Generating of low energy intensive ion streams in conditions of low pressure

In the work the method of forming of low energy ion streams near the sample surface with separating the generation area of plasma and the acceleration area of ion is offered. It allows to lower pressure in acceleration area essentially (0.01 Pa and below). The separating of the areas takes place at the expense of vacuum resistance in a plasma generating device. The dependence of plasma parameters on exterior parameters of the device is determined and the way of the further decreasing of working pressure in the modification area up to 10⁻³ – 10⁻⁴ Pa are shown

Application of the modified plasma accelerator for amorphous diamond-like films production

In the paper the problem of diamond-like films production by sputtering of a graphite target in the modified plasma accelerator with closed electrons drift is considered. The diamond-like films with thickness 40...400 nm with deposition velocity 200...400 nm/hour were received. For production of hydrogen the metal hydride block of exterior filling was used. As a hydride forming material the intermetallide LaNi5 was used which ensures necessary hydrogen-capacity and velocity of a sorption - desorption of hydrogen.The electron-diffraction, electron-microscopic and optical investigations of film properties were carried out. It is shown that the described method allows to get amorphous diamond-like films. It is established that films obtained according to classification of Grigorovici R., concern to a structural sandwich-type. The carbon atoms in a layer have a strong covalent bond and between layers there is a weak double bond such as Van der Waals.У роботі розглянута можливість отримання алмазоподібних плівок шляхом розпилення графітової мішені в модифікованому плазмовому прискорювачі з замкнутим дрейфом електронів. Для отримання водню використовувався металогідридний блок зовнішнього напуску, у якому в якості гідридоутворюючого матеріалу використовувався інтерметалід LaNi5, що забезпечує необхідну водневу ємність і швидкість сорбції-десорбції водню.Були отримані алмазоподібні плівки товщиною 40...400 нм зі швидкістю осадження 200...400 нм/г для різних режимів роботи прискорювача. Показано, що даний спосіб дозволяє отримувати аморфні алмазоподібні плівки. Проведені електронографічні, електрономікроскопічні та оптичні дослідження властивостей плівок. Виявлено, що отримані плівки, відповідно до класифікації Grigorovici R., відносяться до шаруватого структурного типу. Атоми вуглецю в шарі мають сильний ковалентний зв'язок, а між шарами існує слабкий зв'язок типу Ван-дер-Вальса.В работе рассмотрен вопрос получения алмазоподобных пленок путем распыления графитовой мишени в модифицированном плазменном ускорителя с замкнутым дрейфом электронов. Для получения водорода использовался металлогидридный блок внешнего напуска, в котором в качестве гидридообразующего материала использовался интерметаллид LaNi5, который обеспечивает необходимую водородоемкость и скорость сорбции-десорбции водорода.В зависимости от режимов работы были получены алмазоподобные пленки толщиной 40…400 нм со скоростью осаждения 200…400 нм/ч. Проведены электроннографические, электронномикроскопические и оптические исследования свойств пленок. Показано, что описываемый способ позволяет получать аморфные алмазоподобные пленки. Установлено, что полученные пленки, согласно классификации Grigorovici R., относятся к слоистому структурному типу. Атомы углерода в слое имеют сильную ковалентную связь, а между слоями существует слабая связь типа Ван-дер-Вальса

Dynamics and directions of extreme ultraviolet radiation from plasma of the high-current pulse diode

The time behavior and orientation of radiation in the range of wavelengths 12.2…15.8 nm, which is generated in the high-current impulse plasma diode, working on tin vapor, are investigated in this paper. It is shown, that the intensive radiation in this range arises at an inductive stage of the discharge, it is multi-peak (τpulse~ 200 ns) and the near anode area is the region of its generation. The intensity and primary orientation of radiation depend on a discharge voltage and are various for different peaks.Досліджуються часові характеристики і спрямованість випромінювання в діапазоні довжини хвиль 12,2...15,8 нм, що генерується в сильнострумовому імпульсному плазмовому діоді, який працює на парах олова. Показано, що інтенсивне випромінювання в цьому діапазоні виникає на індуктивній стадій розряду, носить багатопіковий характер (τімп~ 200 нс), і зоною генерацій служить прианодна плазма. Інтенсивність і переважна спрямованість випромінювання залежить від розрядної напруги і відмінна для різних піків.Исследуются временные характеристики и направленность излучения в диапазоне длин волн 12,2…15,8 нм, которое генерируется в сильноточном импульсном плазменном диоде, работающем на парах олова. Показано, что интенсивное излучение в этом диапазоне возникает на индуктивной стадии разряда, носит многопиковый характер (τимп~ 200 нс), и зоной генерации служит прианодная плазма. Интенсивность и преимущественная направленность излучения зависит от разрядного напряжения и различна для разных пиков

Large-area surface wave plasma source

A surface wave plasma source for the production of a large-diameter, high electron density and low electron temperature plasma at low pressure without using a magnetic field for plasma processing and thin film preparation are. The DC or RF voltage with the frequency of 13.56 MHz can supply the source. The pumping-out of the source is carried out through the insulated substrate holder. The plasma source operates in a working gas pressure range of 3∙10⁻² ÷ 10⁻⁴ Torr with changing the RF power in a range of 50÷1000 W during the discharge on surface waves with the mode 0 excited by a ring antenna. The plasma density has a homogeneous distribution over a diameter of 300 mm and varies in a range of 10⁸÷10¹⁰ cm⁻³ at electron temperature of 2÷7 eV depending on external parameters. An ion beam density in the presence of the RF bias applied to the substrate holder reached 0.1 mA/сm² with homogeneous distribution over the diameter of 300 mm. The total ion current to the substrate holder with a diameter of 467 mm reaches the value of 2 A with average ion energy of 200 eV. Numerical analysis of electric field distribution over the processing chamber in linear approach was made and compared to experimental results obtained

Effect of iodine impurity on the absorption spectrum and phase transitions in CsPbCl₃ thin films

The absorption spectra of thin films of solid solutions CsPb(Cl₁₋xIx)₃ 0≤x≤1 were studied. It has been found that at low concentrations x≤0.2, excitonic spectra of a amalgamation type (according to the classification of Onodera-Tojazawa) are formed. The concentration shift of the exciton bands with increasing x at x = 0.3 indicates the formation of the exciton spectrum of a persistence type in the interval 0.3≤x < 1. The iodine impurity leads to an insignificant increase of the phase ransition temperatures in the orthorhombic (Tc₃) and cubic (Tc₁) phases of CsPbCl₃

Exciton absorption spectra of KPb₂Br₅ thin films

Absorption spectra of KPb2Br5 thin films of tetragonal (I) and monoclinic (II) structures were investigated in the spectral region of 2-6 eV and the temperature range of 90-440 K. It was found that KPb₂Br₅(I) of the tetragonal structure irreversibly transferred in KPb₂Br₅(II) of the monoclinic structure when T = 293 K. It was found that low-frequency exciton excitations of KPb₂Br₅(I,II) were localized in the sublattice, which contained Pb²⁺ ions and were two-dimensional nature