ВЛИЯНИЕ ГЕРМАНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО В СТРУКТУРУ «ДИОКСИД КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ», НА ПРОЦЕССЫ НАКОПЛЕНИЯ ЗАРЯДА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СТАЦИОНАРНОГО ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Results on the influence of Ge ion implantation into pyrogenic SiO2 on radiation charge accumulation are presented. Ge embedding in the silicon dioxide/ silicon system has been analyzed theoretically. We show that Ge ion embedding in the stoichiometric silicon dioxide at the silicon dioxide/ silicon interface or forming Ge nanoclusters in the SiO2 bulk provide an energetic advantage.Представлены результаты исследования влияния имплантации германия в пирогенный оксид на процессы накопления заряда при воздействии ионизирующего излучения. Проведен теоретический анализ процессов встраивания германия в систему «диоксид кремния на кремнии». Показано, что германию энергетически выгодно встраиваться в насыщенный кремнием нестехиометрический оксид (на границе «кремний — диоксид кремния») и формировать нанокластеры в объеме SiO2

Effect of heat treatment on the structure and properties of the VST3553 modified alloy

Effect of heat treatment on the structure and properties of the modified alloy VST3553 was studied by means of scanning electron microscopy, mechanical tensile tests, mechanical testing of double shear. It is found the best combination of properties (τs ≥ 755 MPa, σв ≥ 1450 MPa, δ ≥ 16 %) has a hot-deformed alloy after quenching from 770 °C and aging at 475 °C for 12 hours.С использованием растровой электронной микроскопии, проведения механических испытаний на разрыв и двойной срез изучено влияние упрочняющей термической обработки на формирование структуры и свойств модифицированного сплава VST3553. Установлено, что наиболее высоким комплексом свойств (τср ≥ 755 МПа, σв ≥ 1450 МПа, δ ≥ 16 %) обладает горячедеформированный сплав, подвергнутый закалке от 770 °С и последующему старению при 475 °С в течение 12 ч