Grundlagen zur Bodenfruchtbarkeit - Die Beziehung zum Boden gestalten

Die Broschüre beleuchtet die Bodenfruchtbarkeit aus verschiedenen wissenschaftlichen und bäuerlichen Blickwinkeln. Die Informationen wollen praktische Beobachtungen der Landwirte ergänzen und dazu anregen, die Beziehung zum Boden zu überdenken und eine wirklich nachhaltige Bodenkultur zu praktizieren

Základy půdní úrodnosti

Zvyšování půdní úrodnosti bylo pro průkopníky ekologického zemědělství základem veškerého jejich úsilí. Přesto zachování úrodné půdy mnohdy nebyla věnována dostatečná pozornost. Ekologické zemědělství je však na přirozené půdní úrodnosti závislé. Oslabená a poškozená půda nám nemůže poskytnout to, co od ní očekáváme. Udržet úrodnost půdy vyžaduje velkou péči. Předkládaná brožura ukazuje půdní úrodnost z různých úhlů pohledu. Naším záměrem však nebylo vytvořit obecně platný „návod k použití“. Informace mají být mnohem spíše podnětem k tomu, aby se o vztahu člověka k půdě smýšlelo jinak a aby se tento vztah utvářel ve prospěch budoucnosti

Realization of Minimum and Maximum Gate Function in Ta2_{2}O5_{5}-based Memristive Devices

Redox-based resistive switching devices (ReRAM) are considered key enablers for future non-volatile memory and logic applications. Functionally enhanced ReRAM devices could enable new hardware concepts, e.g. logic-in-memory or neuromorphic applications. In this work, we demonstrate the implementation of ReRAM-based fuzzy logic gates using Ta2O5 devices to enable analogous Minimum and Maximum operations. The realized gates consist of two anti-serially connected ReRAM cells offering two inputs and one output. The cells offer an endurance up to 106 cycles. By means of exemplary input signals, each gate functionality is verified and signal constraints are highlighted. This realization could improve the efficiency of analogous processing tasks such as sorting networks in the future

Current Compliance-Dependent Nonlinearity in TiO2 ReRAM

Nonvolatile redox-based resistive RAM (ReRAM) is considered to be a promising candidate for passive nanocrossbar integration. For this application, a high degree of nonlinearity in I-V characteristics of the ReRAM device is required. In this letter, the nonlinearity parameter as a function of forming/SET current compliance in a MOSFET-integrated TiN/TiO2/Ti/Pt ReRAM device is investigated. The nonlinearity parameter in the ReRAM device improves at the lower SET current compliance. This is due to scaling down the conductive filaments during the forming and the SET process. The nonlinearity is further increased by scaling down the oxide thickness that is accompanied by a reduction of the switching current

I Fondamenti della fertilità del terreno

La fertilità del suolo è riconosciuta come valore fondante sin dai pionieri dell'agricoltura biologica ma, ancor oggi, alla conservazione di un suolo fertile non viene attribuita abbastanza attenzione. Eppure l'agricoltura biologica dipende da una buona e naturale fertilità del suolo