20 research outputs found
ИЗУЧЕНИЕ КОЛИЧЕСТВЕННЫХ ЗАКОНОМЕРНОСТЕЙ ГЕНЕТИЧЕСКОЙ РЕКОМБИНАЦИИ У ФАГА Т4. II. АНАЛИЗ ДАННЫХ ПО СТАНДАРТНЫМ ДВУХФАКТОРНЫМ СКРЕЩИВАНИЯМ
No full textИЗУЧЕНИЕ КОЛИЧЕСТВЕННЫХ ЗАКОНОМЕРНОСТЕЙ ГЕНЕТИЧЕСКОЙ РЕКОМБИНАЦИИ У ФАГА Т4. III. АНАЛИЗ ДАННЫХ ПО ТРЕХФАКТОРНЫМ СКРЕЩИВАНИЯМ
No full textИЗУЧЕНИЕ КОЛИЧЕСТВЕННЫХ ЗАКОНОМЕРНОСТЕЙ ГЕНЕТИЧЕСКОЙ РЕКОМБИНАЦИИ У ФАГА Т4. I. ТЕОРИЯ МОЛЕКУЛЯРНЫХ МОДЕЛЕЙ ТИПА РАЗРЫВА – ВОССОЕДИНЕНИЯ ДЛЯ ПОПУЛЯЦИОННЫХ ФАГОВЫХ СКРЕЩИВАНИЙ С ТЕСНО СЦЕПЛЕННЫМИ МАРКЕРАМИ
No full text
ИЗУЧЕНИЕ КОЛИЧЕСТВЕННЫХ ЗАКОНОМЕРНОСТЕЙ ГЕНЕТИЧЕСКОЙ РЕКОМБИНАЦИИ У ФАГА Т4. V. ОПТИМИЗАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ ТЕОРИИ С УЧЕТОМ РАЗЛИЧНОЙ КОРРЕКТИРУЕМОСТИ МУТАЦИЙ
No full text
Method of samples preparation intended for research of deep centers in i-, n-, and p-layers of GaAs p<sup>+</sup>-pin-n<sup>+</sup> structures and result of analysis
Full text linkStudy of Surface Defects in 4H-SiC Schottky Diodes Using a Scanning Kelvin Probe
Full text linkAbstract. In the present paper we attempt to study and explain the increased leakage currents in Schottky diodes with an integrated p-n-structure. By a scanning Kelvin probe method (vibrating capacitor) were obtained the local variations of surface contact potential difference (CPD) for the chips with large and small leakage currents. It is shown that samples with higher leakage currents have smaller surface potential barrier. The SEM investigations revealed that a critical role in increasing leakage currents play the dislocations penetrating from the substrate into the epitaxial layer.</jats:p
The Specificity of Solid-phase Interaction of Aluminium with Silicon Carbide in the Manufacture of Diffusion-welded Contacts to Semiconductor Devices
Full text linkИЗУЧЕНИЕ КОЛИЧЕСТВЕННЫХ ЗАКОНОМЕРНОСТЕЙ ГЕНЕТИЧЕСКОЙ РЕКОМБИНАЦИИ У ФАГА Т4. IV. ЭФФЕКТ МАРКЕРА В ТРЕХФАКТОРНЫХ СКРЕЩИВАНИЯХ
No full text
