Структурні дослідження тонкоплівкових наношарів a-Ge2S3 методом рентгенівської фотоелектронної спектроскопії та фотоелектронної спектроскопії з використанням синхротронного випромінювання

Ge2S3-based films have been prepared by flash evaporation of glassy powder and investigated using photoelectron spectroscopy. The SRPS and XPS spectra of a-Ge2S3 have been considered after the illumination and annealing of films. The changes in the parameters of the film’s core level peaks induced by near or above band gap illumination and thermal treatment have been measured as well. The influence of the oxidation of Ge containing species on the top of the films on their structural changes is discussed in detail.Пленки Ge2S3 изготавливались методом дискретного термического испарения порошка и исследовались методами фотоэлектронной спектроскопии. Получены СФС и РФС спектры облученных лазером и термически отожженных пленок Ge2S3. Проанализированы изменения параметров фотоэлектронных спектров пленок, вызванные лазерным облуче­ни­ем с энергией, близкой к ширине запрещенной зоны, и термическим отжигом. Детально обсуждается влияние окисления Ge в приповерхностных слоях на структурные изменения в пленкеПлівки Ge2S3 були виготовлені методом дискретного термічного випаровування порошку і досліджувалися методом фотоелектронної спектроскопії. Досліджені СФС і РФС спектри опромінених лазером та відпалених плівок Ge2S3. Також проаналізовані зміни параметрів фото­електрон­них спектрів плівок, індуковані лазерним опроміненням з енергією, близькою до ширини забороненої зони, і термічним відпалом. Обговорюється вплив окислення Ge у при поверхневих шарах на структурні зміни у плівці