Nouvelles techniques de réalisation de photopiles au silicium

Dans cet article on passe en revue les différentes méthodes d'élaboration des cellules solaires terrestres à base de silicium (sans concentration lumineuse). En partant des méthodes actuelles d'élaboration du silicium et des jonctions, on analyse les progrès possibles. Puis, l'accent est mis sur les voies nouvelles explorées actuellement pour l'obtention de silicium mono ou polycristallin en couches minces. Puis, on s'intéresse aux différents procédés, non conventionnels, mis en oeuvre pour la réalisation de la barrière de potentiel

Augmentation de la hauteur de barrière de diodes de Schottky au silicium : Application aux cellules solaires

Le rendement des cellules solaires au silicium réalisées par diode Schottky dépend essentiellement de la hauteur de la barrière de potentiel au contact métal-semiconducteur. On propose ici deux procédés permettant de porter cette barrière aux environs de 1 eV, soit par évaporation de hafnium sur du silicium P, soit par une implantation d'ions avant la formation d'une diode Schottky à l'or sur du silicium N

Emploi de lasers dans la technologie des photopiles

Dans cet article on passe en revue les différentes applications des lasers de puissance continus ou impulsionnels dans la technologie des cellules solaires à base de silicium. On considère tout d'abord les différents modèles développés pour calculer les effets de ces flux lumineux intenses sur le silicium ; puis, on analyse les possibilités d'emploi de ces dispositifs pour préparer des films autosupportants ou des couches sur substrat. Finalement, trois méthodes de réalisation de la jonction sont décrites : activation de dopants diffusés, implantation ionique conventionnelle ou simplifiée et dépôt de films en surface

Inhibition of Na+/H+ exchange reduces Ca2+ mobilization without affecting the initial cleavage of phosphatidylinositol 4,5-bisphosphate in thrombin-stimulated platelets

AbstractStimulation of human platelets increases cytoplasmic pH (pHi) via activation of Na+/H+ exchange. We have determined the effect of inhibiting Na+/H+ exchange on (i) thrombin-induced Ca2+ mobilization and (ii) turnover of 32P-labelled phospholipids. Blocking Na+/H+ exchange by removal of extracellular Na+ or by ethylisopropylamiloride (EIPA) inhibited Ca2+ mobilization induced by 0.2 Uml thrombin, whereas increasing pHi by NH4C1 enhanced the thrombin-induced increase in cytosolic free Ca2+. The effect of EIPA was bypassed after increasing pHi by moneasin. The thrombin-induced cleavage of phosphatidylinositol 4,5-bisphosphate (PIP2) was unaffected by treatments that blocked Na+/H+ exchange or increased pHi. It is concluded that activation of Na+/H+ exchange is a prerequisite for Ca2+ mobilization in human platelets but not for the stimulus-induced hydrolysis of PIP2

Influence des collisions nucléaires sur la linéarite des détecteurs à semiconducteurs

On a déterminé le défaut de hauteur d'impulsion dans les diodes à barrière de surface bombardées par des ions He+, N+ et Ne + d'énergies comprises entre 30 et 150 keV. L'influence des collisions nucléaires et de la canalisation des ions est plus spécialement analysée

Spectromètres Ge(Li) 0 absorption totale

On a réalisé divers spectromètres Ge(Li) à absorption totale constitués par deux diodes fonctionnant en coïncidence-somme, ainsi qu'un détecteur puits de 52 cm3

Compensation in undoped and halogen doped CdTe crystals

A theoretical model is proposed which allows the calculation of the concentration of defects in pure and halogen compensated cadmium telluride grown by the THM method. All associations and ionization reactions are described in terms of the law of mass action. The ionization energies of the defects are taken from the energy level diagram established by taking into account the latest experimental data. The concentrations of the different defects calculated for chlorine doped material are in good agreement with that measured using a time of flight method

ANALYSIS AND ORIGIN OF POINT DEFECTS IN SILICON AFTER LIQUID PHASE TRANSIENT ANNEALING

Works devoted to the study of point defects in pulsed laser annealed silicon are reviewed by means of electrical characterization. Tailing effects of the implanted distribution are responsible for the observed residual defects in the case of a layer amorphized by ion implantation. However, difficulty in annealing some kinds of point defects by reducing the duration of laser pulse have been shown using slightly disordered silicon. Finally, in the case of irradiated virgin silicon, a high level of point defects are created, which are essentially donor levels that introduce a compensating effect in P-type silicon

Electron spin and cyclotron resonance of laser annealed silicon

EPR and cyclotron resonance investigations have been performed on laser annealed Si wafers, leading to the identification of the [V + O i]- complex in virgin Si and to a donor signal quenching in P-implanted Si

DEPTH MEASUREMENT OF THE PHASE CHANGE UNDER PULSED RUBY LASER ANNEALING

Irradiation of crystalline silicon by pulsed ruby laser induces a surface phase change. A direct measurement of the maximum thickness phase change is reported. Successful comparison with a thermal model is done