Transistor por efeito de campo e fotocondutor de poli(o-metoxianilina).

RESUMO: Esse artigo apresenta resultados sobre fabricação e caracterização de um transistor por efeito de campo (FET) tendo a poli(o-metoxianilina) - POMA - como material ativo. Uma adaptação de processos de microeletrônica tradicional foi feita para a confecção desse dispositivo. O FET desenvolvido apresentou modulação por voltagem de porta Vg, mas operou mesmo em Vg=0. A corrente de dreno I D aumentou significativamente sob iluminação na região da radiação visível e infravermelho próximo, mostrando o caráter fotocondutor da POMA dopada e, portanto, do dispositivo. Um modelo teórico baseado nos mecanismos de condução eletrônica da POMA, e de efeitos de interface metal-polímero foi elaborado, ajustando-se muito bem aos resultados experimentais.<br>ABSTRACT: A field effect transistor - FET made from poly(o-methoxyaniline) (POMA), which is a conductive polymer, was developed. Several modifications were carried out to adapt the procedures generally used in traditional device developments. The characteristic of the FET produced was sensible to the gate modulation, but it operates even for V G = 0. The drain current I D enhanced under visible and near infrared radiation, showing the photoconductor character of POMA and, consequently, of the device. A theoretical model, based on the electronic properties of POMA and on the metal-polymer interface, was developed which is in good agreement with the experimental results