ОДЕРЖАННЯ ПРОЗОРИХ ПРОВІДНИХ ПЛІВОК CdO І ZnO ПІРОЛІЗОМ АЦЕТАТІВ КАДМІЮ І ЦИНКУ

The authors performed technological investigations to obtain high-quality CdO and ZnO films using pyrolysis of cadmium and zinc acetates. It was found that conductivity of the resulting films can be controlled by deposition technique, thermal treatment, and introduction of additional elements into the solution. All the films featured low specific resistivity and good optical properties, making them a promising material to be used as transparent electrodes for photovoltaic devices operating under visible light.Исследованы технологические режимы получения качественных пленок CdO и ZnO методом пиролиза ацетатов кадмия и цинка. Определено, что электропроводимость полученных пленок зависит от режимов осаждения, термообработки и от типа введенных в раствор примесей и специальных добавок. Показано, что полученные пленки владеют низким удельным сопротивлением и высокими оптическими свойствами, что позволяет использовать их в качестве прозрачных электродов фотопреобразователей в видимой области спектра электромагнитного излучения.Досліджено технологічні режими отримання якісних плівок CdO і ZnO методом піролізу ацетатів кадмію і цинку. Установлено, що електропровідність отриманих плівок залежить від режимів осадження, термообробки та від типу введених у розчин домішок і спеціальних добавок. Показано, що отримані плівки володіють низьким питомим опором і високими оптичними властивостями, що дозволяє використовувати їх в якості прозорих електродів фотоперетворювачів у видимій області спектра електромагнітного випромінювання

The properties of metal contacts on TiO2 thin films produced by reactive magnetron sputtering

The article deals with research on volt-ampere characteristics of metal contacts (Al, Cr, In, Mo, Ti) on titanium dioxide thin films and influence of annealing in vacuum on their electric properties. Volt-ampere characteristics measurements were taken by three-probe method. There was established that indium contact on TiO2 thin films possessed sharply defined ohmic properties

Electrical properties of heterostructures MnS/n-CdZnTe obtained by spray pyrolysis

The conditions for obtaining diode heterostructures of MnS/ n -CdZnTe by the method of spray pyrolysis of MnS alabandite thin films on n -CdZnTe crystalline substrates were investigated. Based on the analysis of the temperature dependences of the I-V-characteristics, the mechanisms of the influence of electronic processes on the forward current in the MnS film are established. The mechanisms of current flow at reverse bias are revealed. The conditions for the formation of the energy barrier at the MnS/ n -CdZnTe heterojunction and the influence on its parameters of the energy states at the semiconductor interface are studied. Based on the C-V-characteristics, the peculiarities of the distribution of electrically active impurities in the base region are investigated and the interaction of the alabandite film capacitance with the diffusion capacitance of the heterostructure is revealed. The proposed model of the energy diagram of the heterostructure well describes the experimental results