4, ZnO) are the promising for the use in the sensitive elements of photoconverters, thermoelectric generators, transparent electronics, gas sensors, and touchpads

Determination of fundamental optical constant of Zn2SnO4 films

Examined in this paper have been optical properties of polycrystalline films Zn2SnO4 deposited using the spray pyrolysis method within the range of substrate temperatures 250 °C to 450 °C in increments of 50 °C. The spectral dependences have been found for the following physical quantities: k(λ), n(λ), ε1(λ), ε2(λ) and defined as they change under the influence of substrate temperature Тs. Moreover, using the model by Wemple–DiDomenico it was calculated the dispersion energy Ео and Ed for this oxide. Two independent methods defined band gaps Zn2SnO4, which decreases from 4.21…4.22 eV down to 4.04…4.05 eV with increasing Тs from 250 °C up to 450 °C

Синтез, дослідження та оптимізація властивостей плівок халькогенідів кадмію та цинку легованих рідкісноземельними та ізовалентними домішками

Відпрацювання технологічних прийомів керування оптичними, фотолюмінесцентними та електрофізичними характеристиками сполук А2В6 з метою отримання зразків з програмованими фізичними властивостями. Оптимізація фізичних властивостей плівок напівпровідникових сполук та гетероструктур на їх основі шляхом легування бінарних сполук домішками РЗЕ елементів, ізовалентними домішками, домішками елементів перехідних металів

Синтез, дослідження та оптимізація властивостей плівок халькогенідів кадмію та цинку легованих рідкісноземельними та ізовалентними домішками

Відпрацювання технологічних прийомів керування оптичними, фотолюмінесцентними та електрофізичними характеристиками сполук А2В6 з метою отримання зразків з програмованими фізичними властивостями. Оптимізація фізичних властивостей плівок напівпровідникових сполук та гетероструктур на їх основі шляхом легування бінарних сполук домішками РЗЕ елементів, ізовалентними домішками, домішками елементів перехідних металів

Структурні, оптичні та електричні характеристики тонких і товстих плівок твердих розчинів CdTe з ізовалентними домішками (Mn, Zn) для високоефективних детекторів іонізуючого випромінювання та сонячних елементів

В роботі проведено комплексне дослідження плівок CdTe, ZnTe та твердих розчинів СZT, CMT на неорієнтуючих підкладках, отриманих співвипаровуванням шихти CdTe та ZnTe(Mn) з двох незалежних джерел та їх суміші з одного джерела у квазізамкненому об’ємі (КЗО). Мета роботи: З’ясування можливості використання тонко– і товстоплівкових структур на основі трикомпонентних твердих розчинів Cd1–xZn(Mn)xTe для поглинаючих шарів детекторів іонізуючого випромінювання. Оптимізація структурних, люмінесцентних та електрофізичних характеристик плівкових базових шарів на основі твердих розчинів А2В6 для їх подальшого використання у приладах мікроелектроніки та геліоенергетики. Предмет досліджень: cтруктурні, електричні, оптичні, люмінесцентні властивості, ансамбль дефектів тонких і товстих полікристалічних плівок твердих трикомпонентних розчинів Cd1–xZnxTe, Cd1–xMnxTe, отриманих при різних умовах вирощування методом квазізамкненого об’єму при різних умовах конденсації

Структурні, оптичні та електричні характеристики тонких і товстих плівок твердих розчинів CdTe з ізовалентними домішками (Mn, Zn) для високоефективних детекторів іонізуючого випромінювання та сонячних елементів

В роботі проведено комплексне дослідження плівок CdTe, ZnTe та твердих розчинів СZT, CMT на неорієнтуючих підкладках, отриманих співвипаровуванням шихти CdTe та ZnTe(Mn) з двох незалежних джерел та їх суміші з одного джерела у квазізамкненому об’ємі (КЗО). Мета роботи: З’ясування можливості використання тонко– і товстоплівкових структур на основі трикомпонентних твердих розчинів Cd1–xZn(Mn)xTe для поглинаючих шарів детекторів іонізуючого випромінювання. Оптимізація структурних, люмінесцентних та електрофізичних характеристик плівкових базових шарів на основі твердих розчинів А2В6 для їх подальшого використання у приладах мікроелектроніки та геліоенергетики. Предмет досліджень: cтруктурні, електричні, оптичні, люмінесцентні властивості, ансамбль дефектів тонких і товстих полікристалічних плівок твердих трикомпонентних розчинів Cd1–xZnxTe, Cd1–xMnxTe, отриманих при різних умовах вирощування методом квазізамкненого об’єму при різних умовах конденсації