Разработка технологии ручной дуговой и механизированной под слоем флюса сварки нахлесточных соединений пластин

В выпускной квалификационной работе разработана технология ручной дуговой и механизированной сварки под слоем флюса нахлёсточных соединений пластин из стали 10Г2С1Д, предложено устройство для сварки. Произведены расчеты режимов сварки. В экономической части ВКР выполнен расчет экономического эффекта от внедрения новой технологии. Рассмотрены вопросы безопасности труда производственных рабочих и охраны окружающей среды. Выпускная квалификационная работа бакалавра выполнена в текстовом редакторе Microsoft Word 2016In final qualifying wok the technology of manual arc and mechanized welding under a layer of flux of lap joints of plates from steel 10G2C1D, is developed, the device for welding is suggested. Calculations of welding modes are dene. In economic pat of final qualifying work, the calculation of the economic effect from the introduction of new technology is fulfilled. Issues of labor safety of industrial warblers and environmental protection are considered. The final qualifying work is done in a text editor Microsoft word 2016

A systematic review of methods used to study fish in saltmarsh flats

There is a growing body of research highlighting the importance of saltmarshes as habitats for fish for feeding, refuge from predation and reproduction. However, more work is needed on fish on vegetated marsh flats (or surfaces). We reviewed 60 studies that used 21 methods to sample fish assemblages on saltmarsh flats. Drop samplers, fyke nets and pop nets were most frequently employed, with considerably more studies being conducted in graminoid than succulent marsh. Reporting of sampling temporal and tidal details, environmental variables and fish attributes was inconsistent. Most of the papers focussed on one or more of conservation management, comparisons among habitat types, and the use of saltmarsh (including fish activity type or residency status). Important potential areas of research include the relationships between the fish assemblages of saltmarsh flats and coastal fisheries, the effects of invasive plant species and marsh restoration efforts in areas outside the United States, and the potential effects of sea-level rise on vegetated flats as fish habitat. Sampling methods that provide density measures are likely to be most useful for most of this research. Thus, drop samplers and pop nets are an appropriate choice, the former in graminoid saltmarshes and the latter in succulent saltmarshes

Buffer layer-assisted growth of Ge nanoclusters on Si

In the buffer layer-assisted growth method, a condensed inert gas layer of xenon, with low-surface free energy, is used as a buffer to prevent direct interactions of deposited atoms with substrates. Because of␣an unusually wide applicability, the buffer layer-assisted growth method has provided a unique avenue for creation of nanostructures that are otherwise impossible to grow, and thus offered unprecedented opportunities for fundamental and applied research in nanoscale science and technology. In this article, we review recent progress in the application of the buffer layer-assisted growth method to the fabrication of Ge nanoclusters on Si substrates. In particular, we emphasize the novel configurations of the obtained Ge nanoclusters, which are characterized by the absence of a wetting layer, quasi-zero dimensionality with tunable sizes, and high cluster density in comparison with Ge nanoclusters that are formed with standard Stranski-Krastanov growth methods. The optical emission behaviors are discussed in correlation with the morphological properties

Untersuchung der Elektrolumineszenz von SiGe/Si Heterostrukturen

In dieser Arbeit wurde die Elektrolumineszenz von Si$_{1-x}$Ge$_{x}$/Si-Heterostrukturen untersucht. Dazu wurden pin-Dioden hergestellt, in deren i-Region eine Si$_{1-x}$Ge$_{x}$-Struktur eingebettet ist. Die Dioden wurden in Durchlaßrichtung betrieben, um eine Injektion von Elektronen und Löchern in die i-Region zu erreichen. Ziel war es, Aufschluß über die für die Elektrolumineszenz bedeutsamen Injektions- und Rekombinationsprozesse zu erhalten. Mit dieser Kenntnis sollte die Lumineszenzausbeute maximiert und das Anwendungspotential abgeschätzt werden. Dafür wurden drei verschiedene Si$_{1-x}$Ge$_{x}$/Si-Strukturtypen untersucht. Dies waren Strukturen mit dicken Si$_{1-x}$Ge$_{x}$-Schichten, mit Si$_{1-x}$Ge$_{x}$-Quantentöpfen und mit Si$_{1-x}$Ge$_{x}$-Inseln. Elektrolumineszenz-Studien an Strukturen mit dicken Si$_{1-x}$Ge$_{x}$-Schichten führten zu grundlegenden Erkenntnissen über die Rekombinationsmechanismen in verspanntem Si$_{1-x}$Ge$_{x}$. Die Analyse der Linienform ergab, daß in der Si$_{1-x}$Ge$_{x}$-Schicht bei höherenTemperaturen und Stromdichten keine Exzitonen vorliegen, sondern ein Elektron-Loch-Plasma existiert. Dadurch konnten auch die Löcherkonzentrationen, die während des Betriebs der EL-Dioden in der S$_{1-x}$Ge$_{x}$-Schicht auftreten, ermittelt werden. Es wurde unseres Wissens nach erstmals gezeigt, warum im Gegensatz zu unverspanntem Si und Ge in verspanntem Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ keine Kondensation von Elektronen und Löchern in sogenannte Elektron-Loch-Tröpfchen beobachtet werden kann. Der Grund ist hauptsächlich die wesentlich kleinere Zustandsdichte im Valenzband, welche durch die Verspannung verursacht wird. Aus der Stromdichteabhängigkeit der Lumineszenzintensität wurden wichtige Informationen über die verschiedenen Rekombinationsprozesse in der Si$_{1-x}$Ge$_{x}$-Schicht gewonnen. Es zeigte sich, daß die strahlenden Rekombinationen bei niedrigeren Stromdichten hauptsächlich mit nichtstrahlenden Störstellen-Rekombinationen konkurrieren, bei höheren Stromdichten kommen noch nichtstrahlende Auger-Rekombinationen hinzu. In dieser Arbeit wurde der Einfluß der nichtstrahlenden Auger-Rekombination auf die Si$_{1-x}$Ge$_{x}$-Lumineszenz erstmals explizit berücksichtigt. Wie gezeigt wurde, legt die Auger-Rekombination die prinzipielle, intrinsische Obergrenze der Quanteneffizienz in Si$_{1-x}$Ge$_{x}$/Si-Strukturen fest. Mit einem Modell, welches die verschiedenen Rekombinationsraten explizit [...

Untersuchungen von Silizium- und Silizium/Germanium-Schichtstrukturen mittels DLTS und CV-Profiler

In den letzten Jahren hat die Halbleiterphysik ständig an Bedeutung zugenommen. Sie ist dabei in zweierlei Hinsicht von besonderem Interesse: Einerseits läßt sich in diesem Bereich interessante Grundlagenforschung betreiben, andererseits sind ihre Anwendungen für die moderne Elektronik von zentraler Bedeutung. Als ein sehr wichtiges Anwendungsfeld sei hier die Informationstechnik hervorgehoben. Obwohl die Verbindungshalbleiter aus Elementen der III. und V. Hauptgruppe (z. B. GaAs, InP) gegenüber den Elementhalbleitern Silizium und Germanium einige wichtige Vorteile besitzen, ist für die Anwendung vor allem das Silizium nach wie vor das wichtigste Halbleitermaterial. Die Gründe dafür sind hauptsächlich die besser beherrschte Technologie und der günstigere Preis des Siliziums. Daher ist es im Hinblick auf industrielle Anwendungen besonders interessant, das Material nicht nur mit MBE (Molekularstrahlepitaxie), sondern auch mit LPCVD (Niederdruck-Gasphasenepitaxie) herzustellen. Eine der Grundlagen für alle elektronischen Anwendungen von Halbleitern ist die Dotierung. Sie wird durch den Einbau von bestimmten Fremdelementen in den Halbleiterkristall (z. B. Bor, Phosphor in Silizium) erreicht. Diese Fremdelemente erzeugen Energiezustände in der Bandlücke des Halbleiters, die sich nahe der Valenz- oder Leitungsbandkante befinden und deshalb sehr einfach Elektronen aufnehmen bzw. abgeben können. Diese Zustände werden auch flache Störstellen genannt. Im Gegensatz dazu gibt es auch sogenannte tiefe Störstellen, deren Energiezustände mehr in der Mitte der Bandlücke liegen. Diese tiefen Störstellen entstehen z. B. durch Verunreinigungen oder Kristallfehler und haben einen großen, mit wenigen Ausnahmen meist negativen Einfluß auf die elektrische und optische Qualität der Halbleiter. Sowohl in der modernen Grundlagenforschung als auch bei neuen Anwendungen spielen Halbleiterheteroübergänge eine wichtige Rolle, Dies sind Übergänge zwischen verschiedenen Halbleitermaterialien mit unterschiedlich großen Bandlücken (z. B. Si und SiGe), an denen es deshalb im Verlauf der Bänder zu Diskontinuitäten kommt. Der wichtigste Parameter ist hierbei die Größe dieser Diskontinuität. Das Thema dieser Arbeit ist die Untersuchung von flachen und tiefen Störstellen sowie von Heteroübergängen in Si- und Si/SiGe-Schichtstrukturen. Dazu werden zwei verschiedene elektrische Meßverfahren verwendet. Beide Verfahren basieren auf der Messung der Kapazität einer Sperrschicht, welche sich an einem Metall- Halbleiter- bzw. Elektrolyt-Halbleiter-Kontakt (Schottky-Kontakt) ausbildet. Der CV-Profiler kombiniert die bekannte Kapazitäts-Spannungsmessung (CVMessung) zur Bestimmung der Dotierung mit elektrochemischem Atzen, um ein weitreichenderes Tiefenprofil zu erhalten. DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) wertet das Zeitverhalten der Kapazität (Transienten) nach bestimmten Spannungspulsen aus und wird gewöhnlicherweise zur Charakterisierung tiefer Störstellen eingesetzt. In dieser Arbeit wird mit DLTS aber auch das Verhalten einzelner SiGe/Si-Quantentöpfe (SQW) untersucht. Das Ziel der Beschäftigung mit dem CV-Profiler ist hier, durch Ermittlung optimaler Parameter zuverlässigere Meßergebnisse an Si- und SiGe-Schichten zu erhalten sowie die Möglichkeiten und Grenzen der Methode zu ermitteln. Die Meßergebnisse sollen dann zur Charakterisierung der Epitaxie (LPCVD) verwendet werden, um unter anderem auch die Herstellung der DLTS-Proben zu ermöglichen. Mit den DLTS-Messungen wird das Material dann auf elektrisch aktive Verunreinigungen untersucht, um Aufschluß über dessen Qualität zu erhalten und gegebenenfalls Gegenmaßnahmen ergreifen zu können. Das Ziel der DLTS-Untersuchungen an den Quantentöpfen ist es schließlich, die Valenzbanddiskontinuitätzwischen Si und verspanntem SiGe zu bestimmen sowie Informationen über die Qualität der Schichtsysteme zu gewinnen

Untersuchungen von Si- und SiGe-Schichtstrukturen mittels DLTS und CV-Profiler

Available from TIB Hannover: RA831(2617) / FIZ - Fachinformationszzentrum Karlsruhe / TIB - Technische InformationsbibliothekSIGLEDEGerman