Моделирование нелинейной динамики пучка заряженных частиц в аксиально-симметричном электростатическом поле методом матрициантов

Technique of modeling of nonlinear dynamics of a beam of the charged particles in axial electrostatic field by a method of matrizant is developed. Code calculating matrizant of axial electrostatic field and allowing is written to expect parameters of a beam. Results of account bending around of a beam in the electrostatic accelerator EGP-10 are submitted. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/155

Моделирование процессов формирования ионных пучков в зондах с распределенными системами магнитных квадрупольных линз

Разработана математическая модель, позволяющая учитывать угловое отклонение в магнитных квадрупольных линзах от нормального положения при проводке пучка через зондоформирующую систему. Проведено моделирование матричным методом влияния отклонения каждой линзы на параметры зонда на мишени в распределенных системах магнитных квадрупольных линз для двух наиболее распространенных конфигураций зондоформирующих систем – триплет и «русский квадруплет». При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/2962

Дослідження плівок CZTSe методом µ-PIXE

У результаті досліджень визначено елементний склад плівок в залежності від їх режимів нанесення. Ці результаті порівнювалися з даними отриманими методом SIMS. Показано, що результати одержані різними методами, добре корелюють між собою, це свідчить про їх достовірність. Аналіз карти розподілу підтверджує рівномірний розподіл елементів по площині плівки та їх високу якість

Дослідження плівок CZTSe методом µ-PIXE

У результаті досліджень визначено елементний склад плівок в залежності від їх режимів нанесення. Ці результаті порівнювалися з даними отриманими методом SIMS. Показано, що результати одержані різними методами, добре корелюють між собою, це свідчить про їх достовірність. Аналіз карти розподілу підтверджує рівномірний розподіл елементів по площині плівки та їх високу якість

Cu2ZnSnSe4 films for solar cells absorbing layers

С целью оптимизации структурных параметров в работе методами электронной микроскопии и рентген- дифрактометрии исследованы пленки CZTSe, полученные соиспарением компонентов соединения (Cu, Zn, Sn, и Se) с исполь- зованием ячеек Кнудсена. В результате анализа рентгеновских дифракционных картин было показано, что пленки имеют од- нофазную тетрагональную кристаллическую структуру c текстурой роста [211]. Период решетки материала изменяется в ин- тервале a = (0.56640-0.56867) нм, с = (1.13466-1.13776) нм. Полученные пленки могут быть использованы в качестве поглоща- ющих слоев высокоэффективных тонкопленочных солнечных преобразователей. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/32569CZTSe films obtained by co-evaporating of compounds components (Cu, Zn, Sn, и Se) with using Knudsen cell were investigated by electron microscopy and X-ray diffractometry methods in order to optimize the structural parameters. The analysis of X-ray diffraction showed that CZTSe films have practically monophase tetragonal crystal structure and growth texture of [211] . The lattice period of the material varies in the range of a = (0.56640-0.56867) nm, c = (1.13466-1.13776) nm. Obtained films can be used as highly absorbent layers of thin film solar cells. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3256

Влияние процессов сегрегации и термодиффузии на формирование границ раздела в наноструктурных и многоэлементных покрытиях (Ti-Hf-Zr-V-Nb)N

Впервые были исследованы сверхтвердые наноструктурные покрытия на основе (Ti-Hf-Zr-V-Nb) до и после отжига при 600oC. Было обнаружено, что захват позитронов дефектами происходит по границам нанозерен и на интерфейсах (вакансиях и нанопорах, входящих в тройные и более стыки нанозерен). Получены карты распределения элементов в 3D-измерениях в сверхтвердом покрытии, измеренные методом mu-PIXE (микропучка протонов). Профили элементов и дефектов (полученные микропучком позитронов) позволяют понять физическую картину процессов, связанных с формированием границ раздела (интерфейсов) и субграниц в наноструктурном покрытии (Ti-Zr-Hf-V-Nb)N. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3393

Визначення елементного складу та розподілу елементів по поверхні плівок Pb1-xSnxS методами PIXE та µ-PIXE

Тонкі плівки твердого розчину Pb1-xSnxS можуть бути використані для створення приймачів інфрачервоного випромінювання, твердотільних лазерів та ін. Також ці плівки привертають до себе підвищену увагу дослідників як поглинаючі шари дешевих тонкоплівкових сонячних елементів, альтернативні таким традиційним матеріалам як CuInSe2, CuIn1–xGaxSe2, Cu2ZnSnS4(Se) та CdTe. У даній роботі вивчалися плівки Pb1-xSnxTe, отримані методом гарячої стінки у вакуумі на скляних підкладках при різнф температурі нанесення. Для визначення елементного складу конденсатів використовувалося рентгенівське характеристичне випромінювання індуковане протонним пучком (методи PIXE, µ-PIXE). Відповідні дослідження проводилися на мікроаналітичному прискорювальному комплексі «Сокіл» (ІПФ, Суми, Україна) з енергією пучка протонів 1,5 МеВ

Дослідження плівок Pb1-xSnxTe методами XRD та µ-PIXI

В останній час плівки трьохкомпонентного розчину Pb1-xSnxTe привертають до себе підвищену увагу як поглинаючі шари дешевих тонкоплівкових сонячних елементів альтернативні таким матеріалам як CuInSe2, CuIn1–xGaxSe2, Cu2ZnSnS4 та CdTe. Також ці напівпровідники використовуються для створення приймачів інфрачервоного випромінювання, твердотільних лазерів, а також є перспективними для побудови фотоприймачів терагерцового діапазону

Дослідження плівок CZTSe методом m-PIXE

Дослідження плівок CZTSe, отриманих співвипаровуванням складових елементів, проводилося за допомогою методу m-PIXI. В роботі було визначено елементний склад плівок в залежності від їх режимів нанесення. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3407

Дослідження плівок Pb1-xSnxTe методами XRD та µ-PIXI

В останній час плівки трьохкомпонентного розчину Pb1-xSnxTe привертають до себе підвищену увагу як поглинаючі шари дешевих тонкоплівкових сонячних елементів альтернативні таким матеріалам як CuInSe2, CuIn1–xGaxSe2, Cu2ZnSnS4 та CdTe. Також ці напівпровідники використовуються для створення приймачів інфрачервоного випромінювання, твердотільних лазерів, а також є перспективними для побудови фотоприймачів терагерцового діапазону