2 research outputs found
ΠΠ·ΡΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡΠΎΡΠ΅ΡΡΠΎΠ² ΡΠΎΡΠΌΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ ΠΌΠ°ΡΡΠΈΠ²ΠΎΠ² ΠΊΠ°ΠΏΠ΅Π»Ρ Π·ΠΎΠ»ΠΎΡΠ° Π½Π° ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ°Ρ ΠΊΡΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΡ ΠΌΠ΅ΡΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π²ΡΡΠΎΠΊΠΎΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΡΠΆΠΈΠ³Π°
In this study, the peculiarities of the transformations of gold films deposited on the Si wafer surfaces as a result of high temperature anneals are investigated experimentally depending on the conditions of wafer surface preparation and the annealing regimes. The morphology and the distribution functions of the crystallites of gold films as well as the gold droplets formed as a result of anneals are studied as functions of annealing temperature, type of annealing (rapid thermal or rapid furnace annealing), and the state of the surface of Si wafers. The results obtained can be used for the controlled preparation of the arrays of catalytic gold droplets for subsequent growth of Si wire-like crystals.Π ΡΠΎΠ±ΠΎΡΡ Π²ΠΈΠ²ΡΠ΅Π½ΠΎ ΠΎΡΠΎΠ±Π»ΠΈΠ²ΠΎΡΡΡ ΡΡΠ°Π½ΡΡΠΎΡΠΌΠ°ΡΡΡ Π·ΠΎΠ»ΠΎΡΠΈΡ
ΠΏΠ»ΡΠ²ΠΎΠΊ, Π½Π°Π½Π΅ΡΠ΅Π½ΠΈΡ
Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅ΡΡ
Π½Ρ ΠΊΡΠ΅ΠΌΠ½ΡΡΠ²ΠΈΡ
ΠΏΠ»Π°ΡΡΠΈΠ½, Π² ΡΠ΅Π·ΡΠ»ΡΡΠ°ΡΡ Π²ΠΈΡΠΎΠΊΠΎΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π²ΡΠ΄ΠΏΠ°Π»Ρ Π² Π·Π°Π»Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡΡ Π²ΡΠ΄ ΡΠΌΠΎΠ² ΠΏΡΠ΄Π³ΠΎΡΠΎΠ²ΠΊΠΈ ΠΏΠΎΠ²Π΅ΡΡ
Π½Ρ ΠΏΠ»Π°ΡΡΠΈΠ½ ΡΠ° ΡΠ΅ΠΆΠΈΠΌΡΠ² Π²ΡΠ΄ΠΏΠ°Π»Ρ. ΠΠΎΡΡΠΎΠ»ΠΎΠ³ΡΡ Ρ ΡΠΎΠ·ΠΏΠΎΠ΄ΡΠ» ΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»ΡΡΡΠ² ΠΏΠ»ΡΠ²ΠΎΠΊ Π·ΠΎΠ»ΠΎΡΠ°, Π° ΡΠ°ΠΊΠΎΠΆ ΠΌΠ°ΡΠΈΠ²ΡΠ² ΠΊΡΠ°ΠΏΠ΅Π»Ρ Π·ΠΎΠ»ΠΎΡΠ°, ΡΡΠΎΡΠΌΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ
Π² ΡΠ΅Π·ΡΠ»ΡΡΠ°ΡΡ Π²ΡΠ΄ΠΏΠ°Π»Ρ, Π΄ΠΎΡΠ»ΡΠ΄ΠΆΠ΅Π½Ρ ΡΠΊ ΡΡΠ½ΠΊΡΡΡ ΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡΠΈ Ρ ΡΠΈΠΏΡ Π²ΡΠ΄ΠΏΠ°Π»Ρ (ΡΠ²ΠΈΠ΄ΠΊΠΈΠΉ ΡΠ΅ΡΠΌΡΡΠ½ΠΈΠΉ Π°Π±ΠΎ ΡΠ²ΠΈΠ΄ΠΊΠΈΠΉ Π²ΡΠ΄ΠΏΠ°Π» Π² ΠΏΠ΅ΡΡ) ΡΠ° ΡΡΠ°Π½Ρ ΠΏΠΎΠ²Π΅ΡΡ
Π½Ρ ΠΏΠ»Π°ΡΡΠΈΠ½ Si. ΠΡΡΠΈΠΌΠ°Π½Ρ ΡΠ΅Π·ΡΠ»ΡΡΠ°ΡΠΈ ΠΌΠΎΠΆΡΡΡ Π±ΡΡΠΈ Π²ΠΈΠΊΠΎΡΠΈΡΡΠ°Π½Ρ Π΄Π»Ρ ΠΊΠΎΠ½ΡΡΠΎΠ»Ρ Π²ΠΈΠ³ΠΎΡΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½Ρ ΠΌΠ°ΡΠΈΠ²ΡΠ² ΠΊΠ°ΡΠ°Π»ΡΡΠΈΡΠ½ΠΈΡ
ΠΊΡΠ°ΠΏΠ΅Π»Ρ Π·ΠΎΠ»ΠΎΡΠ° Π΄Π»Ρ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π»ΡΡΠΎΠ³ΠΎ Π²ΠΈΡΠΎΡΡΠ²Π°Π½Π½Ρ Π½ΠΈΡΠΊΠΎΠ²ΠΈΠ΄Π½ΠΈΡ
ΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»ΡΠ² Si.Π ΡΠ°Π±ΠΎΡΠ΅ ΠΈΠ·ΡΡΠ΅Π½Ρ ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡΠΈ ΡΡΠ°Π½ΡΡΠΎΡΠΌΠ°ΡΠΈΠΈ Π·ΠΎΠ»ΠΎΡΡΡ
ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ, Π½Π°Π½Π΅ΡΠ΅Π½Π½ΡΡ
Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅ΡΡ
Π½ΠΎΡΡΡ ΠΊΡΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΡΡ
ΠΏΠ»Π°ΡΡΠΈΠ½, Π² ΡΠ΅Π·ΡΠ»ΡΡΠ°ΡΠ΅ Π²ΡΡΠΎΠΊΠΎΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΡΠΆΠΈΠ³Π° Π² Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡΠΈ ΠΎΡ ΡΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Π³ΠΎΡΠΎΠ²ΠΊΠΈ ΠΏΠΎΠ²Π΅ΡΡ
Π½ΠΎΡΡΠΈ ΠΏΠ»Π°ΡΡΠΈΠ½ ΠΈ ΡΠ΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ² ΠΎΡΠΆΠΈΠ³Π°. ΠΠΎΡΡΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡ ΠΈ ΡΠ°ΡΠΏΡΠ΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»Π»ΠΈΡΠΎΠ² ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ Π·ΠΎΠ»ΠΎΡΠ°, Π° ΡΠ°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠ°ΡΡΠΈΠ²ΠΎΠ² ΠΊΠ°ΠΏΠ΅Π»Ρ Π·ΠΎΠ»ΠΎΡΠ°, ΡΡΠΎΡΠΌΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½Π½ΡΡ
Π² ΡΠ΅Π·ΡΠ»ΡΡΠ°ΡΠ΅ ΠΎΡΠΆΠΈΠ³Π°, ΠΈΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Π½Ρ ΠΊΠ°ΠΊ ΡΡΠ½ΠΊΡΠΈΠΈ ΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡΡ ΠΈ ΡΠΈΠΏΠ° ΠΎΡΠΆΠΈΠ³Π° (Π±ΡΡΡΡΡΠΉ ΡΠ΅ΡΠΌΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ Π±ΡΡΡΡΡΠΉ ΠΎΡΠΆΠΈΠ³ Π² ΠΏΠ΅ΡΠΈ) ΠΈ ΡΠΎΡΡΠΎΡΠ½ΠΈΡ ΠΏΠΎΠ²Π΅ΡΡ
Π½ΠΎΡΡΠΈ ΠΏΠ»Π°ΡΡΠΈΠ½ Si. ΠΠΎΠ»ΡΡΠ΅Π½Π½ΡΠ΅ ΡΠ΅Π·ΡΠ»ΡΡΠ°ΡΡ ΠΌΠΎΠ³ΡΡ Π±ΡΡΡ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ Π΄Π»Ρ ΠΊΠΎΠ½ΡΡΠΎΠ»Ρ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡ ΠΌΠ°ΡΡΠΈΠ²ΠΎΠ² ΠΊΠ°ΡΠ°Π»ΠΈΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΡ
ΠΊΠ°ΠΏΠ΅Π»Ρ Π·ΠΎΠ»ΠΎΡΠ° Π΄Π»Ρ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΡΡΡΠ΅Π³ΠΎ Π²ΡΡΠ°ΡΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΡ Π½ΠΈΡΠ΅Π²ΠΈΠ΄Π½ΡΡ
ΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»Π»ΠΎΠ² Si
Growth of silicon self-assembled nanowires by using gold-enhanced CVD technology
In spite of the fact that, a great deal of experimental research has been published, there is a lack of good understanding of silicon nanowires growth to exert control over important properties of the system, though it presents the simplest system like gold on silicon substrate. In the current research, to find the best conditions to grow silicon nanowires with prespecified properties, we studied various technological regimes both of growth-seed formation and conditions of silicon nanowires growth