α-particle induced forward-backward electron emission from titanium nitride

The electronic yields of forward and backward secondary ion-induced electron emission from titanium nitride bombarded by α-particles from a radioisotope source were experimentally measured. It was shown that the ratio of forward and backward electronic yields was approximately 1.79, which agrees well with the results obtained earlier for other materials and fast light ions. It was found that this ratio increased slightly with increasing specific ionization loss of the ionЕкспериментально виміряно електронні виходи вторинної іонно-електронної емісії з нітриду титану на простріл і на відбиття під час бомбардування α-частинками від радіоізотопного джерела. Показано, що відношення електронних виходів на простріл і на відбиття становить приблизно 1,79, що добре узгоджується з результатами, отриманими раніше для інших матеріалів і швидких легких іонів. Знайдено, що зазначене відношення помірно зростає зі збільшенням питомих іонізаційних втрат іона.Экспериментально измерены электронные выходы вторичной ионно-электронной эмиссии из нитрида титана на прострел и на отражение при бомбардировке α-частицами от радиоизотопного источника. Показано, что отношение электронных выходов на прострел и на отражение составляет примерно 1,79, что хорошо согласуется с результатами, полученными ранее для других материалов и быстрых легких ионов. Найдено, что указанное отношение слегка возрастает с увеличением удельных ионизационных потерь иона

MechanIsms of nonelasticity and hardening of irradiated silicon single crystals

Проведено дослідження впливу альфа-, та гамма-випромінювання на характеристики амплітудної та температурної залежності внутрішнього тертя у монокристалах силіцію при частотах коливань 5 Гц – 5 кГц. Такі дослідження важливі з точки зору підвищення надійності виробів твердотільної електроніки, які у процесі експлуатації піддаються впливу не тільки опромінення, але і циклічних навантажень.Проведены исследования влияния альфа- и гамма-излучений на характеристики ам-плитудной и температурной зависимостей внутреннего трения в монокристаллах крем-ния при частотах колебаний 5 Гц – 5 кГц. Такие исследования важны с точки зрения по-вышения надежности изделий твердотельной электроники, которые в процессе эксплуа-тации подвергаются влиянию не только облучения, но и циклических нагрузок.The studies of influence an alpha- and gamma-irradiation on features of amplitude and temperature decencies of internal friction in single crystals of silicon at frequencies of oscilla-tions 5 Hz - 5 kHz were carried out. Such studies is important from the point of view of increasing of reliability of products of solid state electronics, which in the process of exploitation are subjected to an influence of not only irradiation, as well as cyclic loads

Errors of measurements at use of system of global positioning

При использовании Глобальной Системы Позиционирования (GPS) имеются помехи, искажающие передаваемые электромагнитные сигналы в канале распространения. К числу таковых относятся: атмосферные, обусловленные изменением физических свойств атмосферы и ионосферы; межсистемные, создаваемые посторонними радиосредствами; индустриальные, связанные с эксплуатацией электроустановок.При використанні глобальної системи позиціювання (GPS) маються перешкоди, що спотворюють передані електромагнітні сигнали в каналі поширення. Аналіз відповідних погрішностей вимірів викладений в наведеній статті.At use of Global System of Positioning (GPS) there are the handicapes deforming transmitted electromagnetic signals in the channel of distribution. These questions are stated in clause