Стабильные формирователи импульсного тока для питания светодиодов

Стабільні генератори світлових імпульсів нано- та субнаносекундної тривалості можуть знайти широке використання у експериментальній техніці, приладобудуванні. У якості джерела світла в таких генераторах перспективно використовувати стабільні, широкосмугові, швидкі світлодіоди на основі карбіду кремнію, що працюють у режимі електричного пробою. Існує необхідність створення стабільних формувачів імпульсного струму для їх живлення. Метою даної роботи є створення таких формувачів на основі лавинних та швидкісних польових транзисторів. Випробувана значна кількість типів та екземплярів недорогих епітаксіальних транзисторів, працюючих у лавинному режимі. Експериментально визначено оптимальний інтервал напруг пробою колекторного переходу. Досліджена часова нестабільність формувачів на лавинних транзисторах. Виявлені закономірності їх старіння. Відпрацьована схема формувача на польовому транзисторі, що працює під керівництвом лавинного, що дозволяє формувати субнаносекундні імпульси струму через світлодіоди амплітудою до 1 А.Stable generators of light impulses nano and subnanosecond duration can find a wide usage in an experimental technique, instrument-making. As a light source in such generators it is perspective to use stable, broadband, fast-acting light-emitting diodes on the basis of carbide of silicon, working in the mode of electric break-down. There is a necessity of creation of stable reshapers of pulse current for their power supply. A objective of this paper is creation of such reshapers on the basis of the avalanche and high-speed field-effect transistors. A lot of types and copies of inexpensive epitaxial transistors working in the avalanche mode is tested. The optimal interval of break-down voltages of collector junction is experimentally determined. Temporal instability of reshapers on avalanche transistors is investigated. Behaviour of their ageing(degradation) is studied. The circuit design of reshaper on the field transistor working by avalanche transistor control is developed. That allows to form the subnanosecond impulses of current through light-emitting diodes by amplitude to 1 A.Стабильные генераторы световых импульсов нано- и субнаносекундной длительности могут найти широкое применение в экспериментальной технике, приборостроении. В качестве источника света в таких генераторах перспективно использовать стабильные, широкополосные, быстродействующие светодиоды на основе карбида кремния, работающие в режиме электрического пробоя. Имеется необходимость создания стабильных формирователей импульсного тока для их питания. Целью данной работы является создание таких формирователей на основе лавинных и быстродействующих полевых транзисторов. Испытано значительное количество типов и экземпляров недорогих эпитаксиальных транзисторов, работающих в лавинном режиме. Экспериментально установлен оптимальный интервал напряжений пробоя коллекторного перехода. Исследована временная нестабильность формирователей на лавинных транзисторах. Выявлены закономерности их старения. Отработана схема формирователя на полевом транзисторе, работающем под управлением лавинного, которая позволяет формировать субнаносекундные импульсы тока через светодиоды амплитудой до 1 А

Thermoanemometery based on polycrystalline silicon carbide cubic modification

Карбідкремнієві сенсори займають важливий сегмент ринку приладів для екстремальних умов застосування. Показано, що одним з оптимальних напівпровідникових матеріалів для виміру температури і швидкості потоку є полікристалічний карбід кремнію кубічної модифікації, легований в процесі низькотемпературного зростання акцепторною домішкою бору 3СSiC (В). Метою роботи було розробка термоанемометра на основі 3СSiC(В) і вивчення його характеристик. Сенсори швидкості і температури анемометра виготовлені з одного блоку у вигляді пластинок площею 1×1 мм2 і товщиною 200 – 300 мкм. Визначені градуювальні характеристики датчика опору до 700К і анемометра в діапазоні температур (290 – 410) К. Температурний коефіцієнт опору складає 3,5×10-2град-1 при Т=300К. За допомогою анемометра проведений вимір полів температур і швидкостей конвективних потоків повітря, що створюються нагрітою пластиною. Точність виміру швидкості потоку складає 0,1м/с, а температури 0,1°С з просторовим розрізненням 2 мм.Silicon carbide sensors occupy an important segment of the market of devices for extreme conditions usage. It has been shown that one of the semiconductor materials for optimum temperature and flow rate of a SiC polycrystalline cubic modification doped in process low temperature of growth 3CSiC by acceptor impurity boron (B). The goal was to develop thermoanemometer based on 3CSiC (B) and to study its characteristics. Velocity and temperature sensors of the anemometer were made of one block in the form of plates: area 1×1 mm2 and a thickness of 200 - 300 microns. Calibration characteristics of the sensor resistance up to 700K and the anemometer in the temperature range (290 - 410) K were determined. Temperature coefficient of resistance was 3,5 × 10-2 grad-1 at T = 300K. Temperature and velocity fields of convective air currents generated by the heated plate were measured by this anemometer. Measuring accuracy was: for flow rate 0.1 m/s, and for temperature 0,1 ° C with step 2 mm.Карбидкремниевые сенсоры занимают важный сегмент рынка приборов для экстремальных условий применения. Показано, что одним из оптимальных полупроводниковых материалов для измерения температуры и скорости потока является поликристаллический SiC кубической модификации, легированный в процессе низкотемпературного роста акцепторной примесью бора 3СSiC(В). Целью работы было разработка термоанемометра на основе 3СSiC(В) и изучение его характеристик. Датчики скорости и температуры анемометра изготовлены из одного блока в виде пластинок площадью 1×1 мм2 и толщиной 200 – 300 мкм. Определены градуировочные характеристики датчика сопротивления до 700К и анемометра в диапазоне температур (290 – 410) К. Температурный коэффициент сопротивления составляет 3,5×10-2град-1 при Т = 300К. С помощью анемометра проведено измерение полей температур и скоростей конвективных потоков воздуха, создаваемых нагретой пластиной. Точность измерения скорости потока составляет 0,1м/с, а температуры 0,1°С с разрешением 2 мм